各种示例实施例涉及一种等离子体处理装置。
背景技术：
1、等离子体被广泛用于半导体器件制造工艺，例如蚀刻工艺和/或薄膜沉积工艺和/或灰化工艺。蚀刻工艺是去除形成在衬底上的膜的选定区域的工艺，并且可以以湿法蚀刻或干法蚀刻的方式进行。使用等离子体的蚀刻装置可以用于干蚀刻。
2、为了产生等离子体，在处理腔室的内部空间中产生电场，以将包含在处理腔室中的工艺气体激发成等离子体状态。特别是，为了在蚀刻装置内产生足够的等离子体密度，倾向于使用高输出高频来供应用于产生等离子体的电力。例如，使用具有预定或动态确定的频率和强度的电磁波形式的rf(射频)电容耦合等离子体(ccp)和/或电感耦合等离子体(icp)源作为等离子体源。
3、当使用高输出高频rf作为等离子体源时，除了在产生等离子体时涉及的独特频率信号之外，还可能产生谐波分量。基于工艺评估数据已经认识到：谐波分量影响腔室中等离子体的均匀性，并且因此可能对使用等离子体的工艺的性能和结果具有显著影响。因此，正在研究去除处理腔室内产生的谐波分量或适当地控制谐波分量以提高使用等离子体的工艺的性能的方案。
技术实现思路
1、各种示例实施例可以提供一种能够有效地或更有效地控制在腔室中产生的谐波信号的等离子体处理装置。
2、根据各种示例实施例的目的和/或特征不限于上述特征。根据各种示例实施例的未提及的其他目的和/或优点可以基于以下描述而被理解，和/或可以根据各种示例实施例被更清楚地理解。此外，可以容易地理解，根据各种示例实施例的目的和/或优点可以使用权利要求中示出的各种方法及其组合来实现。
3、根据各种示例实施例，提供了一种等离子体处理装置，包括被配置为在其中容纳电极的喷头、以及在喷头上的可变阻抗控制器。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的圆周布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。可变阻抗控制器被配置为：通过随着第一构件和第二构件之间的至少一个接触点根据第二构件的旋转而改变，改变由第一构件和第二构件产生的阻抗来控制阻抗。备选地或附加地，根据各种示例实施例，提供了一种等离子体处理装置，包括：喷头，被配置为容纳电极；以及可变阻抗控制器，围绕喷头并且在喷头上。可变阻抗控制器包括：第一构件，包括：第一主体，与喷头间隔开并围绕喷头，以及多个第一电极，从第一主体分支并且彼此间隔开，其中多个第一电极中的每个第一电极朝第一主体的中心延伸。可变阻抗控制器还包括：第二构件，包括：第二主体，在喷头上，以及多个第二电极，从第二主体分支并且彼此间隔开，其中多个第二电极中的每个第二电极朝第一构件的第一主体延伸。第二构件位于第一构件上并且被配置为在第一构件上旋转。
4、备选地或附加地，根据各种示例实施例，提供了一种等离子体处理装置，包括：腔室，包括第一区域，该第一区域被配置为具有被配置为在其中布置有上电极的喷头、和与上电极相对布置的下电极；衬底支撑模块，在腔室中，并被配置为在衬底支撑模块上支撑衬底；供气模块，被配置为向腔室中供应工艺气体；电源模块，被配置为产生具有第一频率的第一射频(rf)信号，并将第一rf信号施加到下电极；可变阻抗控制器，在腔室上，并被配置为控制腔室中产生的谐波的阻抗。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的外边缘布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。随着第二构件旋转，第一构件和第二构件之间的至少一个接触点改变，使得由第一构件和第二构件产生的阻抗改变。
5、应当注意的是，各种示例实施例的效果不限于上面描述的那些，并且从下面的描述中各种示例实施例的其他效果将变得显而易见。
1.一种等离子体处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第一构件包括：
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，所述第二构件包括：
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述可变阻抗控制器被配置为进行操作，使得随着所述第二构件旋转，所述第二电极接触对应的第一电极的第二部分电极，然后接触所述对应的第一电极的第一部分电极。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
8.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，还包括：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，所述电容器包括真空可变电容器。
10.一种等离子体处理装置，包括：
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中所述可变阻抗控制器被配置为进行操作，使得随着所述第二构件旋转，改变所述第一构件和所述第二构件之间的至少一个接触点。
12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，在所述喷头和所述第一主体之间存在绝缘体。
13.一种等离子体处理装置，包括：
14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其中，
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，
16.根据权利要求15所述的等离子体处理装置，其中，所述第一长度与所述第二区域在所述第一方向上的长度之比为1/2或更小。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置被配置为进行操作，使得所述第一区域处于真空状态，并且所述第二区域处于非真空状态。
18.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，
19.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其中所述电源模块被配置为产生具有低于所述第一频率的第二频率的第二rf信号，并且
20.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其中，
