本发明关于半导体存储装置。
背景技术：
1、在半导体存储装置中，常因物理特性发生错误而导致写入数据与读取数据不一致的情况。因此，需要取得不一致数据的相关信息，并据以分析或修正半导体存储装置，举例而言，有写入数据与读取数据不一致的位(错误位)的数量，存在用以计数错误位的错误位计数装置。
2、专利文献(日本特开平9-33615号公报)揭露了一种半导体存储器测试装置的存储器不良分析装置，将失效存储器分割为多个区块而使错误计数处理时间缩短，在作为分析对象的半导体存储器的外部计数错误位。然依据状况并非能获取半导体存储器所有位的通过/失败信息的存储器不良分析装置。鉴于上述课题，本发明目的为提供包含错误位计数装置的半导体存储装置。
技术实现思路
1、本发明提供一种半导体存储装置，包括：错误位检测部，以位为单位检测来导体存储装置的读取数据以及预期数据是否为一致，输出通过或失败信息的错误位数据，该通过或失败信息显示检测到的每个位是否为一致；以及位计数部，计数前述错误位数据之中，显示前述读取数据与前述预期数据的不一致的错误位数，或显示一致的数量的通过位数。本发明提供了包含错误位计数装置的半导体存储装置。
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，前述错误位检测部包括：
3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，更包括：
4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，前述预期数据准备部针对在前述读取数据逻辑反转时应显示与前述写入数据一致的位，反转前述写入数据的逻辑电平作为前述预期数据。
5.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，前述预期数据准备部锁存前述写入数据以与前述读取数据比较。
6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位计数部更包括：
7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，前述多个子错误位计数器的每一个包括：
8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，前述多个子错误位计数器的每一个更包括：
9.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位计数部包括：
10.如权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位计数部更包括：
11.如权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位订正部：
12.如权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，前述测定对象数据设定部在包含于前述错误位数据中的前述错误位数为特定数以上时，将已修正前述错误位数据的数据作为前述测定对象数据提供给前述位计数差动放大器，使前述错误位数未达前述特定数；
13.如权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位计数部，基于具有前述第1逻辑电平的位数为零的前述参照数据与前述错误位数据的比较结果，输出显示包含于前述错误位数据的位之中具有前述第1逻辑电平的位数是为零或是为1以上的数据。
14.如权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，前述位计数部基于具有前述第1逻辑电平的位数为零的前述参照数据与前述错误位数据的比较结果，以及包含于前述错误位数据的具有前述第1逻辑电平的位数的奇偶，输出显示包含于前述错误位数据的位之中具有前述第1逻辑电平的位数为零、为1以上偶数或为1以上奇数的数据。
15.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，前述半导体存储装置包括多个存储库；
16.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，前述半导体存储装置包括多个存储库；
