本公开涉及氮化物半导体装置。
背景技术：
1、目前，使用了氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor：hemt)的产品化正在推进(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017－73506号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、然而，hemt的栅极电极中的局部的栅极电流的集中会成为导致栅极电极的信赖性下降的主要原因。
3、用于解决课题的方案
4、本公开的一个方案的氮化物半导体装置具备：电子供给层，其由氮化物半导体构成；栅极层，其由包含受主型杂质的氮化物半导体形成在上述电子供给层上的一部分；栅极电极，其形成在上述栅极层上；钝化层，其覆盖上述电子供给层、上述栅极层以及上述栅极电极，并且具有在俯视时相对于上述栅极层设置在第一方向的两侧的源极开口部以及漏极开口部；源极电极，其与通过上述源极开口部露出的上述电子供给层相接；漏极电极，其与通过上述漏极开口部露出的上述电子供给层相接；活性区域，其在上述第一方向上延伸，且包括上述源极开口部以及上述漏极开口部；以及非活性区域，其在俯视时在与上述第一方向正交的第二方向上与上述活性区域相邻，上述栅极层包括：主栅极部，其在上述活性区域中在上述第二方向上延伸；子栅极部，其在上述非活性区域中以与上述主栅极部连续的方式在上述第二方向上延伸；以及突出部，其从上述子栅极部朝向上述第一方向上的上述漏极开口部突出。
5、发明效果
6、根据本公开的氮化物半导体装置，能够缓和栅极电极中的栅极电流的集中。
1.一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求9或10所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求9～11中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求9～12中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1～13中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求1～15中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，
