本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术：
目前，自带前置摄像头等传感器件的显示装置普遍采用异形全面屏(例如：市面上常见的“刘海屏”)的设计，这种设计将传感器件集中设置在非显示的挖槽区域，而使屏幕除挖槽区域外的其他区域均进行显示，提高显示装置的占屏比。
由于挖槽区域的存在，删减了部分走线相连的子像素数量，使得部分走线相连的子像素数量少于其他走线相连的子像素数量，这样所述部分走线的负载小于其他走线的负载，会造成部分走线的信号延迟与其他走线的信号延迟不同，降低显示装置的显示效果。
技术实现要素：
本实用新型实施例提供一种显示基板和显示装置，以解决相关技术中由于挖槽区域的像素删减而导致部分走线的信号延迟与其他走线的信号延迟不同的现象，改善显示装置的显示效果。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供技术方案如下：
第一方面，本实用新型实施例提供一种显示基板，包括显示区域和挖槽区域，所述挖槽区域和所述显示区域共同组成封闭图形，其中，所述挖槽区域位于所述封闭图形的边缘位置；
所述显示区域包括靠近所述挖槽区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域；
所述显示基板包括设置在所述第一区域内的低电平信号线，所述低电平信号线用于接收预设信号并与所述第一区域内的走线形成电容，以增加所述走线的负载电容。
进一步地，所述走线为位于所述第一区域内的栅线或者位于所述第一区域内的复位线。
所述走线在衬底基板上的正投影与所述低电平信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合。
进一步地，所述低电平信号线在列方向上的宽度大于所述第一区域内的走线在列方向上的宽度之和。
进一步地，显示基板包括从衬底基板至封装层的方向依次设置的多晶硅层、走线层、第一绝缘层和低电平信号线，其中，所述第一绝缘层包括位于所述低电平信号线和所述走线层之间的第一部分、以及位于所述走线层中相邻两根走线之间的第二部分。
进一步地，在所述多晶硅层和所述走线层之间还设有第二绝缘层，在所述显示基板中开设贯穿所述第一绝缘层的第二部分和所述第二绝缘层的过孔，所述低电平信号线通过所述过孔与所述多晶硅层连接。
进一步地，所述挖槽区域的外轮廓为四边形、三角形或圆形。
进一步地，所述挖槽区域的外轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形的第一底边位于所述封闭图形的边缘，所述第一底边的长度大于第二底边的长度。
进一步地，自所述挖槽区域的第一底边向第二底边的方向依次设有第一行子像素和第二行子像素，所述第一行子像素的显示亮度大于所述第二行子像素的显示亮度，其中，所述挖槽区域均位于所述第一行子像素所在的直线和所述第二行子像素所在的直线上。
进一步地，所述第一区域内部未设置子像素，所述第二区域内部排布有子像素。
第二方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本实用新型提供的技术方案中，通过利用低电平信号线来对第一区域内的走线的负载电容进行补偿，使得因挖槽区域导致连接子像素数量较少的走线的负载电容能够接近甚至等于其他走线的负载电容，使显示基板中各走线的延迟接近，确保显示装置的显示效果。因此，本实用新型提供的技术方案能够确保显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为图1中ⅰ区域的放大图；
图3为本实用新型另一实施例提供的显示基板的结构示意图；
图4为本实用新型另一实施例提供的显示基板的部分结构示意图；
图5为图4中白色粗线的剖视图；
图6为本实用新型另一实施例提供的走线的负载电容比例分布图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种显示基板，如图1和图2所示，包括显示区域a和挖槽区域b，所述挖槽区域b和所述显示区域a共同组成封闭图形，其中，所述挖槽区域b位于所述封闭图形的边缘位置；
所述显示区域a包括靠近所述挖槽区域b的第一区域a1和除所述第一区域之外的第二区域a2；
