本实用新型涉及集成电路封装技术领域，特别与一种sop-8l封装框架结构相关。
背景技术：
sop表面贴装式封装的集成电路芯片，通常有两排引脚，且引脚对称设置，用于贴装到具有sop结构的pcb电路板的芯片插座上进行终端集成。目前，行业应用较多的sop封装引线框架，主要以单基岛引线框架为主，这种结构单一化，不能用于多用途、大规模系统集成器件的开发；终端集成时，需要几颗器件才能实现电路功能，从而增加了上板的面积，导致电子终端产品无法实现小型化、轻便化；而且整机功率损耗也会大大增加。目前也有部分sop框架，采用双基岛或多基岛的框架结构，但是布局形式不紧凑，对框架空间利用率有待提高，且结构稳定性并不理想，散热性等有待进行改进。
技术实现要素：
针对相关现有技术存在的问题，本实用新型一种sop-8l封装框架，通过阵列/矩阵布局形式提高批量化封装效果，并合理利用有限的框架空间进行布局，可供双芯片集成使用，且结构稳定性提高，节省原材料，利于后续工序加工。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术：
一种sop-8l封装框架，包括框架本体，其特征在于：所述框架本体上阵列有框架单元区域，所述框架单元区域两侧匹配设置有外引脚区；所述框架单元区域，为矩形区域，其包括：
依次沿所述框架单元区域上侧设置的第八内引脚、第七内引脚、第六内引脚、第五内引脚；
依次沿所述框架单元区域下侧设置的第一内引脚、第二内引脚、第三内引脚、第四内引脚；以及
位于所述框架单元区域中间区域并沿引脚排列方向依次设置的第一基岛、第二基岛，所述第一基岛和所述第二基岛间隔设置；其中：
所述第一基岛与所述第二内引脚连接；
所述第二基岛与所述第六内引脚连接；
所述第一基岛外端侧通过第一侧连筋与所述框架本体连接；
所述第二基岛外端侧通过第二侧连筋与所述框架本体连接；
所述第一内引脚、第二内引脚、第三内引脚、第四内引脚、第五内引脚、第六内引脚、第七内引脚、第八内引脚分别通过引脚筋对应连接至外引脚区的对应外引脚。
进一步，位于框架单元区域上侧的外引脚区设有第八外引脚、第七外引脚、第六外引脚、第五外引脚，第八外引脚通过一个引脚筋与第八内引脚连接，第七外引脚通过一个引脚筋与第七内引脚连接，第六外引脚通过一个引脚筋与第六内引脚连接，第五外引脚通过一个引脚筋与第五内引脚连接。
进一步，位于框架单元区域下侧的外引脚区设有第一外引脚、第二外引脚、第三外引脚、第四外引脚，第一外引脚通过一个引脚筋与第一内引脚连接，第二外引脚通过一个引脚筋与第二内引脚连接，第三外引脚通过一个引脚筋与第三内引脚连接，第四外引脚通过一个引脚筋与第四内引脚连接。
进一步，所述阵列，是指所述框架单元区域具有连续布置的若干行和/或若干列。
更进一步，所述阵列，是指所述框架单元区域具有连续的多行和多列，形成矩形状布置方式。
进一步，相邻两列框架单元区域紧贴设置并连接为一个列整体。
进一步，相邻两列框架单元区域的连接处设有若干流道孔。
进一步，所述框架本体上设有若干第一定位孔、若干第二流道孔、若干排气孔，其中：所述第一定位孔位于所述列整体上侧和下侧；所述第二流道孔和所述排气孔，间隔设置于列整体之间。
进一步，所述第一基岛，用于安装主控集成电路芯片；所述主控集成芯片安装后通过引线键合分别电气连接第一内引脚、第七内引脚、第八内引脚;
进一步，所述第二基岛，用于安装高压器件，所述高压器件，包括金属氧化物半导体场效应管、三极管或晶闸管中任意一种；所述高压器件安装后通过引线键合分别电气连接第三内引脚、第四内引脚、第五内引脚。
本实用新型有益效果：
1、通过双基岛，且具有一定对称性的布局设置，提供了实现双芯片的集成封装功能，第一基岛仅与第二内引脚连接，第二基岛仅与第六内引脚连接，进一步缩减了连接布局的复杂程度，节省原材料，并且利用后续工序的加工；
2、相邻两列框架单元区域紧贴设置并连接为一个列整体，且相邻两列框架单元区域的连接处设有若干流道孔，与间隔设置于列整体之间的排气孔配合，提高注塑时候的注塑效率和注塑质量；
3、第一基岛和第二基岛隔开设置，且仅分别与一个引脚互联，减少了干扰，更加利于散热；
4、通过上下侧的第一定位孔，配合间隔设置的第二流道孔，相比于只有局部设有定位孔的结构，不仅可以快速定位引线框架，且定位准确性极大提高，保证后续工艺的效率。
