本公开的示例实施方式涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。
背景技术：
1、需要能够在需要数据存储的数据存储系统中存储高容量数据的半导体器件。因此，研究了用于增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为用于增加半导体器件的数据存储容量的方法，提出了包括三维设置的存储器单元而不是二维设置的存储器单元的半导体器件。
技术实现思路
1、实施方式涉及一种半导体器件，其包括：第一半导体结构，包括基板、在基板上的电路器件和在电路器件上的电路互连线；以及第二半导体结构，在第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域，其中第二半导体结构包括：板层；在垂直于板层的上表面的第一方向上在板层上堆叠且彼此间隔开的栅电极；与栅电极交替设置的层间绝缘层；沟道结构，在第一区域中穿透栅电极和层间绝缘层、在第一方向上延伸、且每个包括沟道层；以及接触插塞，在第二区域中穿透栅电极和层间绝缘层、在第一方向上延伸、且将栅电极分别电连接到电路互连线的一部分，每个沟道结构包括从下部依次堆叠的第一沟道部分和第二沟道部分，每个接触插塞包括从下部依次堆叠的第一接触部分和第二接触部分，第一沟道部分和第二沟道部分之间的第一界面表面在第一水平上，第一接触部分和第二接触部分之间的第二界面表面在高于第一水平的第二水平上，第二界面表面在层间绝缘层之中的第一层间绝缘层中。
2、实施方式涉及一种半导体器件，其包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上，并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；以及接触插塞，在第一方向上延伸并且电连接到栅电极之一，其中第二堆叠结构包括在最下部的第一栅电极、在第一栅电极上的第一层间绝缘层和在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，第一层间绝缘层具有第一厚度，第二层间绝缘层具有小于第一厚度的第二厚度。
3、实施方式涉及一种数据存储系统，其包括：半导体存储器件，包括包含电路器件的第一半导体结构、在第一半导体结构的一个表面上的第二半导体结构、以及电连接到电路器件的输入/输出垫；以及控制器，通过输入/输出垫电连接到半导体存储器件并且配置为控制半导体存储器件，其中第二半导体结构包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；以及接触插塞，穿透栅电极、在第一方向上延伸、且电连接到栅电极之一，沟道结构包括穿透第一堆叠结构的第一沟道部分和穿透第二堆叠结构的第二沟道部分，接触插塞包括穿透第一堆叠结构的第一接触部分和穿透第二堆叠结构的至少一部分的第二接触部分，第一沟道部分和第二沟道部分之间的第一界面表面在第一水平上，第一接触部分和第二接触部分之间的第二界面表面在高于第一水平的第二水平上。
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一界面表面在所述栅电极之中的在所述第一层间绝缘层下方的第一栅电极的下表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一厚度在从所述第二厚度的1.5倍至2.7倍的范围内。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述接触插塞的至少一个中，所述第一接触部分和所述第二接触部分在水平方向上彼此偏移。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触部分包括上部区域和下部区域，所述上部区域具有朝向所述板层减小的宽度，所述下部区域在所述上部区域下方并且具有朝向所述板层增大的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述接触插塞的至少一个中，所述第一接触部分在上表面上具有第一直径，所述第二接触部分在上表面上具有小于所述第一直径的第二直径。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述接触插塞包括在所述第一方向上延伸的垂直延伸部分以及从所述垂直延伸部分水平延伸并且与所述栅电极之一接触的水平延伸部分。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中：
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一界面表面在比所述第一栅电极的上表面的水平低的水平上，所述第二界面表面在比所述第一栅电极的所述上表面的所述水平高的水平上。
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第二界面表面在所述第一层间绝缘层中。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一界面表面在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间的界面表面上。
19.一种数据存储系统，包括：
20.根据权利要求19所述的数据存储系统，其中：
