本技术属于显示，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术：
1、反射式产品在环境光亮度很高时，可大大降低产品功耗，从而成为显示行业内的一种节能手段，反射式产品中通过具有反射率较高的反射电极反射环境光或前置背光进行显示，现有反射式产品中阵列基板的性能较低。
技术实现思路
1、本技术的目的是至少解决阵列基板的性能较低的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
2、本技术的第一方面提出了一种阵列基板，包括：
3、衬底基板，所述阵列基板包括像素单元区，所述像素单元区包括反射区；
4、电极结构层，形成于所述衬底基板的一侧，包括像素电极，所述像素电极包括位于所述反射区的反射电极部；
5、绝缘层，形成于所述反射电极部背离所述衬底基板的一侧，所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
6、本技术提供的阵列基板中，包括衬底基板、电路结构层和绝缘层，阵列基板包括像素单元区，像素单元区包括反射区，反射区可反射环境光，从而进行显示。电极结构层形成于衬底基板的一侧，包括像素电极，像素电极包括位于反射区的反射电极部，反射电极部用于将光线反射从而进行显示。绝缘层形成于反射电极部背离衬底基板的一侧，绝缘层在衬底基板上的正投影与反射电极部在衬底基板上的正投影至少部分交叠，绝缘层中的至少部分与反射电极部背离衬底基板的一侧表面接触，用于对反射电极部进行保护，降低反射电极部被腐蚀和氧化的风险，从而有助于提升反射电极部的性能，进而有助于提升该阵列基板的性能。
7、在本技术的一些实施例中，所述绝缘层中位于所述反射区的部分和所述反射电极部用于反射来自外部环境的光线。
8、在本技术的一些实施例中，所述像素单元区还包括透射区，所述像素电极还包括透光电极部，所述透光电极部至少部分位于所述透射区，所述透光电极部与所述反射电极部连接。
9、在本技术的一些实施例中，所述绝缘层包括氮氧化硅层，或者，所述绝缘层包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层。
10、在本技术的一些实施例中，所述绝缘层包括增透部和增反部，所述增透部位于所述透射区，所述增反部位于所述反射区，所述增透部的厚度小于所述增反部的厚度。
11、在本技术的一些实施例中，所述增反部包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层的数量相同；所述增透部包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层的数量不相同。
12、在本技术的一些实施例中，所述增反部中，所述增反部包括沿远离所述衬底基板方向层叠设置的第一氮化硅层、第一氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氮化硅层的厚度为50～70埃米，所述第一氧化硅层的厚度为750～850埃米，所述第二氮化硅层的厚度为850～950埃米，所述第二氧化硅层的厚度为50～70埃米；
13、所述增透部包括沿远离衬底方向层叠设置的第一氮化硅层、第一氧化硅层、第二氮化硅层，所述第一氮化硅层的厚度为50～70埃米，所述第一氧化硅层的厚度为750～850埃米，所述第二氮化硅层的厚度为850～950埃米。
14、在本技术的一些实施例中，所述反射电极部位于所述衬底基板的一侧，所述透光电极部位于所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述透光电极部通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述反射电极部连接；或者，所述透光电极部位于所述衬底基板与所述绝缘层之间，所述透光电极部与所述反射电极部搭接固定。
15、在本技术的一些实施例中，所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影与所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影部分交叠形成交叠区，所述第一过孔位于所述交叠区。
16、在本技术的一些实施例中，所述反射电极部位于所述像素单元区，所述反射电极部开设有透光孔，所述透光孔在所述衬底基板上的正投影限定出所述透射区，所述透光孔在所述衬底基板上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影内。
17、在本技术的一些实施例中，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层，所述平坦层开设有位于所述透射区的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底上的正投影内。
18、在本技术的一些实施例中，所述衬底基板还包括位于所述晶体管结构层和所述平坦层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述透射区的第三过孔，所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底上的正投影内，所述晶体管结构层内包括晶体管，所述晶体管在所述衬底上的正投影位于所述反射区。
19、在本技术的一些实施例中，所述透射区在所述衬底基板上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影内；和/或，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影位于所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影的内侧。
20、在本技术的一些实施例中，所述衬底基板包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线相互交叉限定出所述像素单元区，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述栅线在所述衬底基板上的正投影相交叠，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述数据线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
21、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括显示区和周边区域，所述像素单元区位于所述显示区，所述周边区域位于所述显示区的外侧，所述周边区域包括绑定区和非绑定区，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层；所述晶体管结构层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层；
22、所述第二绝缘层包括暴露所述绑定区的第一镂空部，所述平坦层包括暴露所述绑定区的第二镂空部；所述阵列基板包括位于所述绑定区的第一绑定端子，所述绑定区设置有第一转接孔，所述第一转接孔贯穿所述绝缘层和所述第一绝缘层，所述第一转接孔在所述衬底上的正投影位于所述第一绑定端子在所述衬底上的正投影内，所述阵列基板还包括位于所述绑定区的第一转接走线，所述第一转接走线位于所述绝缘层的背离所述衬底的一侧，所述第一转接走线通过所述第一转接孔与所述第一绑定端子连接，所述第一转接走线与所述透光电极部同层设置；
23、所述第一绑定端子与所述第一金属层同层设置；或者，所述第一绑定端子与所述第二金属层同层设置，所述阵列基板还包括位于所述绑定区的第一保护层，所述第一绑定端子在所述衬底上的正投影位于所述第一保护层在所述衬底上的正投影内，所述第一保护层与所述反射电极部同层设置。
24、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括显示区和周边区域，所述像素单元区位于所述显示区，所述周边区域位于所述显示区的外侧，所述周边区域包括绑定区和非绑定区，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层；所述晶体管结构层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层；