5、采用多行多列的矩形式布局，并利用其中有限的空间合理增设流道孔、排气孔、定位孔，在实现对框架空间利用率提高的同时，增加了对于后续工序更加有利的布置方式，不仅原材料得到有效节省，并在此基础上，利于提高整体工艺的效率和工艺精度。
6、此新型采用框架式的多芯片组装工艺，实现了电源管理、信号控制及电压控制的系统级封装功能，为终端集成节省面积，并大大节省了成本。
附图说明
图1为本实用新型框架整体结构示意图。
图2为本实用新型框架局部结构示意图。
图3为本实用新型框架单元区域的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施方式进行详细说明。
如图1~3所示，为本实用新型具体实施方式的实施例结构图。
如图1所示，一种sop-8l封装框架，包括框架本体1。所述框架本体1上阵列有框架单元区域2。
作为具体试试方式，所述阵列，是指所述框架单元区域2具有连续布置的若干行和/或若干列。具体到本实施例中，所述阵列，是指所述框架单元区域2具有连续的多行和多列，形成矩形状布置方式。
本实施例中，相邻两列框架单元区域2紧贴设置并连接为一个列整体200。相邻两列框架单元区域2的连接处设有若干第一流道孔104，为后续的注塑工序提供基础。第一流道孔104的位置设计，使得注塑的孔道均匀化布置于整个框架，利于提高注塑效率和利用控制注塑质量。
本实施例中，框架本体1上设有若干第一定位孔102、若干第二流道孔103、若干排气孔101，其中：所述第一定位孔102位于所述列整体200上侧和下侧；所述第二流道孔103和所述排气孔101，间隔设置于列整体200之间。
通过排气孔101的设置，与第一流道孔104配合，同时便于在注塑时排出塑封体内的空气，避免在塑封体内部形成大量的气泡，提高封装质量。
通过上下侧的第一定位孔102，以及间隔设置的第二流道孔103，不仅可以快速定位引线框架，且定位准确性极大提高，保证后续工艺的效率。
如图2所示，所述框架单元区域2两侧匹配设置有外引脚区3。
如图3所示，所述框架单元区域2，为矩形区域，其包括：依次沿所述框架单元区域2上侧设置的第八内引脚a8、第七内引脚a7、第六内引脚a6、第五内引脚a5；依次沿所述框架单元区域2下侧设置的第一内引脚a1、第二内引脚a2、第三内引脚a3、第四内引脚a4；以及位于所述框架单元区域2中间区域并沿引脚排列方向依次设置的第一基岛201、第二基岛202，所述第一基岛201和所述第二基岛202间隔设置，且大小一致或相当。
所述第一基岛201与所述第二内引脚a2连接；所述第二基岛202与所述第六内引脚a6连接。从而，在基础机构上，仅利用两个对应的引脚与对应基岛互联，在节省材质的同时，确保了连接和支撑效果，与侧连筋配合对相应基岛进行有效稳定的支撑。第一基岛201和第二基岛202相互隔开，在此种布局情况下，更加利于散热性能的提高。
所述第一基岛201外端侧通过第一侧连筋s1与所述框架本体1连接；所述第二基岛202外端侧通过第二侧连筋s2与所述框架本体1连接，为第一基岛201和第二基岛202提供支撑，提高了框架单元区域2的连接稳定性，利于后续加工。在本实施例中，第一侧连筋s1和第二侧连筋s2相对的对称设置。
所述第一内引脚a1、第二内引脚a2、第三内引脚a3、第四内引脚a4、第五内引脚a5、第六内引脚a6、第七内引脚a7、第八内引脚a8分别通过引脚筋对应连接至外引脚区3的对应外引脚。
本实施例中，如图2所示，具体的：
位于框架单元区域2上侧的外引脚区3设有第八外引脚、第七外引脚、第六外引脚、第五外引脚，第八外引脚通过一个引脚筋与第八内引脚a8连接，第七外引脚通过一个引脚筋与第七内引脚a7连接，第六外引脚通过一个引脚筋与第六内引脚a6连接，第五外引脚通过一个引脚筋与第五内引脚a5连接；
位于框架单元区域2下侧的外引脚区3设有第一外引脚、第二外引脚、第三外引脚、第四外引脚，第一外引脚通过一个引脚筋与第一内引脚a1连接，第二外引脚通过一个引脚筋与第二内引脚a2连接，第三外引脚通过一个引脚筋与第三内引脚a3连接，第四外引脚通过一个引脚筋与第四内引脚a4连接。
作为本实施例的一种应用，所述第一基岛201，用于安装主控集成电路芯片；安装后通过引线键合分别电气连接第一内引脚a1、第七内引脚a7、第八内引脚a8;
