半导体装置及其制造方法与流程

    技术2026-01-29  5


    本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,例如,可适宜地利用于具有贯通密封部的贯通电极的半导体装置及其制造方法。


    背景技术:

    1、半导体装置具有半导体芯片与密封半导体芯片的密封部,有时会设置贯通密封部的贯通电极。

    2、在日本特许第6283131号公报(专利文献1)中记载一种半导体封装件,其具有从封装的第一面贯通直至与第一面相反侧的第二面为止的铜桩。

    3、现有技术文献

    4、专利文献

    5、专利文献1:日本特许第6283131号公报


    技术实现思路

    1、发明所欲解决的课题

    2、半导体装置是使用焊料而被安装于安装衬底等。期望提升将半导体装置安装于安装衬底等时的半导体装置的安装可靠性。

    3、解决课题的技术方案

    4、根据一实施方式,半导体装置具备:半导体芯片;密封部,其密封前述半导体芯片;以及第一贯通电极及第二贯通电极,其贯通前述密封部。前述第一贯通电极具有:第一导体部,其从前述密封部的第一主面贯通直至与前述第一主面为相反侧的第二主面为止;以及第二导体部,其与前述第一导体部邻接,且从前述密封部的前述第一主面突出。前述第二贯通电极具有:第三导体部,其从前述密封部的前述第一主面贯通直至前述第二主面为止;以及第四导体部,其与前述第三导体部邻接,且从前述密封部的前述第一主面突出。半导体装置在前述密封部的前述第一主面上以覆盖前述第二导体部的一部分与前述第四导体部的一部分的方式形成的绝缘层。

    5、发明效果

    6、根据一实施方式,可提升将半导体装置安装于安装衬底等时的半导体装置的安装可靠性。



    技术特征:

    1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

    2.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,进一步具备:

    3.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,

    4.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,

    5.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,

    6.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,

    7.根据权利要求1的半导体装置,其特征在于,进一步具备:

    8.根据权利要求7的半导体装置,其特征在于,

    9.一种半导体装置的制造方法,其具有:

    10.根据权利要求9的半导体装置的制造方法,其中,进一步具有:

    11.一种半导体装置的制造方法,其具有:

    12.根据权利要求11的半导体装置的制造方法,其中,进一步具有:


    技术总结
    本发明的课题是提升将半导体装置安装于安装衬底等时的半导体装置的安装可靠性。本发明的解决方案是一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置(1)具备:半导体芯片(2);密封部(3),其密封半导体芯片(2);以及贯通电极(6),其贯通密封部(3)。贯通电极(6)具有从密封部(3)的上表面(3a)贯通直至下表面(3b)为止的导体部(4),以及与导体部(4)相邻且从密封部(3)的下表面(3b)突出的导体部(5)。

    技术研发人员:高尾胜大,黑羽淳史,铃木敬史
    受保护的技术使用者:青井电子株式会社
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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