本发明涉及一种半导体装置，尤其是其恢复损耗的降低。
背景技术：
1、在半导体装置中，利用使用pn结来控制电流的技术。二极管具有pn结，允许从p侧的阳极向n侧的阴极流通的电流，阻断相反方向的电流。而且，导通时，从阳极注入大量被称为电洞的载子，从阴极注入大量被称为电子的载子，从而降低导通时的顺向电压降vf。
2、另一方面，恢复时，将所注入的电洞与电子(载子)分别向阳极与阴极排出，因此若存在大量载子，则恢复损耗err会变大。
3、专利文献1中揭示了设置寿命抑制因数(lifetime killer)，使内部的载子消亡，由此加快载子排出的内容。
4、[背景技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]国际公开wo2017/146148号公报
技术实现思路
1、[发明要解决的问题]
2、在这里，寿命抑制因数是通过使半导体形成晶体缺陷而设置的，实施该处理需要大规模的装置及作业工序。进而，设置寿命抑制因数还会造成温度特性变差及漏电流变大的问题。
3、[解决问题的技术手段]
4、本发明的半导体装置包含：
5、半导体基材；
6、阳极电极，形成在所述半导体基材的一侧的表面上；
7、阴极电极，形成在所述半导体基材的另一侧的表面上；
8、p层，形成在所述半导体基材内的所述阳极电极侧；
9、n层，形成在所述半导体基材内的所述p层的所述阴极电极侧；
10、n+层，配置在所述p层与所述n层之间，载子浓度比所述n层高；及
11、阳极沟槽，从所述半导体基材的一侧的表面向另一侧的表面延伸，贯通所述p层，延伸到所述n+层，在周边的所述n+层之间形成有绝缘膜，并且内部配置的导电材连接于所述阳极电极。
12、[发明的效果]
13、根据本发明的半导体装置，通过具有n+层，能使断路时残留的载子为相对较低的浓度，从而在断路时能降低损耗。另外，通过阳极沟槽所带来的电场，能提高耐压。
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中
