本公开涉及包括光感测元件的电子装置。
背景技术：
1、为了提供图像信息，可使用各种形式的电子装置。电子装置提供确保与使用者通信(比如，检测来自使用者的输入)的各种功能。电子装置也可包括用于检测外部输入的功能。
2、外部输入识别方法可包括感测电极之间的电容变化的电容法、通过使用光感测器感测入射光的光感测法和通过使用压电体感测振动的超声波法。
3、例如，当电子装置包括光敏感测器时，可需要增加将接收到的光转换成电信号的效率，以便改善光感测器的灵敏度。
4、应理解，该背景技术章节旨在部分提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该背景技术章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。
技术实现思路
1、实施方式提供了包括具有改善的效率的光感测元件的电子装置。
2、实施方式提供了电子装置，电子装置可包括设置在基底层上并且包括至少一个光感测元件的显示元件层。光感测元件可包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的光电转换层、设置在光电转换层上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。第二电极可包括金属和有机化合物，并且有机化合物的掺杂浓度可在约0.5％至约10％的范围内。
3、在实施方式中，金属可具有大于或等于约3.0ev的功函。
4、在实施方式中，金属可包括ca、mg、al、ag、au、zn和cu中的至少一种。
5、在实施方式中，有机化合物可具有在约2.0ev至约3.0ev的范围内的最低未占分子轨道(lumo)能级。
6、在实施方式中，有机化合物可包括三嗪类化合物、氧化膦类化合物和菲咯啉类化合物中的至少一种。
7、在实施方式中，有机化合物可包括选自下面解释的化合物组1中的至少一种化合物。
8、在实施方式中，光电转换层可包括电子供体化合物和电子受体化合物中的至少一种。
9、在实施方式中，光电转换层可包括：包括电子供体化合物的第一子光电转换层和设置在第一子光电转换层上并且包括电子受体化合物的第二子光电转换层。
10、在实施方式中，光电转换层可包括电子供体化合物和电子受体化合物。
11、在实施方式中，光电转换层可包括：包括电子供体化合物的第一子光电转换层、设置在第一子光电转换层上并且包括电子供体化合物和电子受体化合物的第三子光电转换层以及设置在第三子光电转换层上并且包括电子受体化合物的第二子光电转换层。
12、在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个。
13、在实施方式中，电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
14、在实施方式中，电子装置可包括设置在基底层上的显示元件层。显示元件层可包括其中限定开孔的像素限定膜、发光元件和光感测元件，其中发光元件和光感测元件可各自被像素限定膜划分。发光元件和光感测元件可各自包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上并且包括金属纳米结构和有机化合物的第二电极，其中有机化合物的掺杂浓度可在约0.5％至约10％的范围内。
15、在实施方式中，金属纳米结构可为其中多个金属纳米颗粒相连接的纳米线的形式。
16、在实施方式中，多个金属纳米颗粒可具有大于或等于约3.0ev的功函。
17、在实施方式中，金属纳米结构可包括ca、mg、al、ag、au、zn和cu中的至少一种。
18、在实施方式中，有机化合物可具有在约2.0ev至约3.0ev的范围内的最低未占分子轨道(lumo)能级。
19、在实施方式中，有机化合物可包括三嗪类化合物、氧化膦类化合物和菲咯啉类化合物中的至少一种。
20、在实施方式中，发光元件可包括设置在空穴传输区和电子传输区之间的发射层，光感测元件可包括设置在空穴传输区和电子传输区之间的光电转换层，并且光电转换层可将入射光转换成电信号。
21、在实施方式中，光电转换层可包括电子供体化合物和电子受体化合物中的至少一种。
22、应理解，上面的实施方式仅以一般性和解释性的意义进行描述，而不是为了限制的目的，并且本公开不限于上述实施方式。
1.一种电子装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述金属具有大于或等于3.0ev的功函，
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述有机化合物具有在2.0ev至3.0ev的范围内的最低未占分子轨道能级，
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述有机化合物包括选自化合物组1中的至少一种化合物：
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光电转换层包括电子供体化合物和电子受体化合物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述光电转换层包括：
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述光电转换层包括所述电子供体化合物和所述电子受体化合物。
8.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述光电转换层包括：
9.一种电子装置，包括：
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述金属纳米结构为其中多个金属纳米颗粒相连接的纳米线的形式。
