本申请的实施例涉及半导体器件及其操作方法。
背景技术：
1、具有金属熔丝的存储器件用于各种应用，例如一次性编程，以即使当存储器件断电时也存储数据。然而，存储器件的尺寸非常大，因为它们包括能够处理金属熔丝大电流的大晶体管。然而，在操作时，存储器件可能会产生较大的漏电流，从而降低了存取存储数据的准确性。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：字线；第一位线；第二位线；第一晶体管；第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管的栅极电连接至字线；第一电路，电连接在第一晶体管的漏极与第一位线之间；第二电路，电连接在第二晶体管的漏极与第二位线之间；以及第三晶体管，电连接在第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极之间。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：字线；第一位线；第二位线；第一共源共栅门控线；第一晶体管；第二晶体管，电连接至第一晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管的栅极电连接至字线，并且第一晶体管和第二晶体管的源极电连接至电源；第三晶体管，电连接至第一晶体管和第二晶体管的漏极；第一电路，电连接在第一晶体管的漏极与第一位线之间；第二电路，电连接在第二晶体管的漏极与第二位线之间；第四晶体管，电连接在第一晶体管和第一电路之间，其中，第四晶体管电连接至第一共源共栅门控线和第一位线。
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种操作半导体器件的方法，包括：在第一位线上设置第一位线信号；在第一字线上设置第一字线信号；在第一电源门控线上设置第一电源门控线信号；在第二位线上设置第二位线信号；在第二字线上设置第二字线信号；在第二电源门控线上设置第二电源门控线信号；以及在存储器单元中设置逻辑数据值，从而执行存储器单元的编程操作。
1.一种半导体器件(100a、200a、300)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三晶体管的尺寸不同于所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三晶体管被配置为在所述半导体器件的编程操作期间导通，并且所述第三晶体管被配置为在所述半导体器件的读操作期间截止。
4.根据权利要求1所述的半导体器件(300)，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件中的存储器单元的写入操作期间，施加到所述字线、所述第一共源共栅门控线或所述第二共源共栅门控线的第一电压不同于施加到所述第一位线或所述第二位线的第二电压。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件中的存储器单元的写入操作期间，施加到所述字线、所述第一共源共栅门控线或所述第二共源共栅门控线的第一电压基本上是施加到所述第一位线或所述第二位线的第二电压的一半。
7.根据权利要求1所述的半导体器件(200a)，还包括：
8.一种半导体器件(500a、500b)，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第三晶体管被配置为在所述半导体器件的编程操作期间导通，并且所述第三晶体管被配置为在所述半导体器件的读操作期间截止。
10.一种操作半导体器件的方法，包括：
