本发明是关于半导体装置，特别是关于具有低导通电阻的半导体装置。
背景技术：
1、半导体装置包含衬底以及设置于衬底上方的电路组件，并且已经广泛地用于各种电子产品，例如个人电脑、移动电话、数字相机及其他电子设备。半导体装置的演变持续影响及改善人类的生活方式。而半导体装置中的横向扩散金属氧化物半导体(laterallydiffused mos；ldmos)由于具有热稳定性、频率稳定性和散热良好等多项益处，并且易相容于其它mos制造工艺而被广泛采用，例如已广泛应用于显示器驱动ic器件、电源供应器、电力管理、通讯、车用电子或工业控制等领域中。
2、然而，现在的半导体制造工艺并无法在每一方面都令人满意。例如，现有的横向扩散金属氧化物半导体装置为了达到一些应用所需的高导通电阻以降低导通电流，而延长半导体装置的长度，进而增加半导体装置的横向尺寸。再者，各半导体装置额外增加的横向空间也会降低晶片上半导体装置的制造数量。因此，有必要寻求一种新的半导体装置及其形成方法以解决上述的问题。
技术实现思路
1、本发明的一些实施例提供一种半导体装置，包括一衬底，具有一第一导电类型；一第一阱，设置于前述衬底内，且前述第一阱具有前述第一导电类型；一第二阱，设置于前述衬底内，前述第二阱具有一第二导电类型，且前述第一阱围绕前述第二阱；一隔离部件，设置于前述第二阱内；一第三阱，设置于前述第二阱内，且前述第三阱具有前述第一导电类型，其中前述第三阱邻接前述隔离部件的一底表面；一栅极结构，设置于前述衬底上，且跨设于前述第一阱和前述第二阱的上方；以及一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于前述第一阱和前述第二阱中且分别对应前述栅极结构的两相对侧，前述第一掺杂区和前述第二掺杂区具有前述第二导电类型，其中前述第二阱与前述第一阱具有一界面位于前述隔离部件和前述第一掺杂区之间，且前述第三阱与前述界面具有一横向距离。可以通过简单并且与现有制成相容的工序，即可制得具有第三阱的半导体装置，因此实施例的制造工艺简易，不需要昂贵的制造成本。
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱直接覆盖该隔离部件的该底表面的一部分或是全部。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱的一掺杂浓度大于该第二阱的一掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱的一掺杂浓度小于该第一掺杂区的一掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第二侧壁不超出该隔离部件的该底表面的另一侧边。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱更覆盖该隔离部件的一侧壁的一部分，且该侧壁邻近该第一掺杂区。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，自该衬底的上方俯视，该第三阱为一长条状，且该第一掺杂区、该第三阱和该第二掺杂区在一相同方向上延伸。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱与该第一阱电连接。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三阱与该第一阱电性绝缘。
11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该导电部对应位于该第三阱的上方。
13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，自该衬底的上方俯视，该第三掺杂区为一环形掺杂区，且封闭式地环绕该第一掺杂区、该栅极结构、该第二阱、该第三阱以及该第二掺杂区。
15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，该隔离部件为一第一隔离部件，该半导体装置更包括：
16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
