本公开涉及半导体器件，并且更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。
背景技术：
1、半导体器件可以包括含金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的集成电路。随着半导体器件的大小和设计规则减小，mosfet按比例缩小。半导体器件的操作特性可以因mosfet大小的减小而劣化。因此，已研究出用于形成具有优异性能同时克服由高集成度引起的限制的半导体器件的各种方法。
技术实现思路
1、本发明构思的实施例提供了能够改善可靠性和电气特性的半导体器件。
2、本发明构思的实施例还提供了能够改善工艺效率的半导体器件。
3、在一方面，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一半导体图案，所述第一半导体图案位于所述有源图案上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案；以及栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上布置。所述第一半导体图案的第一顶表面可以终止于在所述第一方向上彼此间隔开的第一拐角和第二拐角。所述第一半导体图案的所述第一顶表面可以包括连接所述第一拐角和所述第二拐角的第一部分。所述第一半导体图案的所述第一部分的当从平面图观察时的沿着与所述第一方向平行的方向的长度可以大于所述第一拐角和所述第二拐角之间在所述第一方向上的距离。
4、在一方面，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一半导体图案，所述第一半导体图案位于所述有源图案上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案；以及栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上布置。所述有源图案的顶表面包括弯曲表面。
5、在一方面，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；器件隔离层，所述器件隔离层限定所述有源区上的有源图案；第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案顺序堆叠在所述有源图案上，所述第一半导体图案与所述第二半导体图案彼此垂直地间隔开；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上布置；栅极覆盖图案，所述栅极覆盖图案位于每个栅电极的顶表面上；层间绝缘层，所述层间绝缘层位于每个栅极覆盖图案上；有源接触，所述有源接触穿透所述层间绝缘层，以电连接到所述源极/漏极图案；相应栅极接触，所述相应栅极接触穿透所述层间绝缘层和所述栅极覆盖图案，以电连接到相应所述栅电极；第一金属层，所述第一金属层包括位于所述层间绝缘层上的电力互连线和第一互连线、与所述电力互连线和所述第一互连线中的对应的一条互连线电连接的所述有源接触以及与所述电力互连线和所述第一互连线中的对应的一条互连线电连接的栅极接触；以及第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上。所述第二金属层可以包括与所述第一金属层电连接的第二互连线。所述第一半导体图案的第一顶表面可以包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一边缘和第二边缘。所述第一半导体图案的所述第一顶表面可以包括连接所述第一边缘和所述第二边缘的第一部分。所述第二半导体图案的第二顶表面可以包括在所述第一方向上彼此间隔开的第三边缘和第四边缘。所述第二半导体图案的所述第二顶表面可以包括连接所述第三边缘和所述第四边缘的第二部分。所述第一半导体图案的所述第一部分的当从平面图观察时的沿着与所述第一方向平行的方向的长度可以大于所述第一边缘和所述第二边缘之间在所述第一方向上的距离。
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一拐角和所述第二拐角分别对应于所述第一半导体图案的所述第一顶表面的第一边缘和第二边缘。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一部分的当从所述平面图观察时的沿着与所述第一方向平行的方向的长度在所述第二部分的当从所述平面图观察时的沿着与所述第一方向平行的方向的长度的1.02倍至1.05倍的范围内。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一部分的当从所述平面图观察时的沿着与所述第一方向平行的方向的长度在所述第一拐角和所述第二拐角之间在所述第一方向上的距离的1.2倍至1.4倍的范围内。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案的第一底表面包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一下拐角和第二下拐角，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一半导体图案交叠的所述有源图案的顶表面包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一有源拐角和第二有源拐角，并且
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述有源弯曲部分的曲率等于所述第一部分的曲率。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一部分的曲率等于所述第二部分的曲率。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述有源图案包括与所述第一部分交叠的有源弯曲部分。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述有源弯曲部分的曲率等于所述第一半导体图案的所述第一部分的曲率。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一部分的长度大于所述第二部分的长度。
16.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案的所述第一边缘和所述第二边缘之间在所述第一方向上的距离大于所述第二半导体图案的所述第三边缘和所述第四边缘之间在所述第一方向上的距离。
17.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
18.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述第一部分的曲率等于所述第二部分的曲率。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述有源图案包括与所述第一顶表面交叠的有源弯曲表面，