所述显示基板包括设置在所述第一区域a1内的低电平信号线210，所述低电平信号线210用于接收预设信号并与所述第一区域a1内的走线220形成电容，以增加所述走线220的负载电容。
本实用新型实施例中，通过利用低电平信号线来对第一区域内的走线的负载电容进行补偿，使得因挖槽区域导致连接子像素数量较少的走线的负载电容能够接近甚至等于其他走线的负载电容，使显示基板中各走线的延迟接近，确保显示装置的显示效果。因此，本实用新型提供的技术方案能够确保显示装置的显示效果。
上述显示区域a和挖槽区域b为相互连接且互不重合的两个区域，挖槽区域b的外轮廓可以为四边形、三角形、圆形等等，此处不作限定，显示区域a与挖槽区域b相接部分的轮廓形状与挖槽区域b与显示区域a相接部分的轮廓形状相适配，例如：挖槽区域b的轮廓形状为长为a，宽为b的矩形，则显示区域a的轮廓包括有长为a，宽为b的矩形凹槽。
显示区域a和挖槽区域b共同组成封闭图形，封闭图形可以是矩形(含圆角矩形)、圆形、三角形(含圆角三角形)等等。挖槽区域b位于封闭图形的边缘位置，以封闭图形为矩形为例，挖槽区域位于矩形的边缘位置，形状可如图1所示，类似市面上的“刘海屏”。
显示区域a包括靠近所述挖槽区域b的第一区域a1，即第一区域a1和封闭图形的边缘共同包围挖槽区域b。
如图3所示，设置在挖槽区域b行方向两侧的显示区域内分布有子像素，其中，位于同一行的子像素连接相同的走线220以获得信号来进行发光，这些走线220在两侧子像素之间的线段在第一区域内绕过挖槽区域b设置。而整行分布有子像素的走线分布于第二区域a2内。
由于挖槽区域b的存在，删减了部分子像素，导致分布在第一区域a1内的走线220所连接的子像素的数量少于分布在第二区域内的走线所连接的子像素的数量。这样，导致第一区域内的走线220的负载电容小于第二区域内的走线的负载电容，进而造成第一区域内走线220的信号延迟与第二区域内走线的信号延迟不同，影响显示装置的显示效果。
本实用新型实施例中，利用原本在第一区域a1内分布的低电平信号线210来与第一区域a1内的走线220形成电容，来补偿走线220缺失的负载电容(由于所连接的子像素相比第二区域a2内走线连接的子像素而言少的子像素的负载电容)，使得第一区域a1内走线220的整体负载电容与第二区域a2内走向的整体负载电容相同或接近，进而确保第一区域a1内走线220的信号延迟与第二区域a2内走线的信号延迟相同，确保显示装置的显示效果。
另外，由于低电平信号线210原本就是设置在第一区域a1内，无需增加额外的结构来对第一区域a1内走线220的负载电容进行补偿，也便于缩减显示基板的边框，有利于显示装置的窄边框化。
低电平信号线210与第一区域a1内的每一根走线220均形成电容，其中，因为在一个时间段内第一区域a1内的多根走线220只会有一根走线220上的电压信号发生跳变，因此低电平信号线210在每个时间段内受到的扰动较小，走线220的跳变不会对低电平信号线210的稳定性造成影响。
其中，如图3所示，第一区域a1可以未设置子像素，第二区域a2可以排布有子像素，这样由于第一区域a1内没有子像素，第一区域a1内的走线220就不会对子像素有干扰。
进一步地，所述走线220为位于所述第一区域a1内的栅线或者位于所述第一区域a1内的复位线。
在走线220为栅线时，挖槽区域b两侧位于同一行的子像素均与一根栅线连接，栅线在两侧子像素之间的线段在第一区域内绕过挖槽区域b设置。在第一区域内的任一根栅线工作(传输扫描信号)时，低电平信号线210与该根工作的栅线形成电容，提高该根工作的栅线的负载电容，使该根栅线的负载电容和第二区域内栅线的负载电容相同。
在走线220为复位线时，挖槽区域b两侧位于同一行的子像素均与一根复位线连接，复位线在两侧子像素之间的线段在第一区域内绕过挖槽区域b设置。在第一区域内的任一根复位线工作(传输复位信号)时，低电平信号线210与该根工作的复位线形成电容，提高该根工作的复位线的负载电容，使该根复位线的负载电容和第二区域内复位线的负载电容相同。
进一步地，所述走线220在衬底基板上的正投影与所述低电平信号线210在所述衬底基板上的正投影部分重合。
如图2所示，第一区域内全部的走线在衬底基板上的正投影均与低电平信号线210在衬底基板上的正投影部分重合。本实施例中，可以利用低电平信号线210和走线220投影重合部分的两个导体及二者之间的绝缘层构成电容，以补偿第一区域a1的走线220缺失的负载电容。
