本发明涉及电能变换，且特别是有关于一种无桥降压型功率因数校正电路。
背景技术：
1、随着电力电子技术的发展，输入容性滤波器的大量使用会导致电网严重的谐波污染，因此，目前大多数交流/直流（ac/dc）变换电源都需要使用功率因数校正电路（pfc）来使输入电流波形接近正弦波，普遍采用的升压型功率因数校正电路（boost pfc），其能提高电流功率因数，降低电流谐波，但在宽范围输入应用场合，升压型功率因数校正电路需要较大增益来满足功能实现，因此效率较低。
2、同传统的升压型功率因数校正电路相比，降压型功率因数校正电路能够在整个宽输入电压范围内保持一个较高的效率，但由于前级需要连接整流桥进行交流直流变换，会存在整流桥导致低输入电压时降压型功率因数校正电路效率低的问题。
技术实现思路
1、本发明旨在提供一种无桥降压型功率因数校正电路，能够实现整个宽输入电压范围内效率的提高。
2、为达到上述目的，本发明技术方案是：
3、一种无桥降压型功率因数校正电路，包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一绕组、第二绕组与第一电感，所述第一开关的第一端连接交流电的第一端，所述第一开关的第二端连接所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端连接所述第二绕组的第一端，所述第二绕组的第二端连接所述第二开关的第二端，所述第二开关的第一端连接所述交流电的第二端；所述第三开关与所述第一绕组、所述第一电感以及负载的串联支路并联，所述第四开关与所述第二绕组、所述第一电感以及负载的串联支路并联。
4、上述一种无桥降压型功率因数校正电路，还包括第一电容与第二电容，所述第一电容与所述第一开关、所述第三开关的串联支路并联；所述第二电容与所述第二开关、所述第四开关的串联支路并联。
5、上述一种无桥降压型功率因数校正电路，还包括第三绕组、第三二极管、第四二极管、第五二极管与第六二极管，所述第三绕组的第一端连接所述第五二极管的阳极与所述第六二极管的阴极，所述第三绕组的第二端连接所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极，所述第三二极管的阴极连接所述第五二极管的阴极，所述第四二极管的阳极连接所述第六二极管的阳极，所述第五二极管的阴极连接负载的第一端，所述第六二极管的阳极连接负载的第二端。
6、在一具体实施例中，上述第三开关与上述第四开关为二极管。
7、进一步地，上述第一绕组与上述第二绕组的匝数相等。
8、进一步地，上述第一绕组的第一端与上述第二绕组的第一端为同名端。
9、在一具体实施例中，所述第一开关与所述第二开关为mosfet，所述第一开关的第一端为mosfet的漏极，所述第一开关的第二端为mosfet的源极；所述第二开关的第一端为mosfet的漏极，所述第二开关的第二端为mosfet的源极。
10、在一具体实施例中，上述第三绕组的第一端为同名端。
11、有益效果，本发明一种无桥降压型功率因数校正电路，能够实现整个宽输入电压范围内效率的提高；同时能够抑制开关与二极管的电压尖峰。
12、为让发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
1.一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一绕组、第二绕组与第一电感，所述第一开关的第一端连接交流电的第一端，所述第一开关的第二端连接所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端连接所述第二绕组的第一端，所述第二绕组的第二端连接所述第二开关的第二端，所述第二开关的第一端连接所述交流电的第二端；所述第三开关与所述第一绕组、所述第一电感以及负载的串联支路并联，所述第四开关与所述第二绕组、所述第一电感以及负载的串联支路并联。
2.如权利要求1所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，还包括第一电容与第二电容，所述第一电容与所述第一开关、所述第三开关的串联支路并联；所述第二电容与所述第二开关、所述第四开关的串联支路并联。
3.如权利要求1所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，还包括第三绕组、第三二极管、第四二极管、第五二极管与第六二极管，所述第三绕组的第一端连接所述第五二极管的阳极与所述第六二极管的阴极，所述第三绕组的第二端连接所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极，所述第三二极管的阴极连接所述第五二极管的阴极，所述第四二极管的阳极连接所述第六二极管的阳极，所述第五二极管的阴极连接负载的第一端，所述第六二极管的阳极连接负载的第二端。
4.如权利要求1-3任一项所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，所述第三开关与所述第四开关为二极管。
5.如权利要求4所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，所述第一绕组与所述第二绕组的匝数相等。
6.如权利要求5所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，所述第一绕组的第一端与所述第二绕组的第一端为同名端。
7.如权利要求6所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，所述第一开关与所述第二开关为mosfet，所述第一开关的第一端为mosfet的漏极，所述第一开关的第二端为mosfet的源极；所述第二开关的第一端为mosfet的漏极，所述第二开关的第二端为mosfet的源极。
8.如权利要求3所述一种无桥降压型功率因数校正电路，其特征在于，所述第三绕组的第一端为同名端。
