本发明涉及半导体，尤其涉及一种有机量子点发光结构及其生产工艺。
背景技术：
1、qeld（quantum dot light emitting diodes，量子点发光器件）的结构与oled（organic light emitting diode，有机电致发光器件）的结构很相似，主要区别在于量子点发光器件的发光层为量子点层，量子点层两侧的电子和空穴在量子点层汇集后形成光子。
2、对于传统的量子点发光器件，作为发光层的量子点层往往采用无机半导体纳米晶制成，对比度无法达到要求。
技术实现思路
1、本发明提供一种有机量子点发光结构及其生产工艺，用以解决对于传统的量子点发光器件，作为发光层的量子点层往往采用无机半导体纳米晶制成，对比度无法达到要求的问题。
2、一方面，本发明提供一种有机量子点发光结构，包括：
3、n型欧姆电极；
4、电子注入层，形成于n型欧姆电极的顶面；
5、电子输运层，形成于电子注入层的顶面；
6、有机量子点，为多个，依次形成于电子输运层的顶面；
7、浸润层，形成于有机量子点的顶面；
8、空穴输运层，形成于有浸润层的顶面；
9、空穴注入层，形成于空穴输运层的顶面；
10、p型电极，形成于空穴注入层的顶面。
11、在其中一些实施例中，浸润层为有机浸润层。
12、在其中一些实施例中，每个有机量子点呈锥状或柱状。
13、在其中一些实施例中，每个有机量子点在水平方向上的宽度为10纳米-2微米，在竖直方向上的高度为1纳米-3微米；
14、电子输运层和空穴输运层在竖直方向上的厚度为10纳米-2微米；
15、电子注入层和空穴注入层在竖直方向上的厚度为1纳米-20纳米。
16、在其中一些实施例中，p型电极的材质为氧化铟锡。
17、在其中一些实施例中，还包括：
18、保护层，设置于p型电极的顶面。
19、在其中一些实施例中，还包括：
20、双向电源，分别与n型欧姆电极、p型电极连接。
21、另一方面，本发明还提供一种上述任一些实施例提供的有机量子点发光结构的生产工艺，包括以下步骤：
22、采用溅射或微射流工艺在n型欧姆电极的顶面沉积电子注入层；
23、采用溅射或微射流工艺在电子注入层的顶面沉积电子输运层；
24、采用纳米压印成型工艺在电子输运层的顶面形成有机量子点；
25、采用溅射或微射流工艺在有机量子点的顶面沉积浸润层；
26、采用溅射或微射流工艺在浸润层的顶面沉积空穴输运层；
27、采用溅射或微射流工艺在空穴输运层的顶面沉积空穴注入层。
28、在其中一些实施例中，在采用纳米压印成型工艺在电子输运层的顶面形成有机量子点之前，还包括以下步骤：
29、对电子输运层的顶面进行氧等离子体处理。
30、在其中一些实施例中，在采用纳米压印成型工艺在电子输运层的顶面形成有机量子点之前，还包括以下步骤：
31、向电子输运层的顶面涂覆增粘剂。
32、本发明的有益效果如下：本发明的有机量子点发光结构通过设置n型欧姆电极、电子注入层、电子输运层、多个有机量子点、浸润层、空穴输运层、空穴注入层以及p型电极，电子注入层能够提高从n型欧姆电极激发出的电子向电子输运层注入的效率。电子输运层有利于电子从n型欧姆电极向有机量子点所在层传递。空穴注入层能够提高从p型电极激发出的空穴向空穴注入层注入的效率。空穴输运层有利于空穴从p型电极向有机量子点所在层传递。电子和空穴在多个有机量子点的表面复合形成光子，使得有机材料制成的有机量子点能够发光，提高了对比度和响应效率。为后续制备发光微腔，研制特殊用途光电子器件奠定基础。
1.一种有机量子点发光结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，所述浸润层为有机浸润层。
3.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，每个所述有机量子点呈锥状或柱状。
4.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，每个所述有机量子点在水平方向上的宽度为10纳米-2微米，在竖直方向上的高度为1纳米-3微米；
5.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，所述p型电极的材质为氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的有机量子点发光结构，其特征在于，还包括：
8.一种如权利要求1至7任一项所述的有机量子点发光结构的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的有机量子点发光结构的生产工艺，其特征在于，在所述采用纳米压印成型工艺在所述电子输运层的顶面形成所述有机量子点之前，还包括以下步骤：
10.根据权利要求8所述的有机量子点发光结构的生产工艺，其特征在于，在所述采用纳米压印成型工艺在所述电子输运层的顶面形成所述有机量子点之前，还包括以下步骤：
