本发明涉及晶片的切削方法和层叠晶片的加工方法。
背景技术：
1、在半导体器件的制造工序中，在晶片的正面上在由呈格子状形成的间隔道(分割预定线)划分的区域中形成ic(integrated circuit：集成电路)、lsi(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件。这些晶片在背面被磨削而薄化至规定的厚度之后，沿着间隔道被切削装置等分割从而单片化而成为各个半导体器件芯片。
2、另一方面，存在在晶片的外周缘从正面到背面形成有倒角的晶片。当将这样的板状工件薄化至一半的厚度以下时，会在外周形成所谓的尖锐边缘，晶片有可能破损。为了防止这种情况，已知有对晶片的外周进行修剪而去除倒角然后进行薄化的技术(专利文献1)。作为去除倒角部的方法，能够列举出如下的方法：在使切削刀具切入至晶片的形成有倒角部的外周端部的状态下使保持晶片的卡盘工作台旋转，从而将外周端部的所有倒角部去除。
3、专利文献1：日本特开2000-173961号公报
4、但是，在上述方法的倒角部去除方法中，使卡盘工作台相对于呈直线状形成的加工点旋转从而对切削刀具施加横向的负荷，因此在去除了倒角部的晶片的外周端部有可能产生崩边、碎裂等。另外，在层叠晶片中，在上表面侧的第一晶片的崩边大或多的情况下，存在之后的磨削时容易以崩边为起点发生剥离的待解决课题。
技术实现思路
1、本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的切削方法和层叠晶片的加工方法，能够一边抑制晶片的外周端部的崩边和碎裂一边去除倒角部。
2、为了解决上述的课题并实现目的，本发明的晶片的切削方法是对圆盘状的晶片的外周端部进行切削，将倒角部去除，其特征在于，该晶片的切削方法具有如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台的保持面对该晶片进行保持；定位步骤，在将安装于主轴的前端的切削刀具定位于未重叠在该保持面上的位置的状态下，使该主轴和该卡盘工作台在与该保持面垂直的方向上相对地接近，将该切削刀具的外周端部定位于该晶片的切入深度，该主轴具有与该保持面平行的方向的旋转轴；直线切削步骤，使该主轴和该卡盘工作台在与该保持面平行且与该主轴的旋转轴垂直的方向上相对地移动，将该晶片的该外周端部呈直线状切削从而将该晶片的该倒角部的一部分切削；旋转步骤，在该直线切削步骤之后，使该卡盘工作台以规定的旋转角度旋转；以及重复步骤，重复实施该直线切削步骤和该旋转步骤直到将该晶片的该倒角部全部去除为止。
3、本发明的晶片的切削方法可以还具有如下的圆形切削步骤：在该重复步骤之后，在利用该切削刀具对该晶片的该外周端部切入至该切入深度的状态下使该卡盘工作台旋转，从而将该晶片的该外周端部呈环状切削而形成环状的台阶部。
4、另外，本发明的层叠晶片的加工方法是将在外周端部具有倒角部的第一晶片与第二晶片接合而得的层叠晶片的加工方法，其特征在于，该层叠晶片的加工方法具有如下的步骤：第一保持步骤，利用第一卡盘工作台的第一保持面对该层叠晶片的该第二晶片侧的面进行保持从而使该第一晶片侧的面露出；定位步骤，在将安装于第一主轴的前端的切削刀具定位于未重叠在该第一保持面上的位置的状态下，使该第一主轴和该第一卡盘工作台在与该第一保持面垂直的方向上相对地接近，将该切削刀具的外周端部定位于该第一晶片的切入深度，该第一主轴具有与该第一保持面平行的方向的旋转轴；直线切削步骤，使该第一主轴和该第一卡盘工作台在与该第一保持面平行且与该第一主轴的旋转轴垂直的方向上相对地移动，将该第一晶片的该外周端部呈直线状切削，从而将该第一晶片的该倒角部的一部分切削；旋转步骤，在该直线切削步骤之后，使该第一卡盘工作台以规定的旋转角度旋转；重复步骤，重复实施该直线切削步骤和该旋转步骤直到将该第一晶片的该倒角部全部去除为止；第二保持步骤，利用第二卡盘工作台的第二保持面对该层叠晶片的该第二晶片侧的面进行保持从而使该第一晶片侧的面露出；以及磨削步骤，使安装于第二主轴的前端的磨削磨轮与该第二卡盘工作台相对地接近，对该第一晶片进行磨削，该第二主轴具有与该第二保持面垂直的方向的旋转轴。
5、本发明的层叠晶片的加工方法可以还具有如下的圆形切削步骤：在该重复步骤之后且在该第二保持步骤之前，在利用该切削刀具对该第一晶片的该外周端部切入至该切入深度的状态下使该第一卡盘工作台旋转，从而将该第一晶片的该外周端部呈环状切削而形成环状的台阶部。
6、本发明能够一边抑制晶片的外周端部的崩边和碎裂一边去除倒角部。
1.一种晶片的切削方法，对圆盘状的晶片的外周端部进行切削，将倒角部去除，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的切削方法，其中，
3.一种层叠晶片的加工方法，该层叠晶片是将在外周端部具有倒角部的第一晶片与第二晶片接合而得的，其中，
4.根据权利要求3所述的层叠晶片的加工方法，其中，
