本申请案主张美国第18/135,319及18/135,327号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年4月17日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种导电结构以及一种导电结构的制备方法。特别是有关于一种包括至少二堆叠导电通孔的导电结构以及该导电结构的制备方法。
背景技术：
1、为了实现一电子元件(例如一电容器)的高整合密度，减小电子元件的多个导电通孔的尺寸，并且增加导电通孔的一深宽比(高度/宽度)。在形成容纳导电通孔的一孔洞的一蚀刻制程期间，若是孔洞的深宽比(深度/宽度)与位置固定，则关键尺寸(cd)例如孔洞的一顶端的一宽度是一个重要问题。cd越大，蚀刻不足的风险就越小。然而，较大的cd可能增加在形成导电通孔之后相邻导电通孔的顶端之间短路的风险。
2、上文的“先前技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种导电结构。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一导电通孔、一第三支撑层以及一第二导电通孔。该第二支撑层设置在该第一支撑层上。该第一导电通孔设置在该第一支撑层与该第二支撑层之间。该第三支撑层设置在该第二支撑层上。该第二导电通孔设置在该第二支撑层与该第三支撑层之间，且电性连接到该第一导电通孔。该第一导电通孔的一侧表面与该第二导电通孔的一侧表面并不连续。
2、本公开的另一实施例提供一种电容器结构。该电容器结构包括一导电通孔、一中间介电层以及一上电极。该导电通孔包括一颈部，位在邻近其一中间部处。该中间介电层设置在该导电通孔上。该上电极设置在该中间介电层上。
3、本公开的另一实施例提供一种导电结构的制备方法。该制备方法包括提供一基础材料，该基础材料包括在一第一导电层上的一第一支撑层、在该第一支撑层上的一下材料层以及在该下材料层上的一第二支撑层。该制备方法亦包括形成一第一导电通孔以延伸穿过该第一支撑层、该下材料层与该第二支撑层，其中该第一导电通孔电性连接到该第一导电层。该制备方法亦包括形成一上材料层在该第二支撑层上。该制备方法亦包括形成一第三支撑层在该上材料层上。该制备方法亦包括形成一第二导电通孔以延伸穿过该第三支撑层与该上材料层，其中该第二导电通孔电性连接到该第一导电通孔。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
1.一种导电结构，包括：
2.如权利要求1所述的导电结构，其中该第一导电通孔的该侧表面与该第二导电通孔的该侧表面为非共面。
3.如权利要求1所述的导电结构，其中在剖视图中，该第一导电通孔的该侧表面的其中一侧与该第二导电通孔的该侧表面的其中一侧错位。
4.如权利要求3所述的导电结构，其中该第一导电通孔的该侧表面的该侧与该第二导电通孔的该侧表面的该侧不是大致同一直线的线段。
5.如权利要求4所述的导电结构，其中该第一导电通孔的该侧表面的该侧经由至少一该第一导电通孔的一上表面而连接到该第二导电通孔的该侧表面的该侧。
6.如权利要求5所述的导电结构，其中该第二导电通孔具有一下表面，其接触该第一导电通孔的该上表面，且该第二导电通孔的该下表面的一宽度小于该第一导电通孔的该上表面的一宽度。
7.如权利要求1所述的导电结构，其中该第一导电通孔延伸穿过该第一支撑层与该第二支撑层，其中该第二导电通孔延伸穿过该第三支撑层。
8.如权利要求1所述的导电结构，其中该第一导电通孔的一上表面与该第二支撑层的一上表面大致呈共面，且该第二导电通孔的一上表面与该第三支撑层的一上表面大致呈共面。
9.如权利要求8所述的导电结构，其中一界面位在该第一导电通孔与该第二导电通孔之间；其中该界面与该第二支撑层的该上表面大致呈共面。
10.如权利要求9所述的导电结构，其中该界面的一宽度小于该第一导电通孔的该上表面的一宽度。
11.如权利要求1所述的导电结构，还包括一第一导电层，设置在该第一支撑层的一下表面上，其中该第一导电通孔电性连接到该第一导电层。
12.如权利要求1所述的导电结构，其中该第二导电通孔的一上部界定出一凹陷部；其中该第二导电通孔包括多个第二导电通孔，从顶视图来看，三个第二导电通孔的三个凹陷部的三个侧壁与该第三支撑层的一开口的一侧壁共同界定出一个完整的圆形。
13.如权利要求1所述的导电结构，其中该第二导电通孔的一下表面的一部分接触该第二支撑层。
14.一种导电结构的制备方法，包括：
15.如权利要求14所述的导电结构的制备方法，其中形成该第一导电通孔包括：
16.如权利要求15所述的导电结构的制备方法，其中将该导电材料设置在该第一盲孔中包括：
17.如权利要求14所述的导电结构的制备方法，其中该第一导电通孔还延伸进入该第一导电层中。
18.如权利要求14所述的导电结构的制备方法，其中该下材料层与该上材料层对于一蚀刻剂具有不同蚀刻率。
19.如权利要求14所述的导电结构的制备方法，其中形成该第二导电通孔包括：
20.如权利要求14所述的导电结构的制备方法，还包括：
