本发明涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种可有效地减少存储单元面积的存储器结构。
背景技术：
1、动态随机存取存储器包括彼此耦接的晶体管与电容器，其中电容器可作为存储节点(storage node)。然而，如何有效地减少动态随机存取存储器的存储单元面积为目前业界持续努力的目标。
技术实现思路
1、本发明提供一种存储器结构及其制造方法，其可有效地减少存储单元面积。
2、本发明提出一种存储器结构，包括基底、第一导线、第一接触窗、栅极、第二导线、第一介电层、第二介电层、第二接触窗与电容器。基底包括基底层、绝缘层与半导体层。绝缘层位于基底层上。半导体层位于绝缘层上。第一导线位于绝缘层中。第一接触窗位于半导体层中与第一导线上。栅极位于半导体层中与第一接触窗上。第二导线位于半导体层中与栅极上。第一介电层位于栅极与第一接触窗之间、栅极与半导体层之间以及第二导线与半导体层之间。第二介电层位于第二导线上。第二接触窗位于半导体层与第二介电层上。电容器位于第二接触窗上。
3、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一接触窗可直接接触半导体层。
4、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，栅极与第二导线可为一体成型。
5、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第二导线的顶面可低于半导体层的顶面。
6、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第二接触窗可直接接触半导体层。
7、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，还可包括隔离结构。隔离结构位于半导体层中。隔离结构可在半导体层中定义出主动(有源)区。
8、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，还可包括填充层与顶盖层。填充层位于位半导体层中。栅极可被半导体层与填充层所围绕。顶盖层位于第一导线与填充层之间。
9、本发明提出一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括基底层、绝缘层与半导体层。绝缘层位于基底层上。半导体层位于绝缘层上。在绝缘层中形成第一导线。在半导体层中与第一导线上形成第一接触窗。在半导体层中与第一接触窗上形成栅极。在半导体层中与栅极上形成第二导线。在栅极与第一接触窗之间、栅极与半导体层之间以及第二导线与半导体层之间形成第一介电层。在第二导线上形成第二介电层。在半导体层与第二介电层上形成第二接触窗。在第二接触窗上形成电容器。
10、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，第一导线、第一接触窗、栅极、第二导线与第一介电层的形成方法可包括以下步骤。在半导体层与绝缘层中形成第一沟槽。在第一沟槽中形成第一导线。在第一沟槽中与第一导线上形成顶盖层。在第一沟槽中与顶盖层上形成填充层。在半导体层与填充层中形成第二沟槽。在填充层与顶盖层中形成开口。开口可暴露出部分第一导线。在由开口所暴露出的第一导线上形成第一接触窗。在第二沟槽与开口中以及第一导线上形成第一介电层。在第一介电层上形成栅极与第二导线。栅极可位于开口中，且第二导线可位于第二沟槽中。
11、依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在半导体层中形成隔离结构。隔离结构可在半导体层中定义出主动区。
12、基于上述，在本发明所提出的存储器结构及其制造方法中，基底包括基底层、绝缘层与半导体层。第一导线位于绝缘层中。第一接触窗位于半导体层中与第一导线上。栅极位于半导体层中与第一接触窗上。第二导线位于半导体层中与栅极上。第一介电层位于栅极与第一接触窗之间、栅极与半导体层之间以及第二导线与半导体层之间。第二介电层位于第二导线上。第二接触窗位于半导体层与第二介电层上。电容器位于第二接触窗上。因此，本发明所提出的存储器结构及其制造方法可有效地减少存储单元面积以及提升存储单元密度。
13、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
1.一种存储器结构，包括：
2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一接触窗直接接触所述半导体层。
3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述栅极与所述第二导线为一体成型。
4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二导线的顶面低于所述半导体层的顶面。
5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二接触窗直接接触所述半导体层。
6.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：
7.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：
8.一种存储器结构的制造方法，包括：
9.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其中所述第一导线、所述第一接触窗、所述栅极、所述第二导线与所述第一介电层的形成方法包括：
10.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，还包括：
