本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术：
1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在包括图像显示装置(诸如液晶显示器(lcd)和等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话和移动电话的各种电子产品的印刷电路板上并在其中充电或放电的片式电容器。
2、由于多层陶瓷电容器可具有小尺寸和高电容并且可容易地安装，因此这样的多层陶瓷电容器可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置已经小型化和高输出，对小型化和高电容的多层陶瓷电容器的需求已经增加。
3、随着用于it(信息技术)的mlcc以及用于电动车辆的mlcc的市场扩大，对在相同容量范围内具有高额定电压和优异可靠性的产品的需求增加。通常，已知晶粒尺寸越小且晶界越多，电介质的可靠性越好。在mlcc介电组合物添加元素中，固定价受主元素、可变价受主元素(包括过渡金属元素)和稀土元素对可靠性的影响已经是已知的，通常，可通过优化包括上述元素的介电添加元素的组成比来选择具有良好可靠性的条件。贱金属电极(bme)mlcc已经工业化超过30年，并且已经持续进行了提高可靠性的尝试。即使使用相同的介电组合物，也可能基于微结构、添加元素的分布和固溶度以及工艺条件而使得可靠性存在显著差异，并且已经积极地对其进行了研究。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的可靠性的多层电子组件。
2、本公开的示例实施例在于提供一种可满足x7r或x7s特性的多层电子组件。
3、本公开的示例实施例在于提供一种在高温和高加速寿命试验的条件下具有改善的mttf的多层电子组件。
4、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的电容的多层电子组件。
5、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括包含稀土元素的介电晶粒和所述稀土元素的第二相，其中，所述介电层的平均厚度定义为td，所述稀土元素的所述第二相在所述介电层的厚度方向上的最大尺寸定义为d，并且所述第二相中的两个或更多个第二相满足d/td≤0.2，并且其中，所述介电晶粒包括具有核-壳结构的第一介电晶粒，所述核-壳结构包括核部和设置在所述核部的至少一部分上的壳部，在所述第一介电晶粒的所述壳部中，所述稀土元素的摩尔数与除氧元素之外的全部元素的总摩尔数的比率定义为re，所述第一介电晶粒的所述壳部包括满足1.5％≤re≤3.0％的区域。
6、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括包含稀土元素的介电晶粒和所述稀土元素的第二相，其中，所述介电晶粒包括具有核-壳结构的第一介电晶粒，所述核-壳结构包括核部和设置在所述核部的至少一部分上的壳部，在所述第一介电晶粒的所述壳部中，所述稀土元素的摩尔数与除氧元素之外的全部元素的总摩尔数的比率定义为re，所述第一介电晶粒的所述壳部包括满足1.5％≤re≤3.0％的区域。
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层在td×td区域中包括满足d/td≤0.2的两个或更多个所述第二相。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，基于穿过所述第一介电晶粒的中心的直线l，所述第一介电晶粒的长度被定义为g，满足1.5％≤re≤3.0％的所述区域的长度被定义为d，并且满足2.5％≤d/g≤47.0％。
4.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，d大于等于10nm且小于等于80nm。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层在1μm×1μm区域中包括三个或更多个所述第一介电晶粒。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述第二相中，所述稀土元素的摩尔数与除氧元素之外的全部元素的总摩尔数的比率为30％或更大。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括主成分和副成分，所述主成分包括ti。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件，
9.根据权利要求7所述的多层电子组件，
10.根据权利要求7所述的多层电子组件，
11.根据权利要求7所述的多层电子组件，
12.根据权利要求7所述的多层电子组件，
13.根据权利要求11所述的多层电子组件，
14.根据权利要求1所述的多层电子组件，
15.根据权利要求1所述的多层电子组件，
16.根据权利要求1所述的多层电子组件，
17.根据权利要求1所述的多层电子组件，
18.根据权利要求3所述的多层电子组件，
19.一种多层电子组件，包括：
20.根据权利要求19所述的多层电子组件，其中，所述介电层在td×td区域中包括满足d/td≤0.2的两个或更多个所述第二相，其中，td是所述介电层的平均厚度，并且d是所述稀土元素的所述第二相在所述介电层的厚度方向上的最大尺寸，并且