所述第二基岛202，用于安装金属氧化物半导体场效应管；安装后通过引线键合分别电气连接第三内引脚a3、第四内引脚a4、第五内引脚a5。采用本实施例的引线框架进行封装时，可按照sop封装的常规流程进行即可。
具体实施时，先通过固定胶进行固晶，即将相应的芯片固定于对应的第一基岛201和第二基岛202。
通过相关超声焊接技术，诸如键合引线等工艺，实现芯片与对应引脚的电气导通。
然后通过对芯片及打线互连区域进行塑封防护，即利用相关工艺如注塑在指定的位置完成塑料壳体的成型。
最后，在相应的冲压成型及分离机器上，完成切断和打弯，得到一个一个的sop封装集成芯片。
1.一种sop-8l封装框架，包括框架本体（1），其特征在于：
所述框架本体（1）上阵列有框架单元区域（2），所述框架单元区域（2）两侧匹配设置有外引脚区（3）；所述框架单元区域（2），为矩形区域，其包括：
依次沿所述框架单元区域（2）上侧设置的第八内引脚（a8）、第七内引脚（a7）、第六内引脚（a6）、第五内引脚（a5）；
依次沿所述框架单元区域（2）下侧设置的第一内引脚（a1）、第二内引脚（a2）、第三内引脚（a3）、第四内引脚（a4）；以及
位于所述框架单元区域（2）中间区域并沿引脚排列方向依次设置的第一基岛（201）、第二基岛（202），所述第一基岛（201）和所述第二基岛（202）间隔设置；其中：
所述第一基岛（201）与所述第二内引脚（a2）连接；
所述第二基岛（202）与所述第六内引脚（a6）连接；
所述第一基岛（201）外端侧通过第一侧连筋（s1）与所述框架本体（1）连接；
所述第二基岛（202）外端侧通过第二侧连筋（s2）与所述框架本体（1）连接；
所述第一内引脚（a1）、第二内引脚（a2）、第三内引脚（a3）、第四内引脚（a4）、第五内引脚（a5）、第六内引脚（a6）、第七内引脚（a7）、第八内引脚（a8）分别通过引脚连筋对应连接至外引脚区（3）的对应外引脚。
2.根据权利要求1所述的sop-8l封装框架，其特征在于：所述阵列，是指所述框架单元区域（2）具有连续布置的若干行和/或若干列。
3.根据权利要求2所述的sop-8l封装框架，其特征在于：所述阵列，是指所述框架单元区域（2）具有连续的多行和多列，形成矩形状布置方式。
4.根据权利要求3所述的sop-8l封装框架，其特征在于：相邻两列框架单元区域（2）紧贴设置并连接为一个列整体（200）。
5.根据权利要求4所述的sop-8l封装框架，其特征在于：相邻两列框架单元区域（2）的连接处设有若干第一流道孔（104）。
6.根据权利要求4所述的sop-8l封装框架，其特征在于：所述框架本体（1）上设有若干第一定位孔（102）、若干第二流道孔（103）、若干排气孔（101），其中：
所述第一定位孔（102）位于所述列整体（200）上侧和下侧；
所述第二流道孔（103）和所述排气孔（101），间隔设置于列整体（200）之间。
7.根据权利要求1所述的sop-8l封装框架，其特征在于：
所述第一基岛（201），用于安装主控集成电路芯片；所述主控集成芯片安装后通过引线键合分别电气连接第一内引脚（a1）、第七内引脚（a7）、第八内引脚（a8）;
所述第二基岛（202），用于安装高压器件；所述高压器件，包括金属氧化物半导体场效应管、三极管或晶闸管中任意一种；所述高压器件安装后通过引线键合分别电气连接第三内引脚（a3）、第四内引脚（a4）、第五内引脚（a5）。
8.根据权利要求1所述的sop-8l封装框架，其特征在于：
位于框架单元区域（2）上侧的外引脚区（3）设有第八外引脚、第七外引脚、第六外引脚、第五外引脚，第八外引脚通过一个引脚筋与第八内引脚（a8）连接，第七外引脚通过一个引脚筋与第七内引脚（a7）连接，第六外引脚通过一个引脚筋与第六内引脚（a6）连接，第五外引脚通过一个引脚筋与第五内引脚（a5）连接；
位于框架单元区域（2）下侧的外引脚区（3）设有第一外引脚、第二外引脚、第三外引脚、第四外引脚，第一外引脚通过一个引脚筋与第一内引脚（a1）连接，第二外引脚通过一个引脚筋与第二内引脚（a2）连接，第三外引脚通过一个引脚筋与第三内引脚（a3）连接，第四外引脚通过一个引脚筋与第四内引脚（a4）连接。
技术总结