各种示例实施例涉及一种半导体存储器装置和/或制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种包括静态随机存取存储器(sram)单元的半导体存储器装置和/或制造该半导体存储器装置的方法。
背景技术：
1、半导体装置由于其诸如紧凑性、多功能性和/或低制造成本的特性而作为电子工业中的重要元件引起了关注。半导体装置可以涵盖存储逻辑数据的半导体存储装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置、以及具有存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体装置中的一种或多种。随着电子工业的进步，半导体装置已经越来越需要或用于高度集成。例如，半导体装置已经越来越被要求或被期望高可靠性、高速度和/或多功能性。为了满足这些要求的特性，半导体装置逐渐变得越来越复杂并更加集成。
技术实现思路
1、本发明构思的各种示例实施例提供了一种具有改善的电特性和/或增加的集成度的半导体存储器装置。
2、可替换地或附加地，本发明构思的一些示例实施例提供了一种制造具有改善的电特性和/或增加的集成度的半导体存储器装置的方法。
3、根据各种示例实施例，一种半导体存储器装置可以包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；下有源区，其在第一表面上，其中，下有源区包括第一下栅电极和与第一下栅电极间隔开的第一下有源接触件；上有源区，其在下有源区上，其中，上有源区包括第一上栅电极和与第一上栅电极间隔开的第一上有源接触件，其中，第一上有源接触件与第一下有源接触件的至少一部分竖直地重叠；第一连接结构，其将第一上有源接触件竖直地连接到第一下有源接触件；第一金属层，其在第一表面上；以及背侧金属层，其在第二表面上。第一上栅电极和第一下栅电极可以连接以构成或以形成第一栅电极。第一金属层包括将第一栅电极电连接到第一上有源接触件的第一节点线。
4、可替换地或附加地，根据各种示例实施例，半导体存储器装置可以包括在衬底上的sram单元。该sram单元可以包括：背侧金属层；下有源区，其在背侧金属层上；上有源区，其在下有源区上；以及第一金属层，其在上有源区上。下有源区包括以1×4的布置方式布置的四个第一fet。上有源区包括以1×4的布置方式布置的四个第二fet。第一fet可以包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。第二fet可以包括第一传输门晶体管、第二传输门晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管。第一下拉晶体管可以在第一上拉晶体管上。第二下拉晶体管可以在第二上拉晶体管上。
5、可替换地或附加地，根据各种示例实施例，一种半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；下有源区，其在第一表面上，其中，下有源区包括下沟道图案和下源极/漏极图案；上有源区，其在下有源区上，其中，上有源区包括上沟道图案和上源极/漏极图案；下栅电极，其在下沟道图案上；上栅电极，其在上沟道图案上；层间电介质层，其在上栅电极和上源极/漏极图案上；下有源接触件，其穿透衬底并电连接到下源极/漏极图案；上有源接触件，其穿透层间电介质层并且电连接到上源极/漏极图案，其中，上有源接触件包括第一部分和除了第一部分之外的第二部分的至少一部分，第一部分与下有源接触件的至少一部分竖直地重叠；背侧金属层，其在衬底的第二表面上，其中，背侧金属层包括地线和电力线；第一金属层，其在层间电介质层上；第一下过孔件，其将地线电连接到下有源接触件；以及第二下过孔件，其将电力线电连接到上有源接触件的第二部分。
1.一种半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一节点线和所述第二节点线具有彼此平行延伸的条形。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，还包括：
7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层还包括位线。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一金属层还包括字线。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，
11.一种半导体存储器装置，其包括在衬底上的静态随机存取存储器单元，
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述四个第一场效应晶体管还包括第一虚设晶体管和第二虚设晶体管。
13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一金属层包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述第一节点线和所述第二节点线具有彼此平行延伸的条形。
15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层包括电力线。
16.一种半导体存储器装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
19.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，还包括切割所述下栅电极和所述上栅电极的切割结构，
20.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
