本发明属于半导体封装，具体涉及一种简化互联结构重布线的工艺方法。
背景技术：
1、正常rdl重布线的制备方法，包括采用溅射种子层技术、光刻技术，对衬底上的光刻胶层进行曝光，再通过钻蚀或刻蚀的方式修饰剩余底部光刻胶层图形，最后进行金属电镀，形成rdl布线层。多层rdl重布线则采用多次重复叠加的方式作业。此制作方式在封装领域是一种标准的工艺流程，但制备的细节导致重布线层工艺成本较高。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种简化互联结构重布线的工艺方法。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本发明采用的技术方案为：
3、一种简化互联结构重布线的工艺方法，包括以下步骤：
4、步骤一：在芯片上制备金属层；
5、步骤二：将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体，使得多个芯片在同一个平面；
6、步骤三：在步骤二所得半成品表面增设绝缘层ⅰ；
7、步骤四：在绝缘层ⅰ表面形成导电层；
8、步骤五：在导电层表面形成第一层rdl图形；
9、步骤六：形成rdl图形层；
10、步骤七：在rdl图形层表面形成绝缘层ⅱ；
11、步骤八：使芯片pad和/或rdl图形层裸露；
12、步骤九：在步骤八的基础上，进行rdl增层工序，形成重布线层，通过一次性穿透多个金属层来实现各rdl层之间的导通。
13、进一步的，步骤一中，所述金属层的厚度为3微米以上。
14、进一步的，步骤二中，采用塑封或者贴绝缘膜的方式，将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体。
15、进一步的，步骤三中，所述绝缘层ⅰ的厚度大于5微米。
16、进一步的，步骤四中，在绝缘层ⅰ表面形成导电层的步骤包括：
17、首先在绝缘层ⅰ表面形成种子层，再在种子层上方采用电镀的工艺形成导电层。
18、进一步的，所述种子层采用cu或ti/cu。
19、进一步的，步骤五中，在导电层表面形成第一层rdl图形的步骤包括：
20、在导电层表面贴上过程胶膜，过程胶膜为可光刻胶膜，再通过曝光显影方式形成第一层rdl图形，所述过程胶膜在步骤六中去除。
21、进一步的，步骤六中，通过刻蚀的方式形成rdl图形层。
22、进一步的，步骤八中，通过uv&co2开孔的方式，结合具体设计，进行各种搭配，制作出不同种类的互联层，使得芯片pad裸露和/或rdl图形层裸露。
23、与现有技术相比，本发明的有益效果为：
24、本发明公开了一种简化互联结构重布线的工艺方法，通过一次性穿透多个金属层来实现各rdl层之间的导通，实现与各芯片互联，实现多层rdl布线，可有效的降低工艺成本。
1.一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤一中，所述金属层的厚度为3微米以上。
3.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤二中，采用塑封或者贴绝缘膜的方式，将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体。
4.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤三中，所述绝缘层ⅰ的厚度大于5微米。
5.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤四中，在绝缘层ⅰ表面形成导电层的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，所述种子层采用cu或ti/cu。
7.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤五中，在导电层表面形成第一层rdl图形的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤六中，通过刻蚀的方式形成rdl图形层。
9.根据权利要求1所述的一种简化互联结构重布线的工艺方法，其特征在于，步骤八中，通过uv&co2开孔的方式，结合具体设计，进行各种搭配，制作出不同种类的互联层，使得芯片pad裸露和/或rdl图形层裸露。
