本发明涉及保护带以及使用该保护带的半导体芯片的制造方法。
背景技术：
1、在一般的半导体芯片的制造方法中，在利用光刻以及蚀刻技术在半导体晶圆上形成多个半导体芯片之后，沿着设置于各半导体芯片之间的切断线在半导体晶圆形成切缝，将半导体晶圆切断为多个半导体芯片。
2、该切断工序是在将半导体晶圆嵌入到环形框架（配置于半导体晶圆的外侧并支承半导体晶圆的框架）并将保护带粘接于半导体晶圆的元件形成面和环形框架的状态下进行的。此外，在切断工序之后，进行从与保护带相反侧按压半导体晶圆并取出多个半导体芯片的工序（拾取工序）。
3、作为该用途的保护带，例如可以举出专利文献1所记载的粘合性膜。该粘合性膜依次具备基材层、中间层以及粘合性树脂层，基材层的厚度x1小于中间层的厚度x2，基材层的在85℃下的储能模量e’为50mpa以上且10gpa以下，中间层的在85℃下的储能模量e’为1mpa以上且小于50mpa。具体而言，记载了基材层特别优选为聚萘二甲酸乙二醇酯，中间层特别优选为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：wo2020/203287
技术实现思路
1、发明所要解决的技术问题
2、但是，在专利文献1所记载的粘合性膜中，基材（基材层+中间层）硬且变形性差，因此经由环形框架粘贴于半导体晶圆的元件形成面时无法很好地伸展，因此不能粘贴。此外，即使粘贴也随着时间经过而收缩、剥离。进而，即使在拾取工序中拉伸膜以在半导体芯片之间产生距离，也由于基材难以伸展而无法很好地进行，由于施加要拉伸膜的力，膜会从环形框架剥离。
3、此外，在半导体晶圆的元件形成有凸起（bump）的情况下，半导体晶圆的元件形成侧的面成为具有高低差的最大值为10μm以上且300μm以下的凹凸的面，但专利文献1所记载的粘合性膜在粘贴于这样的凹凸面时的凹凸追随性的方面存在改善的余地。
4、本发明的技术问题在于提供一种作为具有基材和粘合剂层并粘贴于半导体晶圆而使用的保护带，容易伸展且凹凸追随性也优异。
5、用于解决技术问题的技术方案
6、为了解决上述技术问题，本发明的一个方式提供一种保护带，所述保护带具有基材和粘合剂层，粘贴于半导体晶圆而使用，所述基材具备：第一树脂层，形成于所述粘合剂层侧的面；以及第二树脂层，形成于所述第一树脂层的与所述粘合剂层相反的面，所述第一树脂层的在50℃以上且90℃以下的范围中的任一温度下的储能模量为1.000kpa以上且200kpa以下，所述第二树脂层的通过dsc法测定出的熔点为80℃以上且230℃以下，使用时（在具有隔膜的情况下在剥离了隔膜的状态下）的带整体的杨氏模量为1000mpa以下。
7、发明效果
8、本发明的保护带是具有基材和粘合剂层并粘贴于半导体晶圆而使用的保护带，通过确定构成基材的第一树脂层以及第二树脂层和使用时的带整体的物性，能够期待容易伸展且凹凸追随性也优异。
1.一种保护带，具有基材和粘合剂层，粘贴于半导体晶圆而使用，
2.根据权利要求1所述的保护带，其中，
3.根据权利要求1所述的保护带，其中，
4.根据权利要求1所述的保护带，其中，
5.根据权利要求4所述的保护带，其中，
6.根据权利要求1所述的保护带，其中，
7.一种半导体芯片的制造方法，具有：
