本公开涉及集成电路，并且更具体而言涉及用于源极或漏极区域的接触部。
背景技术：
1、随着集成电路在尺寸上不断地缩小，出现了很多挑战。例如，减小存储器和逻辑单元的尺寸变得越来越困难，就如同减小装置层处的装置间距一样。随着晶体管被堆积得更加致密，考虑到有限的间距和用于给定互连层的轨道(track)数量，形成某些互连特征可能是具有挑战性的。因此，仍然存在与形成半导体装置有关的很多不可忽视的挑战。
技术实现思路
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电桥、所述第一导电接触部和所述第二导电接触部包括相同的导电材料。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第二电介质墙具有在所述第一电介质墙的顶表面上方的顶表面。
4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述第三电介质墙具有在所述第一电介质墙的顶表面上方的顶表面。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面。
6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第二导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
8.一种集成电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体是第一纳米线，并且所述第二半导体主体是第二纳米线。
10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体是第一纳米带，并且所述第二半导体主体是第二纳米带。
11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体是第一纳米片，并且所述第二半导体主体是第二纳米片。
12.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述导电桥、所述第一导电接触部和所述第二导电接触部包括相同的导电材料。
13.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面，并且其中，所述第二导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面。
14.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述导电桥、所述第一导电接触部和所述第二导电接触部包括相同的导电材料。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二电介质墙具有在所述第一电介质墙的顶表面上方的顶表面。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第三电介质墙具有在所述第一电介质墙的顶部上方的顶表面。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二导电接触部具有与所述导电桥的最上表面处于相同水平的最上表面。
20.根据权利要求14所述的方法，还包括：
