本文讨论的实施方式涉及光调制器元件、光发射器和光收发器。
背景技术：
1、近年来，随着数据中心和5g前端和回程的通信容量的增加，例如，对大容量光纤通信的需求在增加，并且使用将电信号调制成光信号的光调制器元件的光收发器因此被广泛使用。在光收发器中使用的光调制器元件实现高速通信，同时减少光损耗。
2、专利文献1：美国专利申请公开no.2022/0187635
3、专利文献2：美国专利申请公开no.2022/0026747
4、专利文献3：美国专利申请公开no.2022/0252911
5、在光调制器元件中，当导模的电场扩展时，产生高阶模式，并且高阶模之间的干涉降低光调制信号的消光比和光调制强度，增加比特误差，从而降低光信号的质量。而且，当产生高阶模时，光能从基模转换到高阶模，并产生光损耗。
6、因此，本发明实施方式的一方面的目的是提供一种光调制器元件，其能够减少光信号质量的劣化并减少光损耗，同时减少高阶模的产生。
技术实现思路
1、根据实施方式的一方面，光调制器元件包括肋光波导、第一薄膜、第一高浓度掺杂区和第一金属电极。该肋光波导包括具有pn结的肋部、连接到该肋部的p型区的p型平板区、以及连接到该肋部的n型区的n型平板区。第一薄膜形成在p型平板区上，并且第一薄膜的电子亲和能不同于用于p型平板区的材料的电子亲和能。p型平板区中的第一高浓度掺杂区位于与肋部分离的位置处。第一金属电极电连接到第一高浓度掺杂区，第一高浓度掺杂区位于在p型平板区上形成有第一薄膜的p型平板区的外侧。
1.一种光调制器元件，所述光调制器元件包括：
2.根据权利要求1所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述p型平板区上，在所述第一薄膜和所述第一金属电极之间具有间隙。
3.根据权利要求1所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜包括电子亲和能小于用于所述p型平板区的材料的电子亲和能的材料。
4.根据权利要求1所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜处于未被有意掺杂的未掺杂状态。
5.根据权利要求1所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述p型平板区上，在所述第一薄膜和所述肋部的侧壁之间具有间隙。
6.根据权利要求1所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜的至少一部分形成在所述第一高浓度掺杂区上。
7.根据权利要求1所述的光调制器元件，所述光调制器元件还包括：
8.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述第二薄膜形成在所述n型平板区上，在所述第二薄膜和所述第二金属电极之间具有间隙。
9.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述第二薄膜包括电子亲和能小于用于所述n型平板区的所述材料的电子亲和能的材料。
10.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述第二薄膜处于未被有意掺杂的未掺杂状态。
11.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述第二薄膜形成在所述n型平板区上，在所述第二薄膜和所述肋部的侧壁之间具有间隙。
12.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述第二薄膜的至少一部分形成在所述第二高浓度掺杂区上。
13.根据权利要求7所述的光调制器元件，其中，所述肋光波导包括硅，并且所述第一薄膜和所述第二薄膜包括锗。
14.根据权利要求13所述的光调制器元件，其中，所述第一薄膜和所述第二薄膜包括硅和锗，并且所述锗的组成比为至少0.2至0.4。
15.根据权利要求13所述的光调制器元件，其中，包括硅的覆盖层覆盖所述第一薄膜和所述第二薄膜的表面。
16.一种光发射器，所述光发射器包括光调制器元件，所述光调制器元件通过使用所发射的信号执行光的光调制并且发射所发射的光，其中，所述光调制器元件包括：
17.根据权利要求16所述的光发射器，其中，所述光调制器元件还包括：
18.一种光收发器，所述光收发器包括：
19.根据权利要求18所述的光收发器，其中，所述光调制器元件还包括：
