本申请涉及半导体薄膜沉积，例如涉及一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备。
背景技术：
1、目前，在现有的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)薄膜制程中，由于等离子体具有扩散特性，导致不仅会在晶圆表面形成薄膜，也会在喷淋板的表面、反应腔的侧壁以及加热盘的底部形成沉积。
2、因此，在制程结束后后需要进行反应腔清洁，现有的pecvd清洁方式一般为使用远程等离子体源(remote plasma source，rps)进行腔室清洗。即清洁气体通过远程等离子体源激活后，流经喷淋板后均匀扩散，以充分清洁反应腔、加热盘等。
3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
4、相关技术中的rps腔室清洗过程由于喷淋板阻隔或者rps管路过长等原因，会引起清洁气体中的离子碰撞复合损耗。这样，就会导致反应腔的侧壁以及加热盘的底部无法清洗干净，导致rps的清洗效率较低。进而导致半导体工艺的不稳定、产能低以及颗粒物沉积等技术问题。
5、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
2、本公开实施例提供一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备，以充分清洗反应腔的侧壁以及加热盘的底部，并提高rps的清洗效率、设备产能及工艺稳定性。
3、在一些实施例中，所述半导体处理腔室，包括：腔体，在所述腔体的侧壁上设置有进气口；远程等离子体源，与所述进气口相连通，所述远程等离子体源通过所述进气口向所述腔体内输入清洁气体。
4、可选地，所述进气口的数量为多个，其中，多个所述进气口分别沿所述腔体的侧壁上的不同位置设置。
5、可选地，所述进气口的数量为2n个或者2n+1个，其中，所述n为大于等于1的正整数。
6、可选地，多个所述进气口沿所述腔体的侧壁呈直线间隔设置；或者，多个所述进气口沿所述腔体的侧壁呈交错间隔设置。
7、可选地，多个所述进气口之间呈等间距设置；或者，多个所述进气口之间呈非等间距设置。
8、可选地，多个所述进气口之间的孔径均为等口径设置；或者，多个所述进气口之间的孔径均为非等口径设置。
9、可选地，多个所述进气口围绕所述腔体的侧壁设置；多个所述进气口之间连接有带状气体通道，所述带状气体通道沿所述腔体的侧壁延伸并与所述远程等离子体源相连通。
10、可选地，所述进气口设置于所述腔体的侧壁沿竖直方向的中点处。
11、可选地，所述半导体处理腔室，还包括：一个或多个观察窗，其中，一个或多个观察窗与进气口对应设置。
12、可选地，所述半导体处理腔室还包括：出气口，设置于所述远程等离子体源并与所述腔体的进气口对应；第一连接件，与设置于所述进气口的第一法兰相连通，并通过第一拆卸件与所述第一法兰限位连接；第二连接件，与设置于所述出气口的第二法兰相连通，并通过第二拆卸件与所述第二法兰限位连接。
13、可选地，所述半导体处理腔室还包括：运动件，设置于所述半导体处理腔室的机架上，并与所述远程等离子体源连接，用于在所述第二拆卸件为打开状态的情况下，带动所述远程等离子体源和所述第二法兰向远离所述腔体的方向运动。
14、可选地，所述运动件包括：固定部，限位安装在所述半导体处理腔室的机架上；旋转部，一端与所述固定部可转动连接，另一端通过安装孔与所述远程等离子体源固定连接，并且设置有用于供所述第二法兰穿过的通孔。
15、可选地，所述半导体处理腔室还包括：截止阀，设置于所述第一连接件和第二连接件之间。
16、在一些实施例中，所述半导体镀膜设备，包括如本申请所述的半导体处理腔室，其中，所述半导体镀膜设备包括刻蚀设备、化学气象沉积设备或原子层沉积设备。
17、本公开实施例提供的半导体处理腔室及半导体镀膜设备，可以实现以下技术效果：
18、通过在半导体处理腔室的侧壁安装额外的远程等离子体源rps，以将用于清洗的清洁气体直接、快速地输入至腔体内，从而缩短了清洁气体中的等离子体和薄膜接触反应的距离，提高了rps的清洗效率、设备产能及工艺稳定性。
19、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
8.根据权利要求1或7所述的半导体处理腔室，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体处理腔室，其特征在于，所述运动件，包括：
13.根据权利要求10所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
14.一种半导体镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的半导体处理腔室，其中，所述半导体镀膜设备包括刻蚀设备、化学气相沉积设备或原子层沉积设备。
