本公开一般涉及集成电路(ic)结构和装置的领域，并且更具体地，涉及具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管以及用于在纳米带的堆叠体周围产生均匀的氧化物层的高压蒸汽工艺。
背景技术：
1、全环绕栅极(gaa)晶体管，也被称为围绕栅极晶体管，具有在所有侧面围绕沟道区域的栅极材料。gaa晶体管可以是基于纳米带的或基于纳米线的，并且其也可以被称为纳米带晶体管或纳米线晶体管。在纳米带晶体管中，可以在被称为“纳米带”的细长半导体结构的一部分周围提供可以包括一种或多种栅极电极材料以及栅极电介质的栅极堆叠体，从而在纳米带的所有侧面上形成栅极堆叠体。在栅极堆叠体的任一侧上，可以在纳米带的相对端上提供源极区域和漏极区域，从而分别形成这样的晶体管的源极和漏极。基于非平面架构的其他晶体管包括鳍状物形状的晶体管装置，也被称为finfet。
2、在一些纳米带装置制造工艺中，从周围的支撑材料中释放半导体纳米带，并且在半导体纳米带周围重新生长栅极堆叠体，以形成栅极。栅极堆叠体包括由导电栅极电极围绕的一个或多个电介质层。典型地，用于形成栅极电介质的氧化物生长工艺被调节到特定的深宽比，例如，纳米带或纳米线的特定尺寸。即使采用工艺调节，也可能难以控制氧化物生长速率，例如，难以在晶体管中跨越位于不同高度处的多个纳米带实现厚度中的均匀性。
技术实现思路
1.一种集成电路(ic)装置，包括：
2.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一细长结构的基底距所述支撑结构的上表面第一距离，并且所述第二细长结构的基底距所述支撑结构的所述上表面第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。
3.根据权利要求1所述的ic装置，还包括第三细长结构，所述第三细长结构位于所述第二细长结构之上，所述第三细长结构在所述第一方向上延伸，并且所述第三细长结构具有第三氧化物层，所述第三氧化物层具有第三厚度，其中，所述第三厚度处于所述第二厚度的1％以内。
4.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一细长结构包括硅，并且所述第二细长结构包括硅。
5.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一氧化物层包括硅和氧，并且所述第二氧化物层包括硅和氧。
6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，在穿过所述第一细长结构和所述第二细长结构的垂直于所述第一方向的横截面中，所述第一氧化物层包围所述第一细长结构，并且所述第二氧化物层包围所述第二细长结构。
7.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，所述第一厚度是所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的顶部之上的一部分的厚度，并且所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构之下的另一部分具有第三厚度，所述第三厚度处于所述第一厚度的1％以内。
8.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，所述第一厚度是所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的顶部之上的一部分的厚度，并且所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的一侧处的另一部分具有第三厚度，所述第三厚度处于所述第一厚度的1％以内。
9.一种晶体管装置，包括：
10.根据权利要求9所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置具有介于20微安与80微安之间的驱动电流。
11.根据权利要求9所述的晶体管装置，其中，位于所述多个纳米带中的第一纳米带周围的所述氧化物层以及位于所述多个纳米带中的第二纳米带周围的所述氧化物层具有基本上相同的均匀性。
12.根据权利要求11所述的晶体管装置，其中，所述多个纳米带中的所述第一纳米带是所述堆叠体中的最下面的纳米带，并且所述多个纳米带中的所述第二纳米带是所述堆叠体中的最上面的纳米带。
13.根据权利要求9-12中的任何一项所述的晶体管装置，其中，所述堆叠体中的所述多个纳米带中的每个纳米带包括硅。
14.根据权利要求9-12中的任何一项所述的晶体管装置，其中，位于所述多个纳米带中的每个纳米带周围的所述氧化物层包括硅和氧。
15.一种用于形成集成电路(ic)装置的方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：将所述压力室的内部温度增加到介于300摄氏度与550摄氏度之间的最大温度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述最大温度介于400摄氏度与500摄氏度之间。
18.根据权利要求15所述的方法，还包括：在所述压力室内形成蒸汽，所述蒸汽增加所述压力室中的压力。
19.根据权利要求15-18中的任何一项所述的方法，其中，所述氧化物层以基本上均匀的厚度形成在所述细长半导体结构的堆叠体中的每个细长半导体结构周围。
20.根据权利要求15-18中的任何一项所述的方法，其中，位于所述细长半导体结构中的最下面的一个细长半导体结构周围的所述氧化物层具有处于位于所述细长半导体结构中的最顶部的一个细长半导体结构周围的所述氧化物层的厚度的1％以内的厚度。
