本发明涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种晶片堆叠方法。
背景技术：
1、目前，发展出一种晶片堆叠结构。晶片堆叠结构是通过将晶片接合在一起而形成。然而，在将晶片进行接合之后，常会在晶片堆叠结构中的相邻两个晶片之间产生边缘缺陷(edge defect)(如，裂纹及/或气泡)。因此，如何有效地移除边缘缺陷为持续努力的目标。
技术实现思路
1、本发明提供一种晶片堆叠方法，其可有效地移除边缘缺陷。
2、本发明提出一种晶片堆叠方法，包括以下步骤。提供第一晶片。将第二晶片接合于第一晶片，而形成第一晶片堆叠结构。对第一晶片堆叠结构进行第一边缘缺陷检查(edgedefect inspection)，而找出第一边缘缺陷且测量出第一晶片堆叠结构的边缘与第一边缘缺陷的远离第一晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第一距离。从第一晶片堆叠结构的边缘进行范围为第一宽度的第一修整制作工艺，而移除第一边缘缺陷，其中第一宽度大于或等于第一距离。
3、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第一边缘缺陷检查所使用的机台例如是c模式扫描声学显微镜(c-mode scanning acoustic microscope，csam)。
4、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。在进行第一修整制作工艺之后，对第二晶片进行薄化制作工艺。
5、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第二晶片可包括基底穿孔(through-substrate via，tsv)。上述晶片堆叠方法还可包括以下步骤。移除部分第二晶片，而暴露出基底穿孔。在第二晶片上形成重布线层(redistribution layer，rdl)结构。重布线层结构可电连接于基底穿孔。
6、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。在进行第一修整制作工艺之后且在暴露出基底穿孔之前，在第一晶片堆叠结构上形成保护层(passivation layer)。
7、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。将第三晶片接合于第二晶片，而形成第二晶片堆叠结构。对第二晶片堆叠结构进行第二边缘缺陷检查，而找出第二边缘缺陷且测量出第二晶片堆叠结构的边缘与第二边缘缺陷的远离第二晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第二距离。从第二晶片堆叠结构的边缘进行范围为第二宽度的第二修整制作工艺，而移除第二边缘缺陷，其中第二宽度可大于或等于第二距离。
8、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第二宽度可大于第一宽度。
9、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还包括以下步骤。在进行第二修整制作工艺之后，对第三晶片进行薄化制作工艺。
10、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第三晶片可包括基底穿孔。上述晶片堆叠方法还可包括以下步骤。移除部分第三晶片，而暴露出基底穿孔。在第三晶片上形成重布线层结构。重布线层结构可电连接于基底穿孔。
11、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。在进行第二修整制作工艺之后且在暴露出基底穿孔之前，在第二晶片堆叠结构上形成保护层。
12、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。将第四晶片接合于第三晶片，而形成第三晶片堆叠结构。对第三晶片堆叠结构进行第三边缘缺陷检查，而找出第三边缘缺陷且测量出第三晶片堆叠结构的边缘与第三边缘缺陷的远离第三晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第三距离。从第三晶片堆叠结构的边缘进行范围为第三宽度的第三修整制作工艺，而移除第三边缘缺陷，其中第三宽度可大于或等于第三距离。
13、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第三宽度可大于第二宽度。
14、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。在进行第三修整制作工艺之后，对第四晶片进行薄化制作工艺。
15、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第四晶片可包括基底穿孔。上述晶片堆叠方法还可包括以下步骤。移除部分第四晶片，而暴露出基底穿孔。在第四晶片上形成重布线层结构。重布线层结构可电连接于基底穿孔。
16、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。在进行第三修整制作工艺之后且在暴露出基底穿孔之前，在第三晶片堆叠结构上形成保护层。
17、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。提供第三晶片。将第四晶片接合于第三晶片，而形成第二晶片堆叠结构。对第二晶片堆叠结构进行第二边缘缺陷检查，而找出第二边缘缺陷且测量出第二晶片堆叠结构的边缘与第二边缘缺陷的远离第二晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第二距离。从第二晶片堆叠结构的边缘进行范围为第二宽度的第二修整制作工艺，而移除第二边缘缺陷，其中第二宽度可大于或等于第二距离。
18、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，还可包括以下步骤。将第四晶片接合于第二晶片，而形成第三晶片堆叠结构。对第三晶片堆叠结构进行第三边缘缺陷检查，而找出第三边缘缺陷且测量出第三晶片堆叠结构的边缘与第三边缘缺陷的远离第三晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第三距离。从第三晶片堆叠结构的边缘进行范围为第三宽度的第三修整制作工艺，而移除第三边缘缺陷，其中第三宽度可大于或等于第三距离。
19、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第三宽度可大于第一宽度与第二宽度。
20、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第一宽度与第二宽度可为相同宽度。
21、依照本发明的一实施例所述，在上述晶片堆叠方法中，第一宽度与第二宽度可为不同宽度。
22、基于上述，在本发明所提出的晶片堆叠方法中，对包括第一晶片与第二晶片的第一晶片堆叠结构进行第一边缘缺陷检查，而找出第一边缘缺陷(如，裂纹及/或气泡)且测量出第一晶片堆叠结构的边缘与第一边缘缺陷的远离第一晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第一距离。接着，从第一晶片堆叠结构的边缘进行范围为第一宽度的第一修整制作工艺，而移除第一边缘缺陷，其中第一宽度大于或等于第一距离。因此，本发明所提出的晶片堆叠方法可有效地移除第一边缘缺陷，进而提升良率。
23、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
1.一种晶片堆叠方法，包括：
2.如权利要求1所述的晶片堆叠方法，其中所述第一边缘缺陷检查所使用的机台包括c模式扫描声学显微镜。
3.如权利要求1所述的晶片堆叠方法，还包括：
4.如权利要求3所述的晶片堆叠方法，其中所述第二晶片包括基底穿孔，且所述晶片堆叠方法还包括：
5.如权利要求4所述的晶片堆叠方法，还包括：
6.如权利要求1所述的晶片堆叠方法，还包括：
7.如权利要求6所述的晶片堆叠方法，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。
8.如权利要求6所述的晶片堆叠方法，还包括：
9.如权利要求8所述的晶片堆叠方法，其中所述第三晶片包括基底穿孔，且所述晶片堆叠方法还包括：
10.如权利要求9所述的晶片堆叠方法，还包括：
11.如权利要求6所述的晶片堆叠方法，还包括：
12.如权利要求11所述的晶片堆叠方法，其中所述第三宽度大于所述第二宽度。
13.如权利要求11所述的晶片堆叠方法，还包括：
14.如权利要求13所述的晶片堆叠方法，其中所述第四晶片包括基底穿孔，且所述晶片堆叠方法还包括：
15.如权利要求14所述的晶片堆叠方法，还包括：
16.如权利要求1所述的晶片堆叠方法，还包括：
17.如权利要求16所述的晶片堆叠方法，还包括：
18.如权利要求17所述的晶片堆叠方法，其中所述第三宽度大于所述第一宽度与所述第二宽度。
19.如权利要求16所述的晶片堆叠方法，其中所述第一宽度与所述第二宽度为相同宽度。
20.如权利要求16所述的晶片堆叠方法，其中所述第一宽度与所述第二宽度为不同宽度。