25、所述阵列基板包括位于所述非绑定区的连接走线，所述非绑定区设置有第二转接孔，所述第二转接孔贯穿所述绝缘层、所述平坦层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，所述第二转接孔在所述衬底上的正投影位于所述第二绑定端子在所述衬底上的正投影内，所述阵列基板还包括位于所述非绑定区的周边走线，所述周边走线位于所述绝缘层的背离所述衬底的一侧，所述周边走线通过所述第二转接孔与所述连接走线连接，所述周边走线所述透光电极部同层设置；
26、所述连接走线与所述第一金属层同层设置；或者，所述连接走线与所述第二金属层同层设置，所述阵列基板还包括位于所述非绑定区的第二保护层，所述第二保护层在所述衬底上的正投影位于所述连接走线在所述衬底上的正投影内，所述第二保护层与所述反射电极部同层设置。
27、本技术第二方面还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
28、提供衬底基板；
29、在所述衬底基板的一侧形成电极结构层和绝缘层，所述电极结构层包括多个像素电极，所述像素电极包括反射电极部，所述绝缘线位于所述反射电极部背离所述衬底基板的一侧，所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
30、在本技术的一些实施例中，所述阵列基板包括像素单元区，所述像素单元区包括透射区和反射区，所述在所述衬底基板的一侧形成电极结构层和绝缘层，包括：
31、在所述衬底基板的一侧形成所述反射电极部，所述反射电极部位于所述反射区；
32、在所述反射电极部的背离所述衬底基板的一侧形成沉积绝缘层；
33、将所述绝缘层的位于所述透射区的部分刻蚀预设厚度，形成位于所述透射区的增透部，位于所述反射区的所述绝缘薄膜形成增反部，所述增透部的厚度小于所述增反部的厚度；
34、在所述绝缘层的背离所述衬底基板的一侧形成透光电极部，所述透光电极部至少部分位于所述透射区。
35、本技术第三方面还提供了一种显示面板，包括本技术第一方面提供的任意一种阵列基板。
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层中位于所述反射区的部分和所述反射电极部用于反射来自外部环境的光线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元区还包括透射区所述像素电极还包括透光电极部，所述透光电极部至少部分位于所述透射区，所述透光电极部与所述反射电极部连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括氮氧化硅层，或者，所述绝缘层包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括增透部和增反部，所述增透部位于所述透射区，所述增反部位于所述反射区，所述增透部的厚度小于所述增反部的厚度。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述增反部包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层的数量相同；所述增透部包括交替设置的氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层的数量不相同。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述增反部中，所述增反部包括沿远离所述衬底基板方向层叠设置的第一氮化硅层、第一氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氮化硅层的厚度为50～70埃米，所述第一氧化硅层的厚度为750～850埃米，所述第二氮化硅层的厚度为850～950埃米，所述第二氧化硅层的厚度为50～70埃米；
8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极部位于所述衬底基板的一侧，所述透光电极部位于所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述透光电极部通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述反射电极部连接；或者，所述透光电极部位于所述衬底基板与所述绝缘层之间，所述透光电极部与所述反射电极部搭接固定。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影与所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影部分交叠形成交叠区，所述第一过孔位于所述交叠区。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极部位于所述像素单元区，所述反射电极部开设有透光孔，所述透光孔在所述衬底基板上的正投影限定出所述透射区，所述透光孔在所述衬底基板上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影内。
11.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层，所述平坦层开设有位于所述透射区的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底上的正投影内。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板还包括位于所述晶体管结构层和所述平坦层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述透射区的第三过孔，所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底上的正投影内，所述晶体管结构层内包括晶体管，所述晶体管在所述衬底上的正投影位于所述反射区。
13.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透射区在所述衬底基板上的正投影位于所述透光电极部在所述衬底基板上的正投影内；和/或，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影位于所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影的内侧。
14.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线相互交叉限定出所述像素单元区，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述栅线在所述衬底基板上的正投影相交叠，所述反射电极部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述数据线在所述衬底基板上的正投影相交叠。
15.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和周边区域，所述像素单元区位于所述显示区，所述周边区域位于所述显示区的外侧，所述周边区域包括绑定区和非绑定区，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层；所述晶体管结构层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层；
16.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和周边区域，所述像素单元区位于所述显示区，所述周边区域位于所述显示区的外侧，所述周边区域包括绑定区和非绑定区，所述衬底基板包括衬底、位于所述衬底朝向所述电极结构层一侧的晶体管结构层；所述晶体管结构层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层，所述阵列基板还包括位于所述晶体管结构层朝向所述电极结构层一侧的平坦层；
17.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括像素单元区，所述像素单元区包括透射区和反射区，所述在所述衬底基板的一侧形成电极结构层和绝缘层，包括：
19.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-16任一项所述的阵列基板。
