本申请涉及集成电路制造，具体涉及一种刻蚀停止层制备方法及半导体结构。
背景技术：
1、在集成电路制造中，随着对器件性能要求的不断提升，各种新的技术方案层出不穷。
2、应力工程作为一种广泛采用的方法，被用来优化沟道迁移率，以提升器件的电学性能。例如应力膜能够有效改善p型mos管(pmos)的性能。
3、然而，由于n型mos管(nmos)与pmos的工作原理和结构有所不同，使用合适的应力类型以实现最佳的性能增强是一个挑战。
4、需要说明的是，上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
5、申请内容
6、基于此，本申请实施例提供了一种刻蚀停止层制备方法及半导体结构，可以在改善nmos器件电学性能的同时，避免产生对pmos器件电学性能的影响，从而对pmos器件和nmos器件施加相匹配的应力，实现最佳的性能增强。
7、根据一些实施例，本申请一方面提供了一种刻蚀停止层制备方法，包括：
8、提供衬底，所述衬底上形成有间隔设置的nmos器件和pmos器件；并于所述衬底、所述nmos器件和所述pmos器件上形成第一应力刻蚀停止层；
9、在位于所述pmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层上形成遮挡层；
10、对位于所述nmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层进行紫外光照射，以使位于所述nmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层转化为第二应力刻蚀停止层。
11、在一些实施例中，所述遮挡层包括金属遮挡层。
12、在一些实施例中，所述金属遮挡层包括铝遮挡层。
13、在一些实施例中，所述在位于所述pmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层上形成遮挡层之前，所述制备方法还包括：
14、于所述第一应力刻蚀停止层远离所述衬底的表面形成保护层；
15、所述在位于所述pmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层上形成遮挡层，包括：
16、于所述保护层远离所述第一应力刻蚀停止层的表面形成遮挡材料层；
17、去除位于所述nmos器件上的所述遮挡材料层，保留位于所述pmo s器件上的所述遮挡材料层作为所述遮挡层。
18、在一些实施例中，所述保护层的材质包括二氧化硅。
19、在一些实施例中，形成所述第二应力刻蚀停止层之后，所述制备方法还包括：
20、去除所述保护层。
21、在一些实施例中，所述第一应力刻蚀停止层的材质包括氮化硅。
22、在一些实施例中，所述第二应力刻蚀停止层具有至少1200mpa的拉应力。
23、在一些实施例中，所述第一应力刻蚀停止层所具有的拉应力大小范围为400mpa～600mpa。
24、根据一些实施例，本申请另一方面提供了一种半导体结构，制备所述半导体结构的过程中，包括如上一些实施例中所述的刻蚀停止层制备方法的步骤。
25、本申请提供的刻蚀停止层制备方法及半导体结构，可以/至少具有以下优点：
26、本申请实施例中，在形成第一应力刻蚀停止层之后，使用遮挡层对位于pmos器件上的第一应力刻蚀停止层进行遮挡，步骤简单易于实施。在遮挡住位于pmos器件上的第一应力刻蚀停止层之后，才对位于nmo s器件上的第一应力刻蚀停止层进行紫外光照射，使这部分的第一应力刻蚀停止层获得高拉应力，以改善nmos器件的沟道迁移率，从而提升nmos器件的电学性能。而由于遮挡层的遮蔽作用，位于pmos器件上的第一应力刻蚀停止层并不会受到紫外光的影响，可保持较低的拉应力水平。因此，本申请实施例可减少对pmos器件电学性能的影响，对pmos器件和nmos器件施加相匹配的应力，从而实现最佳的性能增强。
27、在其中一些实施例中，使用金属遮挡层进行遮挡。金属遮挡层不仅具有良好的遮光性能，能够有效阻挡绝大部分紫外光，对pmos器件上的第一应力刻蚀停止层实现良好遮蔽；并且还具有高反射率，利用金属遮挡层的高反射能力可将紫外光反射至位于nmos器件栅极侧墙上的第一应力刻蚀停止层，从而有效改善栅极侧墙处紫外光照射不充分的缺陷。
技术实现思路
1.一种刻蚀停止层制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述遮挡层包括金属遮挡层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述金属遮挡层包括铝遮挡层。
4.根据权利要求1所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述在位于所述pmos器件上的所述第一应力刻蚀停止层上形成遮挡层之前，所述制备方法还包括：
5.根据权利要求4所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述保护层的材质包括二氧化硅。
6.根据权利要求4所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，形成所述第二应力刻蚀停止层之后，所述制备方法还包括：
7.根据权利要求1所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述第一应力刻蚀停止层的材质包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述第二应力刻蚀停止层具有至少1200mpa的拉应力。
9.根据权利要求8所述的刻蚀停止层制备方法，其特征在于，所述第一应力刻蚀停止层所具有的拉应力大小范围为400mpa～600mpa。
10.一种半导体结构，其特征在于，制备所述半导体结构的过程中，包括如权利要求1至9中任一项所述的刻蚀停止层制备方法的步骤。
