本申请涉及射频功率检测，更具体地，涉及一种射频功率检测电路以及射频前端模组。
背景技术：
1、相关技术中，通常使用功率检测电路来检测射频前端模块的输出功率。
2、但是射频前端模块通常要求的工作环境温度范围是-25℃～85℃，或者-40℃～110℃，温度范围较大，功率检测模块会受到温度变化的影响，使得检测得到的射频信号的功率对应的检测电压不够准确。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提出了一种射频功率检测电路以及射频前端模组，以改善上述问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频功率检测电路，该射频功率检测电路包括：射频信号采样模块、第一晶体管、温度跟随模块以及功率检测模块；射频信号采样模块用于采样射频信号，并传输射频信号至第一晶体管的第一端；第一晶体管的第一端连接于射频信号采样模块，第一晶体管的第二端连接于温度跟随模块和第一晶体管的第一端，第一晶体管的第三端连接于功率检测模块；温度跟随模块用于在工作温度变化时，减轻工作温度变化对第一晶体管的第三端的电流的影响；功率检测模块用于在输出端口输出射频信号采样模块采样的射频信号的功率对应的检测电压。
3、可选地，温度跟随模块包括第二晶体管和温度跟随单元；其中，第二晶体管的第一端连接于温度跟随单元的第三端，第二晶体管的第二端用于连接电源，第二晶体管的第三端连接于第一晶体管的第二端；温度跟随单元的第一端连接于电源，温度跟随单元的第二端用于接地。
4、可选地，温度跟随单元包括第三晶体管和第一电阻子单元；其中，第一电阻子单元的第一端用于连接电源；第三晶体管的第一端连接于第二晶体管的第三端，第三晶体管的第二端分别连接于第一电阻子单元的第二端和第二晶体管的第一端，第三晶体管的第三端用于接地。。
5、可选地，温度跟随单元包括至少一个热敏电阻，热敏电阻用于在温度上升时下降温度跟随单元的第三端的电压。
6、可选地，温度跟随单元包括第二电阻子单元和第三电阻子单元；其中，第二电阻子单元的第一端用于连接电源；第三电阻子单元为负温度系数的热敏电阻，第三电阻子单元的第一端分别连接于第二电阻子单元的第二端和第二晶体管的第一端，第三电阻子单元的第二端用于接地。
7、可选地，温度跟随单元包括第四电阻子单元和第五电阻子单元；其中，第五电阻子单元的第二端用于接地；第四电阻子单元为正温度系数的热敏电阻，第四电阻子单元的第一端用于连接电源，第四电阻子单元的第二端分别连接于第五电阻子单元的第一端和第二晶体管的第一端。
8、可选地，温度跟随模块还包括第一电阻单元和第二电阻单元；其中，第一电阻单元的第一端连接于电源，第一电阻单元的第二端连接于第二晶体管的第二端；第二电阻单元的第一端连接于第二晶体管的第三端，第二电阻单元的第二端连接于第一晶体管的第二端。
9、可选地，功率检测模块包括第六电阻子单元、第一电容子单元和输出端口；其中，第六电阻子单元的第一端连接于输出端口，第六电阻子单元的第二端用于接地，第六电阻子单元的第三端连接于第一晶体管的第三端；第一电容子单元的第一端连接于输出端口，第一电容子单元的第二端接地。
10、可选地，第六电阻子单元包括第一电阻和第二电阻；其中，第一电阻的第一端连接于第一晶体管的第三端，第一电阻的第二端连接于输出端口；第二电阻的第一端连接于连接于输出端口，第二电阻的第二端接地。
11、可选地，温度跟随模块包括正温度系数的热敏电阻，热敏电阻的第一端连接于电源，热敏电阻的第二端连接于第一晶体管。
12、可选地，第一晶体管为异质结双极性晶体管，第一晶体管的第一端为基极，第一晶体管的第二端为集电极，第一晶体管的第三端为发射极。
13、可选地，第四晶体管；其中，第四晶体管的第一端连接于第一晶体管的第三端，第四晶体管的第二端用于连接电源，第四晶体管的第三端连接于功率检测模块
14、可选地，电路还包括电阻模块；其中，电阻模块的第一端用于连接电源，电阻模块的第二端连接于第四晶体管的第二端。。
15、第二方面，本申请实施例还提供了一种射频前端模组，包括如第一方面的射频功率检测电路。
16、本申请提供一种射频功率检测电路以及射频前端模组，该射频功率检测电路包括：射频信号采样模块、第一晶体管、温度跟随模块以及功率检测模块；射频信号采样模块用于采样射频信号，并传输射频信号至第一晶体管的第一端；第一晶体管的第一端连接于射频信号采样模块，第一晶体管的第二端连接于温度跟随模块和第一晶体管的第一端，第一晶体管的第三端连接于功率检测模块；温度跟随模块用于在工作温度变化时，减轻工作温度变化对第一晶体管的第三端的电流的影响；功率检测模块用于在输出端口输出射频信号采样模块采样的射频信号的功率对应的检测电压。本申请通过温度跟随模块减轻工作温度变化对第一晶体管的第三端的电流的影响，在温度变化时可以提高射频信号检测电路对射频信号的功率的检测准确度。
1.一种射频功率检测电路，其特征在于，所述电路包括：射频信号采样模块、第一晶体管、温度跟随模块以及功率检测模块；
2.根据权利要求1所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随模块包括第二晶体管和温度跟随单元；其中，
3.根据权利要求2所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随单元包括第三晶体管和第一电阻子单元；其中，
4.根据权利要求2所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随单元包括至少一个热敏电阻，所述热敏电阻用于在温度上升时下降所述温度跟随单元的第三端的电压。
5.根据权利要求4所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随单元包括第二电阻子单元和第三电阻子单元；其中，
6.根据权利要求4所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随单元包括第四电阻子单元和第五电阻子单元；其中，
7.根据权利要求2所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随模块还包括第一电阻单元和第二电阻单元；其中，
8.根据权利要求1所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述功率检测模块包括第六电阻子单元、第一电容子单元和输出端口；其中，
9.根据权利要求8所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述第六电阻子单元包括第一电阻和第二电阻；其中，
10.根据权利要求1所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述温度跟随模块包括正温度系数的热敏电阻，所述热敏电阻的第一端连接于电源，所述热敏电阻的第二端连接于所述第一晶体管。
11.根据权利要求1-10任一项所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为异质结双极性晶体管，所述第一晶体管的第一端为基极，所述第一晶体管的第二端为集电极，所述第一晶体管的第三端为发射极。
12.根据权利要求11所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述电路还包括第四晶体管；其中，
13.根据权利要求12所述的射频功率检测电路，其特征在于，所述电路还包括电阻模块；其中，
14.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的射频功率检测电路。
