本发明涉及一种镀膜的制造方法。
背景技术：
1、传统上所谓印刷基板或封装基板，其基板的基础材料以混合有树脂和玻璃布的材料作为中心。传统材料中，通过电解镀铜形成电路的基底膜使用无电解镀铜工艺。
2、【现有技术文献】
3、【专利文献】
4、【专利文献1】日本特开2005-256122号公报
技术实现思路
1、【发明要解决的课题】
2、随着电子设备的通信高速化，推进在印刷基板、封装基板的领域中的高密度化，在翘曲、热膨胀系数、平滑性、介电常数、成本等方面，各种规格要求内容的水准不断提高。由于为了通信的高速化而使用高频，基板的平滑性很重要。因此，作为基板的基础材料，不再使用以往的混合有树脂和玻璃布的材料，而开始使用平滑性优异的玻璃(例如，专利文献1)。
3、为了对玻璃基板实施电解铜用基底镀，采用传统的无电解镀铜工艺，难以获得充分的析出和密合。即使对像这样平滑性优异的玻璃基材应用传统工艺，也难以获得可呈现良好密合性的镀膜。因此，在玻璃基板上形成电路时，在基底膜上进行铜溅射工艺，而非无电解镀铜工艺。然而，本发明人等的研究结果还发现，由于铜溅射工艺缺乏对存在于印刷基板或封装基板的通孔(through-hole)内的覆盖性，在之后的电解镀铜工艺中有时镀铜不析出，或者，有时与玻璃基板的密合性不充分。进一步地，溅射装置价格昂贵，不适合量产。
4、如以上所述，本发明人等研究发现，传统技术中，在制造对玻璃基板呈现良好密合性的镀膜这方面，有改善的余地。
5、本发明的目的在于，提供一种镀膜的制造方法，其可解决本发明人等新发现的上述课题，能够制造对玻璃基板呈现良好密合性的镀膜。
6、【解决课题的手段】
7、本发明(1)涉及一种镀膜的制造方法，其包括工序(1)：在玻璃基板的表面形成金属氧化物层，
8、工序(2)：上述工序(1)之后，进行第1次热处理，
9、工序(3)：上述工序(2)之后，在金属氧化物层上形成无电解铜镀膜，
10、工序(4)：上述工序(3)之后，进行第2次热处理，以及，
11、工序(5)：上述工序(4)之后，在无电解铜镀膜上形成电解铜镀膜。
12、本发明(2)涉及根据本发明(1)所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(1)为包含下述工序(1-2)、(1-3)且依次进行下述工序(1-2)、(1-3)的工序。
13、工序(1-2)：向玻璃基板的表面赋予催化剂。
14、工序(1-3)：在玻璃基板的表面形成金属氧化物层。
15、本发明(3)涉及根据本发明(1)或(2)所述的镀膜的制造方法，其中，所述金属氧化物是含有锌的氧化物。
16、本发明(4)涉及根据本发明(1)～(3)中任一项所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(1)是使用含有锌离子、硝酸根离子和氨硼烷化合物的水溶液，形成金属氧化物层的工序。
17、本发明(5)涉及根据本发明(1)～(4)中任一项所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(3)为包含下述工序(3-1)、(3-2)且依次进行下述工序(3-1)、(3-2)的工序。
18、工序(3-1)：向金属氧化物层的表面赋予催化剂。
19、工序(3-2)：在施加热处理后的金属氧化物层上形成无电解铜镀膜。
20、本发明(6)涉及根据本发明(1)～(5)中任一项所述的镀膜的制造方法，其中，进行所述工序(4)的气氛是非活性气体气氛。
21、本发明(7)涉及根据本发明(1)～(6)中任一项所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(5)是使用ph 2.0以下的电解镀铜浴，形成电解铜镀膜的工序。
22、【发明效果】
23、根据本发明，其为镀膜的制造方法，包括：工序(1)：在玻璃基板的表面形成金属氧化物层，工序(2)：上述工序(1)之后，进行第1次热处理，工序(3)：上述工序(2)之后，在金属氧化物层上形成无电解铜镀膜，工序(4)：上述工序(3)之后，进行第2次热处理，以及，工序(5)：上述工序(4)之后，在无电解铜镀膜上形成电解铜镀膜；由此，能够制造对玻璃基板呈现良好密合性的镀膜。
1.一种镀膜的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(1)为包括下述工序(1-2)、(1-3)且依次进行下述工序(1-2)、(1-3)的工序，
3.根据权利要求1或2所述的镀膜的制造方法，其中，所述金属氧化物为含有锌的氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(1)为使用含有锌离子、硝酸根离子和氨硼烷化合物的水溶液，形成金属氧化物层的工序。
5.根据权利要求1或2所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(3)为包含下述工序(3-1)、(3-2)且依次进行下述工序(3-1)、(3-2)的工序，
6.根据权利要求1或2所述的镀膜的制造方法，其中，进行所述工序(4)的气氛为非活性气体气氛。
7.根据权利要求1或2所述的镀膜的制造方法，其中，所述工序(5)为使用ph 2.0以下的电解镀铜浴，形成电解铜镀膜的工序。
