实施例涉及半导体器件及其制造方法。
背景技术：
1、半导体器件可以包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)构成的集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和缩小的设计规则的半导体器件日益增长的需求，mos-fet正在积极地缩小。
技术实现思路
1、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案，所述沟道图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述多个半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上；和阻挡层，所述阻挡层位于所述源极/漏极图案和所述有源图案之间，其中，所述源极/漏极图案包括朝向所述多个半导体图案突出的突出侧表面，所述阻挡层包括硅锗(sige)，并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极/漏极图案的锗浓度。
2、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一沟道图案和第二沟道图案，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案位于所述有源图案上，所述第一沟道图案包括第一纳米片并且所述第二沟道图案包括第二纳米片；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述第一沟道图案和所述第二沟道图案之间；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述第一沟道图案上并且所述第二栅电极位于所述第二沟道图案上；和阻挡层，所述阻挡层与所述源极/漏极图案的底表面接触，其中，所述第一栅电极包括位于所述第一纳米片上的第一内部电极，所述第二栅电极包括位于所述第二纳米片上的第二内部电极，所述源极/漏极图案包括：第一部分，所述第一部分位于所述第一纳米片和所述第二纳米片之间；和第二部分，所述第二部分位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间，所述第一部分具有第一宽度并且所述第二部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述阻挡层包括硅锗(sige)，并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极/漏极图案的锗浓度。
3、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括nmosfet区；有源图案，所述有源图案位于所述nmosfet区上；沟道图案和源极/漏极图案，所述沟道图案和所述源极/漏极图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；阻挡层，所述阻挡层位于所述源极/漏极图案和所述有源图案之间；栅电极，所述栅电极位于所述沟道图案上，所述栅电极包括位于所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间的内部电极；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅电极和所述沟道图案之间；内部间隔物，所述内部间隔物位于所述内部电极和所述源极/漏极图案之间；栅极间隔物，所述栅极间隔物位于所述栅电极的侧表面上；栅极覆盖图案，所述栅极覆盖图案位于所述栅电极的顶表面上；栅极切割图案，所述栅极切割图案穿透所述栅电极；层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述栅极覆盖图案和所述栅极切割图案上；有源接触，所述有源接触穿透所述层间绝缘层，并且电连接到所述源极/漏极图案；金属-半导体化合物层，所述金属-半导体化合物层位于所述有源接触和所述源极/漏极图案之间；栅极接触，所述栅极接触穿透所述层间绝缘层和所述栅极覆盖图案，并且电连接到所述栅电极；和第一金属层，所述第一金属层位于所述层间绝缘层上，其中，所述第一金属层包括：电力线，所述电力线与所述栅极切割图案垂直交叠；和第一互连线，所述第一互连线分别电连接到所述有源接触和所述栅极接触，所述阻挡层包括硅锗(sige)，并且所述阻挡层覆盖所述内部间隔物的侧表面的至少一部分。
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的锗浓度的范围为5at％至10at％。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的平均厚度小于所述多个半导体图案的平均厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极图案的突出侧表面具有倒圆轮廓或角形轮廓。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括内部间隔物，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的顶表面与所述源极/漏极图案的底表面直接接触。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个半导体图案包括与所述源极/漏极图案接触的凹形侧表面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括牺牲层，其中：
9.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一部分的突出侧表面朝向所述第一纳米片和所述第二纳米片突出。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述第一内部电极和所述源极/漏极图案之间以及所述第二内部电极和所述源极/漏极图案之间的内部间隔物，
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的锗浓度的范围为5at％至10at％。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一部分的突出侧表面具有倒圆轮廓或角形轮廓。
14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一纳米片和所述第二纳米片均包括凹形侧表面。
15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的平均厚度小于所述第一纳米片和所述第二纳米片的平均厚度。
16.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的锗浓度的范围为5at％至10at％。
18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极图案包括朝向所述多个半导体图案突出的突出侧表面。
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述突出侧表面具有倒圆轮廓或角形轮廓。
20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的顶表面与所述源极/漏极图案的底表面直接接触。
