本发明涉及太阳能电池，尤其涉及一种优化叠层膜接触的方法。
背景技术：
1、h i t电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结，hit电池需要双面同时覆盖透明导电薄膜，如ito薄膜，目前，一般使用pvd镀膜设备完成h it电池表面的镀膜处理，pvd镀膜设备一般采用磁控溅射镀膜技术，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，技术具有颠覆性。
2、i to是一种n型氧化物半导体-氧化铟锡，ito薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，常用的通常有两个性能指标：电阻率和透光率，在透明导电薄膜沉积过程中水汽会影响tco膜层的透光率以及方阻，从而造成非晶硅层与透明导电膜层接触比较差，会导致电池片电性能受影响较大，不良片增多，因此，针对上述情况提出一种优化叠层膜接触的方法，主要用于优化不同膜层之间的接触性能，提高产品性能。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了解决现有技术中存在受水汽影响，非晶硅层与透明导电膜层接触比较差，会导致电池片电性能受影响较大的缺点，而提出的一种优化叠层膜接触的方法。
2、为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
3、一种优化叠层膜接触的方法，包括如下步骤：
4、s1：对镀膜的腔室进行抽真空处理
5、使用高性能的真空泵将腔室内部的空气抽出，直至腔室内的真空度达到2e—6mbar，进而形成高真空的镀膜环境。
6、s2：利用残余气体分析仪检测腔室内的气体状态
7、在达到s1中预定的真空度后，使用残余气体分析仪对腔室内的气体状态进行检测，判断腔室内的气体环境是否满足镀膜要求。
8、s3：载板进入腔室抽真空时间达到规定范围
9、将载有h i t电池的载板送入镀膜腔室内，并继续抽真空，并控制上述载板进入腔室后的抽真空时间在规定时间范围内。
10、s4：寻找h i t电池的基础工艺参数并进行工艺气体优化
11、在镀膜之前，寻找现有的tco镀膜工艺参数，当基础工艺参数确定后，可以根据现有的基础工艺参数进一步的对tco镀膜工艺中使用到的气体流量进行优化，通过改变pvd镀膜过程中氧气流量，以补偿载板表面水汽含量的变化。
12、s5：开始进行tco镀膜
13、在上述优化后的工艺参数下，开始进行tco镀膜，镀膜过程采用连续性镀膜的方式，中间不停顿。
14、优选的，所述步骤s1中的对镀膜的腔室进行抽真空处理，具体包括如下步骤：
15、s1.1：清理腔室：首先需要将镀膜腔室进行彻底的清洁，去除腔室内的尘埃和杂质。
16、s1.2：开始阶段：先关闭腔室门，为真空泵接通电源后，启动真空泵，利用真空泵将腔室内部的气体抽出。
17、s1.3：监控过程：使用真空计实时监测腔室内的真空度，确保真空度稳定且达到预设值2e-6mbar。
18、s1.4：完成标志：当真空度稳定达到预设值时，不关闭真空泵，保持真空泵继续工作，准备进行下一步操作。
19、优选的，所述步骤s2中的利用残余气体分析仪检测腔室内的气体状态，具体包括如下步骤：
20、s2.1：准备工作：为残余气体分析仪接通电源后，启动残余气体分析仪，确保仪器处于正常工作状态。
21、s2.2：分析过程：通过腔室内安装的分析仪对腔室内的气体进行采样分析。
22、s2.3：结果判断：根据分析仪的显示结果，判断腔室内是否存在有害气体或水汽残留。
23、优选的，所述步骤s3中的载板进入腔室抽真空时间达到规定范围，具体包括如下步骤：
24、s3.1：载板准备：将用于装载h i t电池的载板清洗干净并烘干，确保表面无杂质和水汽。
25、s3.2：载板进入：将h i t电池放置在清洗后的载板上，并将载板放入腔室内的载板台上，确保载板平稳放置，避免在镀膜过程中产生移动或倾斜，关闭腔室门，确保腔室密封。
26、s3.3：设定真空度：根据腔室内的真空度设定抽真空时间，保证抽空时间在预设标准内，真空泵继续工作，再次对腔室进行抽真空处理，当达到预设的抽真空时间后，准备好进行后续的镀膜操作。
27、优选的，所述步骤s4中的寻找h i t电池的基础工艺参数并进行工艺气体优化，具体包括如下步骤：
28、s4.1：参数设定：根据现有的tco镀膜基础工艺参数，设定初始的基础工艺参数。
29、s4.2：实验过程：使用设定的工艺参数进行镀膜实验，观察并记录镀膜质量和接触性能。
30、s4.3：参数优化：根据上述实验结果，逐步调整工艺参数，找到一组最佳的基础工艺参数。
31、优选的，所述基础工艺参数包括靶材功率、溅射时间、气体流量和镀膜温度等工艺参数。
32、优选的，所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，具体包括如下步骤：
33、s5.1：气体流量优化：根据载板进入腔室的初始距离和距离镀膜腔室的距离，对o2流量进行优化。
34、s5.2：进行pvd首层膜镀膜处理：在基础工艺基础上减少o2流量0.05％-0.25％，然后进行镀膜。
35、s5.3：进行pvd第二层膜镀膜处理：在基础工艺上减少o2流量0.10％-0.35％，然后进行镀膜。
36、s5.4：进行pvd第三层膜镀膜处理：在基础工艺上减少o2流量0.15％-0.45％，然后进行镀膜。
37、s5.5：进行pvd第四层膜镀膜处理：使用原始的o2流量进行镀膜。
38、优选的，所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，具体还包括如下步骤：
39、s5.6：实时监测：通过使用水汽含量监测仪实时监测腔室内水汽含量和气体状态。
40、优选的，所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，在镀膜过程中通入氩气作为溅射气体。
41、本发明具有以下有益效果：
42、根据不同层膜的特性和需要，对基础工艺参数进行优化，主要为在o2流量的控制上进行了精细调整，确保每一层膜在镀膜过程中都能获得最佳的气体环境，进一步提升了叠层膜的质量和接触性能，通过优化叠层膜间的接触，降低了因接触差异引起的电性能波动，将整体效率提升0.05％-0.1％，改善良率，使用本发明的方法可以生产出更多质量更好、性能更稳定的产品，从而提高了生产效率和经济效益。
1.一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s1中的对镀膜的腔室进行抽真空处理，具体包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s2中的利用残余气体分析仪检测腔室内的气体状态，具体包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s3中的载板进入腔室抽真空时间达到规定范围，具体包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s4中的寻找hit电池的基础工艺参数并进行工艺气体优化，具体包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述基础工艺参数包括靶材功率、溅射时间、气体流量和镀膜温度等工艺参数。
7.根据权利要求1所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，具体包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，具体还包括如下步骤：
9.根据权利要求7所述的一种优化叠层膜接触的方法，其特征在于：所述步骤s5中的开始进行tco镀膜，在镀膜过程中通入氩气作为溅射气体。
