本公开的实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定。最近，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到极限，已提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括层叠的栅极线并具有台阶结构；层间介电层，其覆盖台阶结构；第一支撑物，其延伸穿过层间介电层和栅极结构；接触插塞，其延伸穿过层间介电层并且分别连接到通过台阶结构暴露的栅极线；以及第二支撑物，其延伸穿过栅极结构，各个第二支撑物位于第一支撑物之间。
2、根据本公开的实施方式，一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括层叠的栅极线；第一支撑物，其通过栅极结构的前表面延伸到栅极结构中；接触插塞，其通过栅极结构的前表面延伸到栅极结构中，接触插塞分别电连接到栅极线；以及第二支撑物，其通过栅极结构的后表面延伸到栅极结构中，各个第二支撑物位于第一支撑物之间。
3、根据本公开的实施方式，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成通过层叠物的前表面延伸到层叠物中的第一支撑物；形成分别通过层叠物的前表面连接到第一材料层的接触插塞；以及形成通过层叠物的后表面延伸到层叠物中的第二支撑物。
4、根据本公开的实施方式，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：在基板上形成包括层叠物的第一晶圆，该层叠物包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层；将第一晶圆和第二晶圆接合；通过去除基板来暴露层叠物的后表面；形成通过后表面延伸到层叠物中的第一支撑物；以及利用第三材料层替换第一材料层。
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑物通过所述栅极结构的前表面延伸到所述栅极结构中，并且其中，所述第二支撑物通过所述栅极结构的后表面延伸到所述栅极结构中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支撑物各自具有锥形或弓形横截面，并且其中，所述第二支撑物各自具有相对于所述第一支撑物在相反方向上的锥形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞各自具有锥形横截面，并且其中，所述第二支撑物各自具有相对于所述接触插塞在相反方向上的锥形形状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二支撑物被定位为面向所述接触插塞。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞当中的第一接触插塞连接到所述栅极线当中的第一栅极线，并且其中，所述多个第二支撑物中的第二支撑物被定位为面向所述第一接触插塞，并且所述第一栅极线插置在所述第二支撑物和所述第一接触插塞之间。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞当中的第一接触插塞连接到所述栅极线当中的第一栅极线的下表面，并且其中，所述多个第二支撑物中的第二支撑物连接到所述第一栅极线的上表面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二支撑物延伸到所述源极结构中。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在所述多个接触插塞当中，更靠近所述沟道结构的接触插塞具有高于其它接触插塞的高度，并且
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在所述多个接触插塞当中，更靠近所述沟道结构的接触插塞具有小于其它接触插塞的高度，并且
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一支撑物各自具有锥形或弓形横截面，并且其中，所述第二支撑物各自具有相对于所述第一支撑物在相反方向上的锥形形状。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述接触插塞各自具有锥形横截面，并且其中，所述第二支撑物各自具有相对于所述接触插塞在相反方向上的锥形形状。
17.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
18.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
19.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
20.根据权利要求19所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
21.根据权利要求19所述的制造方法，其中，所述接触插塞位于所述第一支撑物之间。
22.根据权利要求19所述的制造方法，其中，所述第二支撑物位于所述第一支撑物之间。
23.根据权利要求19所述的制造方法，其中，所述第二支撑物被定位为面向所述第一支撑物，并且至少一个第一材料层插置在所述第二支撑物和所述第一支撑物之间。
24.根据权利要求19所述的制造方法，其中，形成所述第二支撑物的步骤包括以下步骤：
25.根据权利要求24所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
26.根据权利要求24所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
27.根据权利要求19所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
28.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的制造方法，其中，形成所述第一晶圆的步骤包括以下步骤：
30.根据权利要求29所述的制造方法，其中，所述接触插塞通过所述层叠物的前表面延伸到所述层叠物中。
31.根据权利要求29所述的制造方法，其中，所述接触插塞分别连接到以台阶形状层叠的所述第一材料层。
32.根据权利要求28所述的制造方法，其中，形成所述第一晶圆的步骤包括以下步骤：
33.根据权利要求28所述的制造方法，其中，形成所述第一支撑物的步骤包括以下步骤：
34.根据权利要求28所述的制造方法，其中，形成所述第一支撑物的步骤包括以下步骤：
35.根据权利要求34所述的制造方法，其中，形成具有不同深度的所述开口的步骤包括以下步骤：