进一步地，所述低电平信号线210在列方向上的宽度大于所述第一区域a1内的走线220在列方向上的宽度之和。
如图2所示，在第一区域a1内的多根走线220在两侧子像素之间的线段包括沿行方向延伸的第一线段221、以及分别与所述第一线段221的两端分别连接的两个第二线段222，位于第一线段221第一侧的第二线段222分别连接第一线段221的第一端和位于第一线段221第一侧用于连接子像素的线段223，位于第一线段221第二侧的第二线段222分别连接第一线段221的第二端和位于第一线段221第二侧用于连接子像素的线段223。
如图2所示，多根走线220的第一线段平行分布于第一区域a1内，第一区域a1内多根走线220的第一线段221在列方向上的宽度之和小于低电平信号线210在列方向上的宽度。
进一步地，如图4和图5所示，显示基板包括从衬底基板至封装层的方向依次设置的多晶硅层410、走线层420、第一绝缘层430和低电平信号线210，其中，所述第一绝缘层430包括位于所述低电平信号线210和所述走线层420之间的第一部分431、以及位于所述走线层420中相邻两根走线220之间的第二部分432。
由于与挖槽区域b两侧子像素连接的走线220均处于第一区域a1内，第一区域a1的走线密度大于第二区域a2内的走线密度，为了提高第一区域a1内走线220之间的绝缘性，本实施例中，通过第一绝缘层430的第二部分432来确保第一区域a1内各根走线220之间相互绝缘，确保第一区域a1内每根走线220能够正常工作。另外，第一绝缘层430的第一部分431还能够确保走线220与低电平信号线210相互绝缘。
其中，如图5所示，在所述多晶硅层410和所述走线层420之间还设有第二绝缘层440，在所述显示基板中开设贯穿所述第一绝缘层430的第二部分432和所述第二绝缘层440的过孔450，所述低电平信号线210通过所述过孔450与所述多晶硅层410连接。
所述第二绝缘层440用于使多晶硅层410与走线层420之间相互绝缘，其中，绝缘层430可以为多层结构，例如包括两层相互叠设的绝缘材料层。
通过过孔450，使得低电平信号线210与多晶硅层410电连接，从而形成低电平信号线-走线-多晶硅的三层电容结构，低电平信号线210和多晶硅层410为电容的第一极板、走线220为电容的第二极板。本实施例中，由于低电平信号线210形状基本固定，可根据每根走线220上需要增加的补偿电容的多少来调整与走线220交叠的多晶硅层410面积的大小，达到针对性的补偿走线220的效果。
具体的制作流程，可以是：首先在衬底基板上形成多晶硅层410，再形成覆盖多晶硅层410的第二绝缘层440，然后，在第二无机层440远离多晶硅层410的一侧形成走线层420，然后，在走线层420远离多晶硅层410的一侧形成第一绝缘层430，第一绝缘层430覆盖走线层420(即覆盖走线层420中的走线220和走线220之间的间隙)，然后，在走线220之间开设贯穿第二部分和第二绝缘层440的过孔450，最后，在第一绝缘层430远离多晶硅层410的一侧形成低电平信号线220，此时低电平信号线220能够通过过孔与多晶硅层410连接。
进一步地，如图1和图3所示，所述挖槽区域b的外轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形的第一底边位于所述封闭图形的边缘，所述第一底边的长度大于第二底边的长度。
如图3所示，由于挖槽区域b的外轮廓为等腰梯形，因此挖槽区域b行方向两侧各行子像素的数量不同，即第一区域a1内走线220连接的子像素的数量也不相同。具体的，走线1、走线2、……走线n-1、走线n按照等腰梯形的第一底边向第二底边的方向依次排布，在第一区域a1内的走线中走线1连接的子像素的数量最少，走线n连接的子像素的数量最多。
此时，多晶硅层410和低电平信号线210与第一区域a1内每一根走线220的交叠面积不同，所形成的用于补偿负载的电容也不相同。具体的，走线220连接的子像素的数量越少，其与多晶硅层410和低电平信号线210的交叠面积越多，从而补偿得到的电容越大。
