本发明主要涉及一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，用于生产过程中的晶片表面处理制程工艺。
背景技术：
1、采用混合酸腐蚀溶液腐蚀晶体硅片在半导体工业和太阳能电池制造工业有着广泛应用。在半导体制造工业中，正常的腐蚀作业是整个晶圆浸泡入混合酸，这样就对两个面都同等的进行了腐蚀，有部分客户实际的工艺有对两个面有不同粗度，亮度的需求，以满足产品品质的要求。
2、理论上，对于外延工艺需求是粗度更低的镜面效果，以达到外延低缺陷，单晶品质高度一致的效果，而背面对膜覆盖，光感应真空吸附等需要相对较低。
3、而对于扩散和注入工艺需求，则需要相对较高的粗度，以满足相对高效率和均匀性的扩散效果，为满足对同一个晶体两个面的不同需求，开发此制程方法，此方法不需要昂贵的掩膜保护单面，具有成本低，作业方便，效率高的特点。同时此方法可重复添加酸作业以满足不同的客户要求支持定制，同时多次添加的过程由于可以控制具体的量因此废酸的产生就比较少，更加环保经济。理论上此方法只要是圆形硅片都可以使用，应用范围广。
技术实现思路
1、本发明提供一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，所述的混合酸腐蚀溶液在所述的单晶硅片的表面上生成一层酸腐蚀溶液膜，单晶硅片另外一面由吸盘吸附，使单晶硅片在倾斜5度的范围旋转摇晃，并保持混合酸溶液的添加直至所述的酸腐蚀溶液腐蚀单晶硅片表面达到所设计的腐蚀反应结束。
2、在本发明的一实施例中，在所述的单晶硅片的表面上生成一层所述的混合酸腐蚀溶液膜，通过在单晶硅片中心加注混合酸，配合倾斜5度的旋转动作，达到获得均匀混合酸溶液膜的效果。
3、在本发明的一实施例中，在所述的单晶硅片的表面上生成一层混合酸腐蚀溶液膜之后，通过多次的混合酸加入来平衡腐蚀反应带来的温度上升。
4、在本发明的一实施例中，所述的单晶体硅片是通过多次的常温混合酸腐蚀液加入来控制反应温度及腐蚀效果，无需额外加热或冷却。
5、在本发明的一实施例中，所述的混合酸为硝酸，氢氟酸和磷酸的混合酸或者是硝酸，氢氟酸和冰醋酸的混合酸。
6、在本发明的一实施例中，所述的单晶硅片，可以是直拉单晶硅，区熔单晶硅。
7、基于上述，本发明采用混合酸腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法具有应用广，生产成本低，支持客户定制，所产生的废水少等诸多优点。
1.一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，所述的混合酸腐蚀溶液在所述的单晶硅片的表面上生成一层酸腐蚀溶液膜，单晶硅片另外一面由吸盘吸附，使单晶硅片在倾斜5度的范围旋转摇晃，并保持混合酸溶液的添加直至所述的酸腐蚀溶液腐蚀单晶硅片表面达到所设计的腐蚀反应结束。
2.根据权利要求1所诉的一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，其特征在于，在所述的单晶硅片的表面上生成一层所述的混合酸腐蚀溶液膜，通过在单晶硅片中心加注混合酸，配合倾斜5度的旋转动作，达到获得均匀混合酸溶液膜的效果。
3.根据权利要求1所诉的一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，其特征在于，在所述的单晶硅片的表面上生成一层混合酸腐蚀溶液膜之后，通过多次的混合酸加入来平衡腐蚀反应带来的温度上升。
4.根据权利要求1所诉的一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，其特征在于，所述的单晶体硅片是通过多次的常温混合酸腐蚀液加入来控制反应温度及腐蚀效果，无需额外加热或冷却。
5.根据权利要求1所诉的一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，其特征在于，所述的混合酸为硝酸，氢氟酸和磷酸的混合酸或者是硝酸，氢氟酸和冰醋酸的混合酸。
6.根据权利要求1所诉的一种混合酸腐蚀硅单晶表面的方法，其特征在于，所述的单晶硅片，可以是直拉单晶硅，区熔单晶硅。
