本发明一般涉及半导体器件，并且更特别地涉及在多层rdl中形成通孔以减少应力、脱层和翘曲的方法和半导体器件。
背景技术：
1、半导体器件通常存在于现代电气产品中。半导体器件执行广泛范围的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电气器件、光电、以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件存在于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器、以及办公设备中。
2、半导体器件经常包含半导体管芯或基底，具有电气互连结构，例如在半导体管芯或基底的一个或多个表面之上形成的重分布层(redistribution layers，rdl)，用以执行必要的电气功能。在制造处理期间半导体器件形成自晶片或面板。在rdl的形成期间，由于热应力传播、脱层和由一个或多个膨胀金属层引起的翘曲位移，晶片和面板遭受开裂。更大的扇出器件具有更高的开裂风险，并且因此，更低的产出导致更高的制造成本。
技术实现思路
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成在第二rdl中的第一开口包括半圆形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括形成在第二rdl之上的第三rdl，其中第二导电通孔电连接第二rdl和第三rdl，并且第二开口在第二导电通孔周围形成在第三rdl中以用于应力缓解。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中形成在第二rdl中的第一开口从形成在第三rdl中的第二开口偏移。
5.一种半导体器件，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中形成在第一rdl中的第一开口包括半圆形状。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括形成在第一rdl之上的第二rdl，其中第二导电通孔电连接第一rdl和第二rdl，并且第二开口在第二导电通孔周围形成在第二rdl中以用于应力缓解。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中形成在第一rdl中的第一开口从形成在第二rdl中的第二开口偏移。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括在第一导电通孔周围形成在第二rdl中的用于应力缓解的多个第二开口，其中所述多个第二开口中的每个彼此偏移。
10.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括在第一导电通孔周围形成在第一rdl中的用于应力缓解的多个第一开口，其中所述多个第一开口中的每个彼此偏移。
11.一种制作半导体器件的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将形成在第二rdl中的第一开口形成为半圆。
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成在第二rdl中的第一开口从形成在第三rdl中的第二开口偏移。
15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在第一导电通孔周围在第二rdl中形成多个第一开口以用于应力缓解，其中所述多个第一开口中的每个彼此偏移。
