本公开涉及基板处理装置，更具体地，涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理装置。
背景技术：
1、等离子体是指由离子或者自由基与电子等构成的离子化气体状态。等离子体可通过超高温、强电场或高频电磁场(rf electromagnetic fields)生成。半导体元件制造工艺可包括利用等离子体去除基板上的薄膜的蚀刻工艺。蚀刻工艺是通过等离子体中含有的离子和自由基粒子与基板上的薄膜发生碰撞或者反应而执行的。
2、利用等离子体的基板处理装置通过向处理空间提供工艺气体，并激发工艺气体来生成等离子体。等离子体不仅可与基板而且还可以与外壳内的部件发生碰撞。基板处理装置中包括的部件等与等离子体发生碰撞而发生蚀刻问题。
技术实现思路
1、【技术问题】
2、示例性实施例旨在提供一种能够减少因与等离子体反应而引起部件损伤的基板处理装置。
3、示例性实施例旨在提供一种能够延长使用寿命的基板处理装置。
4、示例性实施例旨在提供一种能够对基板提供均匀一的工艺性能的基板处理装置。
5、本发明所需解决的技术问题不限于上述技术问题，本技术领域的普通技术人员基于本说明书和附图能够清楚地理解在此未提及的技术问题。
6、【技术方案】
7、根据一实施例的基板处理装置，包括：外壳，其用于定义处理空间；下电极单元，其布置于所述处理空间中且用于支撑基板；上电极单元，其布置成与所述下电极单元相隔开且中间放置有所述基板；供气单元，其用于提供工艺气体，该工艺气体用于等离子体处理所述基板的边缘区域；以及保护层，其布置于所述下电极单元和所述上电极单元中的至少一部分的表面上，且由等离子体耐性大于所述下电极单元和所述上电极单元的等离子体耐性的材料形成。
8、此外，所述保护层可由包含nd、pm、sm、gd、y、sc、er、f、o中的至少两个的材料构成。
9、此外，所述保护层可由包含nd、pm、sm、gd、y、sc、er、f、o中的至少三个的材料构成。
10、此外，所述保护层可包含yf3和y2o3中的至少一个作为母材，且包含nd、pm、sm、gd、sc、er中的至少一个作为掺杂剂。
11、此外，所述保护层的厚度可为50μm或更大且150μm或更小。
12、此外，所述上电极单元可包括：介电板，其布置成在所述基板的厚度方向上与所述基板的一部分重叠，所述保护层可包括：第一保护层，其布置于所述介电板的底面上。
13、此外，所述第一保护层的厚度可以不均一。
14、此外，所述介电板的底面可以为阶梯状。
15、此外，所述介电板的底面可包括：第一底面，其与所述基板相隔第一间距；第二底面，其与所述基板相隔第二间距，且第二间距大于所述第一间距；以及分界面，其用于连接所述第一底面与第二底面，且具有向所述处理空间凸出的第一圆形表面。
16、此外，所述第一圆形表面可为所述分界面中与所述第一底面接触的表面。
17、此外，所述第一保护层可包括：第一子保护层，其布置于所述第一底面上；第二子保护层，其布置于所述第二底面上；以及第三子保护层，其布置于所述分界面上。
18、此外，所述第二子保护层的厚度可大于所述第一子保护层的厚度。
19、此外，所述第三子保护层的厚度可从所述第二子保护层向所述第一子保护层逐渐变小。
20、此外，所述第三子保护层可具有向所述处理空间凸出的第二圆形表面。
21、此外，所述第二圆形表面的曲率半径可大于或等于所述第一圆形表面的曲率半径。
22、此外，所述第二圆形表面的曲率半径可小于或等于10mm。
23、此外，所述基板与所述第一子保护层间的间距对应所述第二圆形表面的曲率半径进行调节。
24、此外，所述基板与第一子保护层间的间距调节为与所述第二圆形表面的曲率半径成反比例。
25、此外，可进一步包括：光传感器，其布置于所述外壳上，且利用光获取所述第二圆形表面的曲率半径。
26、此外，所述光传感器可包括：光照射单元，其向所述第二圆形表面照射所述光；以及光检测器，其用于检测所述光中不被所述第二圆形表面阻挡且在所述处理空间中行进的光。
1.一种基板处理装置，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护层由包含nd、pm、sm、gd、y、sc、er、f、o中的至少两个的材料构成。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护层由包含nd、pm、sm、gd、y、sc、er、f、o中的至少三个的材料构成。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护层包含yf3和y2o3中的至少一个作为母材，且包含nd、pm、sm、gd、sc、er中的至少一个作为掺杂剂。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述保护层的厚度为50μm或更大且150μm或更小。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述上电极单元包括：介电板，其布置成在所述基板的厚度方向上与所述基板的一部分重叠，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第一保护层的厚度不均一。
8.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述介电板的底面为阶梯状。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述介电板的底面包括：
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述第一圆形表面为所述分界面中与所述第一底面接触的表面。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述第一保护层包括：
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第二子保护层的厚度大于所述第一子保护层的厚度。
13.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第三子保护层的厚度从所述第二子保护层向所述第一子保护层逐渐变小。
14.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第三子保护层具有向所述处理空间凸出的第二圆形表面。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述第二圆形表面的曲率半径大于或等于所述第一圆形表面的曲率半径。
16.如权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述第二圆形表面的曲率半径小于或等于10mm。
17.如权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述基板与所述第一子保护层间的间距对应所述第二圆形表面的曲率半径进行调节。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述基板与第一子保护层间的间距调节为与所述第二圆形表面的曲率半径成反比例。
19.如权利要求14所述的基板处理装置，其进一步包括：光传感器，其布置于所述外壳上，且利用光获取所述第二圆形表面的曲率半径。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述光传感器包括：