进一步地，自所述挖槽区域b的第一底边向第二底边的方向依次设有第一行子像素和第二行子像素，所述第一行子像素的显示亮度大于所述第二行子像素的显示亮度，其中，所述挖槽区域b均位于所述第一行子像素所在的直线上和所述第二行子像素所在的直线上。
本实施例中，利用低电平信号线210和多晶硅层410补偿第一区域a1内每根走线220的负载电容，最终使得每行走线总电容负载的变化趋势如图6所示，图6中的横坐标即为图3中第一区域a1内不同的走线，图6中的纵坐标即为相对于位于第二区域a2内的走线的负载电容的百分比。即第二区域a2为基准，第一区域a1内每根走线220的负载电容随其连接的子像素的数量的减少而减少。这也使得每行子像素的显示亮度随该行子像素数量的减少而减少，这种显示亮度的渐变不易被人眼察觉，且还能够降低低电平信号线210补偿走线220的负载电容时所损耗的能量，既节约了能源又不会影响显示装置的显示效果。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
显示装置可以是显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本实用新型的保护之内。
1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区域和挖槽区域，所述挖槽区域和所述显示区域共同组成封闭图形，其中，所述挖槽区域位于所述封闭图形的边缘位置；
所述显示区域包括靠近所述挖槽区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域；
所述显示基板包括设置在所述第一区域内的低电平信号线，所述低电平信号线用于接收预设信号并与所述第一区域内的走线形成电容，以增加所述走线的负载电容。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述走线为位于所述第一区域内的栅线或者位于所述第一区域内的复位线。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述走线在衬底基板上的正投影与所述低电平信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述低电平信号线在列方向上的宽度大于所述第一区域内的走线在列方向上的宽度之和。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，显示基板包括从衬底基板至封装层的方向依次设置的多晶硅层、走线层、第一绝缘层和低电平信号线，其中，所述第一绝缘层包括位于所述低电平信号线和所述走线层之间的第一部分、以及位于所述走线层中相邻两根走线之间的第二部分。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在所述多晶硅层和所述走线层之间还设有第二绝缘层，在所述显示基板中开设贯穿所述第一绝缘层的第二部分和所述第二绝缘层的过孔，所述低电平信号线通过所述过孔与所述多晶硅层连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挖槽区域的外轮廓为四边形、三角形或圆形。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挖槽区域的外轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形的第一底边位于所述封闭图形的边缘，所述第一底边的长度大于第二底边的长度。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，自所述挖槽区域的第一底边向第二底边的方向依次设有第一行子像素和第二行子像素，所述第一行子像素的显示亮度大于所述第二行子像素的显示亮度，其中，所述挖槽区域均位于所述第一行子像素所在的直线上和所述第二行子像素所在的直线上。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一区域内部未设置子像素，所述第二区域内部排布有子像素。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10中任一项所述的显示基板。
技术总结