蓄电设备的制作方法

    技术2026-01-28  6


    本发明涉及蓄电设备。


    背景技术:

    1、在日本特开2020-95836号公报中公开了一种电池,该电池具备方形的电池壳体、容纳在电池壳体内的电极体以及配置在电池壳体与电极体之间的绝缘薄膜。电池壳体具备具有开口的壳体主体和盖住开口的盖构件。壳体主体具备在开口的相反侧的底面和与底面连续地立设的一对长侧面。绝缘薄膜为一张的片状,至少遍及电极体与底面和一对长侧面之间地配置,并且连结底面与盖构件的高度方向上的绝缘薄膜的一对端部与电极体相比位于盖构件侧。在绝缘薄膜中,在与电极体的盖构件侧的端部对应的位置与一对端部之间、且在与高度方向正交且沿着长侧面的宽度方向的至少一部分,在绝缘薄膜的厚度方向上设置有切痕。相对于切痕,一对端部侧的区域构成朝向电极体侧倾斜的倾斜面。在该公报中记载了在该结构的电池中金属异物混入电极体的可能性降低。

    2、国际公开第2018/131417号公开的二次电池具备:由在金属箔上配置有合剂层的部分、具有金属箔露出部的电极体以及与金属箔露出部连接的集电体构成的蓄电元件;覆盖蓄电元件的一张绝缘薄膜;以及收纳蓄电元件和绝缘薄膜并具有开口、底面以及侧面的方形形状的电池壳。绝缘薄膜在电池壳的底面侧翻折而覆盖蓄电元件,具有从蓄电元件突出而与电池壳的侧面相向且所述绝缘薄膜重叠的突出部。突出部的一部分抵接于与绝缘薄膜突出的方向相向的侧面。突出部的前端配置在蓄电元件与方形形状的电池壳的角部之间的空间。在该公报中记载了在该二次电池中,通过使合剂层与金属容器之间的绝缘薄膜为均匀的面,能够防止对合剂层的变形的损伤,相对于外力而提高卷绕组与电池壳的绝缘性。

    3、国际公开第2016/088506号公开的方形二次电池具备:将正负的电极卷绕而成的扁平的电极组;容纳电极组的扁平方形的电池罐;密封电池罐的开口部的电池盖;以及固定在电池盖上且容纳在电池罐内的绝缘部件。该二次电池具备袋状的由绝缘片形成的容纳部件,其比电池罐的容积小且容纳在电池罐内,在容纳电解液的同时容纳电极组。绝缘部件密合在电池盖上以密封其与电池盖之间,同时与容纳部件的开口部接合以密封开口部。在该公报中记载了根据该结构,能够消除填充于电池罐与容纳部件之间的空间的多余的电解液,使得容纳部件内的电解液有效地浸渍于电极组。

    4、现有技术文献

    5、专利文献

    6、专利文献1:日本特开2020-95836号公报

    7、专利文献2:国际公开第2018/131417号

    8、专利文献3:国际公开第2016/088506号


    技术实现思路

    1、发明要解决的课题

    2、另外,本发明人想要抑制壳体内的注液孔附近的电解液的附着。

    3、用于解决课题的方案

    4、在此公开的蓄电设备具备:电极体;覆盖电极体的袋状的绝缘薄膜;电解液;收纳电极体、绝缘薄膜以及电解液的壳体;安装于壳体的电极端子;以及在壳体的内侧与电极体和电极端子连接的集电构件。壳体具备壳体主体和矩形形状的封口板,该壳体主体具有矩形形状的底面、与底面相向的开口、从底面中的相向的一对长边延伸的一对宽幅面以及从底面中的相向的一对短边延伸的一对窄幅面,该封口板将开口封口。封口板具有安装电极端子的安装孔和电解液的注液孔。在此,绝缘薄膜具有与壳体主体的宽幅面相向的第一侧面。另外,绝缘薄膜在壳体主体的底面侧的下端闭合,在封口板侧的上端开口。另外,绝缘薄膜在第一侧面的上端具有切口。在沿着壳体主体的窄幅面的剖视观察时,切口设置在通过注液孔的中心p并且沿着封口板的短边方向的直线l1与沿着第一侧面的直线l2的交点q的下方。根据该结构,能够抑制在壳体内注液孔附近的电解液的附着。



    技术特征:

    1.一种蓄电设备,所述蓄电设备具备:

    2.根据权利要求1所述的蓄电设备,其中,

    3.根据权利要求1所述的蓄电设备,其中,

    4.根据权利要求3所述的蓄电设备,其中,

    5.根据权利要求1~4中任一项所述的蓄电设备,其中,


    技术总结
    本发明提供一种抑制壳体内的注液孔附近的电解液的附着的蓄电设备。蓄电设备(1)具备电极体(20)、绝缘薄膜(70)、电解液、壳体(10)、正极端子(30)和负极端子(40)以及集电构件(50、60)。在此,绝缘薄膜(70)具有与壳体主体(12)的宽幅面(12a)相向的第一侧面(70b)。另外,绝缘薄膜(70)在壳体主体(12)的底面(12c)侧的下端闭合,在封口板(14)侧的上端开口。另外,绝缘薄膜(70)在第一侧面(70b)的上端具有切口(75)。在沿着壳体主体(12)的窄幅面(12b)的剖视观察时,切口(75)设置在通过注液孔(17)的中心(P)并且沿着封口板(14)的短边方向的直线(L1)与沿着第一侧面(70b)的直线(L2)的交点(Q)的下方。

    技术研发人员:榊原彻哉
    受保护的技术使用者:泰星能源解决方案有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
    转载请注明原文地址:https://symbian.8miu.com/read-39570.html

    最新回复(0)