本技术属于一种线性控制半导体热敏元件，尤其是涉及一种线性控制器结构。
背景技术：
1、热敏元件的电阻值随阻体温度变化而呈现线性比例变化，当温度提高时，在到达居里温度附近，温度再提高，其电阻率便会突然增大几个数量级，热敏元件的表面温度将维持在居里温度附近不再提高。故原有热敏元件具有热自控作用，归属于一种恒温发热体，使用范围主要是发热功能和开断功能。由于其独特的特点，在家电、汽车和航空航天等领域已经得到了广泛的应用，但原来的产品都是用来起到发热作用或开关功能，产品阻值都比较大，或产品外形尺寸规格较大。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种能够解决上述问题中的至少一个的一种线性控制器结构。
2、根据本实用新型的一个方面，提供了一种线性控制器结构，包括半导体陶瓷电阻、上导电导热电极片和下导电导热电极片，上导电导热电极片和下导电导热电极片分别固定在半导体陶瓷电阻的上下两侧面上，半导体陶瓷电阻的阻值为0.05～2ω。
3、本实用新型的有益效果是：通过在半导体陶瓷电阻的上下两侧面分别设有上导电导热电极片和下导电导热电极片，使得整个结构紧凑，整体外形尺寸较小；半导体陶瓷电阻的阻值为0.05～2ω，使得产品的阻值较小，产品阻值小，实现了低功耗的效果，便于在电路中使用时，提高电路的工作效率。
4、在一些实施方式中，上导电导热电极片与半导体陶瓷电阻之间设有导电导热胶层，下导电导热电极片与半导体陶瓷电阻之间设有导电导热胶层。由此，通过设有导电导热胶，便于实现半导体陶瓷电阻与两侧电极片的连接，同时起到减震缓冲作用。
5、在一些实施方式中，半导体陶瓷电阻厚度为0.1～10毫米，半导体陶瓷电阻为单片。由此，利于减小整体的体积。
6、在一些实施方式中，半导体陶瓷电阻厚度为0.1～10毫米，半导体陶瓷电阻为多片并联。由此，通过多片并联，满足相应的电阻要求，达到合适的阻值。
7、在一些实施方式中，上导电导热电极片的一端设有第一接线柱，第一接线柱超出上导电导热电极片的端面，下导电导热电极片的一端设有第二接线柱，第二接线柱超出下导电导热电极片。由此，通过设有第一接线柱和第二接线柱，便于两端连接导线，实现在电路中的电连接，结构简单。
8、在一些实施方式中，半导体陶瓷电阻、上导电导热电极片和下导电导热电极片三者贴合固定后，形成一个整体，整体的外周设有绝缘涂层。由此，通过设有绝缘涂层，满足整体的电子元件的使用要求，利于保证产品的电阻精度。
9、在一些实施方式中，绝缘涂层的厚度小于50微米。由此，满足电流小于30a时的使用要求。
10、在一些实施方式中，绝缘涂层的厚度为50～100微米。由此，满足电流在30～50a范围内的使用要求。
11、在一些实施方式中，绝缘涂层的厚度为100～300微米。由此，满足电流大于50a时使用要求。
1.线性控制器结构，其特征在于，包括半导体陶瓷电阻(1)、上导电导热电极片(2)和下导电导热电极片(3)，所述上导电导热电极片(2)和下导电导热电极片(3)分别固定在所述半导体陶瓷电阻(1)的上下两侧面上，所述半导体陶瓷电阻(1)的阻值为0.05～2ω。
2.根据权利要求1所述的线性控制器结构，其特征在于，所述上导电导热电极片(2)与半导体陶瓷电阻(1)之间设有导电导热胶层(4)，所述下导电导热电极片(3)与半导体陶瓷电阻(1)之间设有导电导热胶层(4)。
3.根据权利要求2所述的线性控制器结构，其特征在于，所述半导体陶瓷电阻(1)厚度为0.1～10毫米，所述半导体陶瓷电阻(1)为单片。
4.根据权利要求2所述的线性控制器结构，其特征在于，所述半导体陶瓷电阻(1)厚度为0.1～10毫米，所述半导体陶瓷电阻(1)为多片并联。
5.根据权利要求3或4所述的线性控制器结构，其特征在于，所述上导电导热电极片(2)的一端设有第一接线柱(21)，所述第一接线柱(21)超出上导电导热电极片(2)的端面，所述下导电导热电极片(3)的一端设有第二接线柱(31)，所述第二接线柱(31)超出下导电导热电极片(3)。
6.根据权利要求5所述的线性控制器结构，其特征在于，所述半导体陶瓷电阻(1)、上导电导热电极片(2)和下导电导热电极片(3)三者贴合固定后，形成一个整体，所述整体的外周设有绝缘涂层(5)。
7.根据权利要求6所述的线性控制器结构，其特征在于，所述绝缘涂层(5)的厚度小于50微米。
8.根据权利要求6所述的线性控制器结构，其特征在于，所述绝缘涂层(5)的厚度为50～100微米。
9.根据权利要求6所述的线性控制器结构，其特征在于，所述绝缘涂层(5)的厚度为100～300微米。
