本揭露是关于基板切割技术，特别是关于具有圆弧轮廓的切割面的基板结构及其切割方法。
背景技术：
1、玻璃可作为承载元件应用于电子装置中，例如作为印刷电路板(printed circuitboard，pcb)中的基板或是2.5d封装体中的中介层(interposer)。然而，玻璃本身是一种硬脆材质，其容易在制造过程中因应力或碰撞而导致龟裂，从而丧失其身为承载元件的功用。是以，虽然现存的以玻璃为载体的基板结构已逐步满足它们既定的用途，但它们并非在各方面都符合要求。因此，仍有需要发展新的基板结构及其切割技术。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供基板结构的切割方法。所述切割方法包括：提供第一基板结构，其中第一基板结构包括玻璃基板及设置于玻璃基板上的重分布层。对玻璃基板执行激光工艺，以形成改质区于玻璃基板上。对玻璃基板的改质区执行湿蚀刻工艺，以移除改质区并形成多个第二基板结构。
2、在一些实施例中，激光工艺包括：以皮秒(pico second)红外光或飞秒(femtosecond)红外光对玻璃基板进行照射，以形成改质区。
3、在一些实施例中，激光工艺包括：沿着玻璃基板的切割道，间断地照射具有第一直径的多个激光聚光点(light spot)于玻璃基板上。
4、在一些实施例中，对玻璃基板执行激光工艺的步骤包括：沿着玻璃基板的厚度方向，由玻璃基板的底表面朝玻璃基板的顶表面，间断地照射具有第一直径的多个激光聚光点。
5、在一些实施例中，多个激光聚光点的中心间距为第一直径的约1/2。
6、在一些实施例中，对玻璃基板执行激光工艺的步骤包括：沿着玻璃基板的厚度方向，由玻璃基板的底表面朝玻璃基板的顶表面，间断地照射具有第一直径的多个第一激光聚光点，直到中间水平高度。继续沿着玻璃基板的厚度方向，由中间水平高度朝玻璃基板的顶表面，间断地照射具有第二直径的多个第二激光聚光点，且第二直径不同于第一直径。
7、在一些实施例中，中间水平高度与底表面之间的垂直距离为玻璃基板的厚度的1/3。
8、在一些实施例中，第一直径为第二直径的1/2。
9、在一些实施例中，多个第一激光聚光点的中心间距为第一直径的约1/2；及/或多个第二激光聚光点的中心间距为第二直径的约1/2。
10、在一些实施例中，对玻璃基板执行激光工艺的步骤包括：沿着玻璃基板的厚度方向，由玻璃基板的底表面朝玻璃基板的顶表面，间断地照射具有第一直径的多个第一激光聚光点。沿着玻璃基板的厚度方向，由玻璃基板的中间水平高度朝玻璃基板的顶表面，间断地照射具有第二直径的多个第二激光聚光点，且多个第二激光聚光点位于多个第一激光聚光点的至少一侧。
11、在一些实施例中，中间水平高度与底表面之间的垂直距离为玻璃基板的厚度的1/2。
12、在一些实施例中，第一直径相同于第二直径。
13、在一些实施例中，多个第二激光聚光点位于多个第一激光聚光点的相对两侧。
14、在一些实施例中，湿蚀刻工艺包括：施加蚀刻剂于玻璃基板的改质区上，其中蚀刻剂包括氢氟酸(hf)及/或氟化胺(nh4f)。
15、在一些实施例中，在对玻璃基板执行激光工艺的步骤之前，基板结构的切割方法还包括：设置保护层以覆盖玻璃基板以及重分布层。对玻璃基板执行激光工艺的步骤包括：通过激光工艺移除保护层的一部分以暴露玻璃基板的一部分，并形成改质区于玻璃基板的部分上。在对玻璃基板的改质区执行湿蚀刻工艺的步骤之后，基板结构的切割方法还包括：移除保护层。
16、在一些实施例中，提供基板结构。所述基板结构包括玻璃基板及重分布层。玻璃基板具有顶表面、底表面及位于顶表面与底表面之间的切割面，其中切割面的透光度低于顶表面及底表面的透光度。重分布层设置于玻璃基板上。其中，切割面具有圆弧轮廓，且切割面由玻璃基板的中间向外突出。
17、在一些实施例中，圆弧轮廓为全圆角(full bullnose)或半圆角(halfbullnose)。
18、在一些实施例中，切割面还具有至少一阶梯部，且至少一阶梯部由玻璃基板的中间向外突出。
19、在一些实施例中，玻璃基板还具有邻近切割面的刻槽(notch)，且刻槽的侧壁的透光度低于顶表面及底表面的透光度。
20、在一些实施例中，刻槽的深度为玻璃基板的厚度的1/3。
21、本揭露的基板结构可应用于多种类型的电子装置中。为让本揭露的特征及优点能更明显易懂，下文特举出各种实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
1.一种基板结构的切割方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中该激光工艺包括：以皮秒红外光或飞秒红外光对该玻璃基板进行照射，以形成该改质区。
3.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中该激光工艺包括：沿着该玻璃基板的切割道，间断地照射具有第一直径的多个激光聚光点于该玻璃基板上。
4.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中对该玻璃基板执行该激光工艺的步骤包括：
5.根据权利要求3或4所述的基板结构的切割方法，其中该些激光聚光点的中心间距为该第一直径的约2/3。
6.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中对该玻璃基板执行该激光工艺的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的基板结构的切割方法，其中该中间水平高度与该底表面之间的垂直距离为该玻璃基板的厚度的1/3。
8.根据权利要求6所述的基板结构的切割方法，其中该第一直径为该第二直径的1/2。
9.根据权利要求6所述的基板结构的切割方法，其中
10.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中对该玻璃基板执行该激光工艺的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的基板结构的切割方法，其中该中间水平高度与该底表面之间的垂直距离为该玻璃基板的厚度的1/2。
12.根据权利要求10所述的基板结构的切割方法，其中该第一直径相同于该第二直径。
13.根据权利要求10所述的基板结构的切割方法，其中该些第二激光聚光点位于该些第一激光聚光点的相对两侧。
14.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中该湿蚀刻工艺包括：施加蚀刻剂于该玻璃基板的该改质区上，其中该蚀刻剂包括氢氟酸(hf)及/或氟化胺(nh4f)。
15.根据权利要求1所述的基板结构的切割方法，其中
16.一种基板结构，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的基板结构，其中该圆弧轮廓为全圆角或半圆角。
18.根据权利要求16所述的基板结构，其中该切割面还具有至少一阶梯部，且该至少一阶梯部由该玻璃基板的中间向外突出。
19.根据权利要求16所述的基板结构，其中该玻璃基板还具有邻近该切割面的刻槽，且该刻槽的侧壁的透光度低于该顶表面及该底表面的透光度。
20.根据权利要求16所述的基板结构，其中该刻槽的深度为该玻璃基板的厚度的1/3。
