本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术：
1、多层陶瓷电容器(mlcc)(一种多层电子组件的)可以是安装在各种电子产品(诸如成像装置(诸如，液晶显示器(lcd)和等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话、信息娱乐系统、汽车系统)的印刷电路板上并且用于充电或放电的片式电容器。
2、根据所需要的特性，多层陶瓷电容器可分类为使用cazro3基顺电性的(ca1-xsrx)(zr1-ytiy)o3(cszt，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5)作为介电层的主成分的类i(温度补偿型)，以及通过使用具有晶体结构的铁电性的batio3(bt)作为介电层的主成分的类ii(具有高κ特性)。
3、随着电子产品已被设计为具有减小且纤薄的尺寸以及更多的功能，也已要求片式组件具有更小的尺寸，并且电子组件的安装也已高度集成。此外，当电子产品应用于汽车系统时，电子产品可能暴露于高热和振动，使得可能需要更高的可靠性。
4、因此，可能需要改善多层陶瓷电容器的电气特性和可靠性，以适合于各种目的。
技术实现思路
1、本公开的一些示例实施例可改善包括cszt作为介电层的主成分的多层电子组件的介电特性。
2、本公开的一些示例实施例可改善包括cszt作为介电层的主成分的多层电子组件的可靠性(诸如耐压特性和温度-电容特性)。
3、根据本公开的一些示例实施例的多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层交替地设置；外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括包含钙(ca)、锶(sr)、锆(zr)和钛(ti)的主成分以及包含锰(mn)、钇(y)和硅(si)的副成分，其中，所述介电层包括多个介电晶粒和晶界，所述晶界设置在相邻的介电晶粒之间，并且所述多个介电晶粒的至少一部分具有核-壳结构，并且其中，当在所述核-壳结构中，相对于包括在所述核-壳结构中的核和壳中的100摩尔锆(zr)，包括在所述核中的钇(y)的含量定义为yc，并且相对于包括在所述核和所述壳中的100摩尔锆(zr)，包括在所述壳中的钇(y)的含量定义为ys时，满足ys/yc＞9。
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层还包括位于所述晶界的至少一部分处的次要成分。
3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，在所述介电层中，由所述次要成分占据的面积分数大于等于2.27％且小于等于2.57％。
4.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括多个次要成分，并且所述多个次要成分的平均面积大于等于0.104μm2且小于等于0.170μm2。
5.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述次要成分包括钙、锶、钇和硅。
6.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，在所述介电层中，基于除氧之外的全部元素的总含量，包括在除了形成所述次要成分的区域之外的区域中的硅的含量为0.05at％或更低。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，基于包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中的100摩尔锆，包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中锰的含量大于等于2.68摩尔且小于等于2.83摩尔。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，基于包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中的100摩尔锆，包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中钇的含量大于等于2.26摩尔且小于等于3.33摩尔，或者基于包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中的100摩尔锆，包括在所述介电晶粒的所述核和所述壳中的硅或锰的含量大于等于2.68摩尔且小于等于2.83摩尔。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，具有所述核和所述壳的介电晶粒的平均尺寸与所述核的平均尺寸的比值大于等于2且小于等于2.57。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电晶粒的平均粒径大于等于444nm且小于等于506nm。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层还包含铝(al)和/或镁(mg)。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层还包含铪(hf)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铽(tb)或钒(v)中的一种或多种。
