本公开的实施例涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。
背景技术：
1、随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断按比例缩小诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet和鳍式场效应晶体管(finfet)的半导体器件的尺寸。这种按比例缩小尺寸增加了半导体制造工艺的复杂性并且增加了半导体器件的工艺控制的难度。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：栅极结构，位于衬底上；第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，位于栅极结构的相对侧上；隔离层，位于第二源极/漏极结构上；第三源极/漏极结构，与第二源极/漏极结构相邻并且与第二源极/漏极结构分隔开；以及源极/漏极接触结构，位于隔离层和第三源极/漏极结构上，其中，隔离层将源极/漏极接触结构与第二源极/漏极结构分隔开。
2、本公开的另一实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一晶体管，位于衬底上，其中，第一晶体管包括第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构；第二晶体管，位于衬底上，其中，第二晶体管包括与第二源极/漏极结构相邻的第三源极/漏极结构；隔离层，位于第二源极/漏极结构上；以及源极/漏极接触结构，在第二源极/漏极结构和第三源极/漏极结构上方延伸，其中：第三源极/漏极结构电连接至源极/漏极接触结构，并且隔离层将第二源极/漏极结构与源极/漏极接触结构隔离。
3、本公开的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构；在衬底上形成第二晶体管，其中，第二晶体管包括与第二源极/漏极结构相邻的第三源极/漏极结构；在第二源极/漏极结构上形成隔离层；以及形成在第二源极/漏极结构和第三源极/漏极结构上方延伸的源极/漏极接触结构，其中：第三源极/漏极结构电连接至源极/漏极接触结构，并且隔离层将第二源极/漏极结构与源极/漏极接触结构隔离。
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极接触结构的顶表面和所述栅极结构的顶表面共面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第三源极/漏极结构上的硅化物层，其中，所述硅化物层与所述第三源极/漏极结构和所述源极/漏极接触结构接触。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述硅化物层的部分位于所述第三源极/漏极结构的侧壁表面上。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第三源极/漏极结构的侧壁表面上的蚀刻停止层，其中，所述隔离层与所述蚀刻停止层接触。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第二源极/漏极结构和所述第三源极/漏极结构之间的第四源极/漏极结构，其中，所述隔离层将所述第四源极/漏极结构与所述源极/漏极接触结构分隔开。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第一源极/漏极结构上的额外的源极/漏极接触结构，其中，所述额外的源极/漏极接触结构的底表面与所述隔离层的底表面之间的距离在约2nm至约10nm的范围内。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二源极/漏极结构上的所述源极/漏极接触结构的高度与所述隔离层的厚度的比率在约3至约10的范围内。
9.一种半导体器件，包括：
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
