本发明涉及具备具有半导体元件的基板和多个主端子的半导体装置。
背景技术：
1、以往，半导体装置具备具有igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)等半导体元件的基板。这种半导体装置在基板的一侧配置有与外部导体连接的正极端子、负极端子等主端子(例如，参照专利文献1～3)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-120975号公报
5、专利文献2：国际公开第2021/033565号
6、专利文献3：国际公开第2013/128787号
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、然而，在半导体装置中，若主电路电感增加，则会产生浪涌电压的产生等问题。相伴于此，还会产生需要能够确保高电压、耐热的半导体元件的构造等问题。
3、另外，上述的正极端子、负极端子等主端子与基板连接，因此，主端子的宽度越宽，则基板上的电路层越扩大，进而使半导体装置大型化。
4、本发明的目的在于提供一种能够简化构造并且能够实现电感降低的半导体装置。
5、用于解决问题的方案
6、在一技术方案中，半导体装置具备：基板，其具有半导体元件；以及第1主端子和第2主端子，其相对于所述基板位于与该基板的搭载所述半导体元件的搭载面平行的第1方向上的一侧，所述第1主端子具有：第1外部连接部分，其与外部导体连接；以及第1狭窄部分，其在与所述搭载面平行且与所述第1方向正交的第2方向上的宽度窄于所述第1外部连接部分在该第2方向上的宽度，该第1狭窄部分与所述基板连接，所述第2主端子具有：第2外部连接部分，其与外部导体连接；以及第2狭窄部分，其在所述第2方向上的宽度窄于所述第2外部连接部分在该第2方向上的宽度，该第2狭窄部分与所述基板连接，所述第1狭窄部分的所述第2方向上的中心位于比所述第1外部连接部分的所述第2方向上的中心靠所述第2主端子侧的位置，所述第2狭窄部分的所述第2方向上的中心位于比所述第2外部连接部分的所述第2方向上的中心靠所述第1主端子侧的位置。
7、发明的效果
8、根据上述技术方案，能够简化构造并且能够实现电感降低。
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
