以往，作为驱动大功率电动机的电路的开关元件，广泛使用的是igbt(insulatedgate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)。
背景技术：
1、例如，在专利文献1中示出了如下内容：在沟槽栅极型igbt中，在igbt的通道的下侧设置供储存电洞的载流子存储(cs：carrier store)层。
2、[背景技术文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2005-347289号公报
技术实现思路
1、[发明要解决的问题]
2、此处，如果设置载流子存储层，那么可以减少igbt接通时的电压降(集电极-发射极间的电压vce)。也就是说，可以减少因igbt的接通电阻导致的电压降，从而减小接通时的能量损失。但是，在将igbt切断(从接通切换成断开)时，因所残留的电洞的影响而导致切断所需要的时间变长，能量消耗(开关损耗)变大。
3、这样来看，igbt的导通损耗与开关损耗存在取舍关系，取决于制作igbt时的构造及载流子存储层浓度，而无法从使用者方面来控制该取舍。
4、[解决问题的技术手段]
5、本发明的沟槽栅极型igbt包含：
6、半导体衬底；
7、栅极沟槽，从所述半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，通过被施加电压而在周边所形成的通道区域中流通电流；
8、开关沟槽，从所述半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，周边未形成通道区域；及
9、设定端子，用来从外部控制所述开关沟槽的电压；且
10、可通过对所述设定端子施加的电压来切换第1状态或是第2状态，所述第1状态是接通时的电压降相对较小但切断时的能量损耗相对较大，所述第2状态是接通时的电压降相对较大但切断时的能量损耗相对较小。
11、[发明的效果]
12、根据本发明的沟槽栅极型igbt，可通过设定开关沟槽的电压，而根据使用条件(接通断开是高频还是低频)来选择是减少开关损耗还是减少接通时的电压降。因此，可获得根据使用条件减少了损耗的沟槽栅极型igbt。
1.一种沟槽栅极型igbt，包含：
2.根据权利要求1所述的沟槽栅极型igbt，其中
3.根据权利要求2所述的沟槽栅极型igbt，其中
4.一种沟槽栅极型igbt，包含：
5.根据权利要求4所述的沟槽栅极型igbt，其中
6.根据权利要求5所述的沟槽栅极型igbt，其中
7.一种沟槽栅极型igbt的驱动方法，该沟槽栅极型igbt包含：
8.根据权利要求7所述的沟槽栅极型igbt的驱动方法，其中
9.根据权利要求8所述的沟槽栅极型igbt的驱动方法，其中
