本发明的多种实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及包括执行用于行锤减轻的目标刷新操作的存储器件的存储系统。
背景技术：
1、除了用于依次刷新多个字线的正常刷新操作外，在对可能会因行锤击而丢失数据的特定字线执行额外的刷新操作(在下文，将被称为“目标刷新操作”)。行锤击现象指与特定字线或者被设置为与该字线相邻的字线耦接的存储单元的数据因相对应的字线的大量激活而被损坏的现象。为了防止行锤击现象，对被设置为与被激活多于预定次数的字线相邻的字线(下文中被称为“目标字线”)执行目标刷新操作。
2、目标刷新操作可以根据代替指示正常刷新操作的一些正常刷新命令的目标刷新命令来执行，或者可以根据由外部控制器提供的刷新管理命令来执行。近期，随着行锤风险的增加，由存储器件有效地执行目标刷新操作的方法已被研究。
技术实现思路
1、本发明的实施例涉及能够监测激活命令之间的间隔并检测行锤可攻击图案以调整目标刷新操作的速率的存储器件及其操作方法。
2、根据本发明的实施例，存储器件包括：行锤跟踪电路，其被配置为基于激活命令之间的输入间隔来生成各自具有第一长度至第n长度中的一个长度的短间隔信号，以及基于短间隔信号的图案是否对应于行锤攻击图案来生成速率控制信号；以及目标命令发出电路，其被配置为根据速率控制信号来调整目标刷新操作的频率。
3、根据本发明的实施例，行锤跟踪装置包括：模式进入确定电路，其被配置为：基于激活命令之间的输入间隔来生成短间隔信号，短间隔信号各自具有第一长度至第n长度中的一个长度，以及基于短间隔信号的数量来生成模式进入信号；跟踪控制电路，其被配置为根据模式进入信号来生成捕获使能信号或跟踪使能信号；跟踪电路，其被配置为：根据捕获使能信号来捕获短间隔信号的图案，以及根据跟踪使能信号，基于捕获的图案是否重复来生成第一标志信号和第二标志信号；以及速率控制电路，其被配置为基于第一标志信号和第二标志信号来生成用于调整目标刷新操作的频率的速率控制信号。
4、根据本发明的实施例，存储器件的操作方法包括：基于激活命令之间的输入间隔来生成短间隔信号，短间隔信号各自具有第一长度至第n长度中的一个长度；基于所述短间隔信号的数量来执行用于捕获短间隔信号的图案的捕获操作；基于短间隔信号的捕获的图案是否对应于行锤攻击图案来生成第一标志信号和第二标志信号；以及根据第一标志信号和第二标志信号来调整目标刷新操作的频率。
5、此外，根据本发明的实施例，存储器件可以通过仅在如果发生行锤攻击时选择性地调整目标刷新操作的速率来最小化功耗和性能劣化。
1.一种存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述行锤跟踪电路在以下情况下通过确定所述短间隔信号的所述图案对应于所述行锤攻击图案来生成所述速率控制信号：
3.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述行锤跟踪电路包括：
4.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述模式进入确定电路包括：
5.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述跟踪操作电路：
6.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述跟踪操作电路包括：
7.如权利要求6所述的存储器件，其中，所述跟踪控制电路包括：
8.如权利要求6所述的存储器件，其中，所述跟踪电路包括：
9.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述图案捕获电路包括：
10.如权利要求9所述的存储器件，
11.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述目标命令发出电路根据所述速率控制信号，通过改变刷新速率来调整所述频率。
12.一种行锤跟踪装置，包括：
13.如权利要求12所述的行锤跟踪装置，其中，所述模式进入确定电路包括：
14.如权利要求12所述的行锤跟踪装置，其中，所述跟踪电路：
15.如权利要求12所述的行锤跟踪装置，其中，所述跟踪电路包括：
16.如权利要求15所述的行锤跟踪装置，其中，所述图案捕获电路包括：
17.如权利要求16所述的行锤跟踪装置，
18.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：
19.如权利要求18所述的操作方法，其中，生成所述第一标志信号和所述第二标志信号包括在以下情况下确定所述短间隔信号的所述捕获的图案对应于所述行锤攻击图案：
20.如权利要求18所述的操作方法，其中，所述执行包括:
21.如权利要求18所述的操作方法，
22.如权利要求21所述的操作方法，其中，生成所述第一标志信号和所述第二标志信号包括：
23.如权利要求22所述的操作方法，还包括：
24.如权利要求18所述的操作方法，其中，调整所述频率包括在所述第一标志信号和所述第二标志信号中的任何一个被生成时增加所述频率。
