本公开涉及用于即使在外部电压的电压电平及工艺、电压和温度(pvt)存在变化时仍生成具有目标电压电平的内部电压的电子设备。
背景技术：
1、通常，半导体存储器件通过从外部设备接收电源电压vdd和接地电压vss来生成其内部操作所必要的内部电压，并使用生成的内部电压。半导体存储器件所必要的内部电压包括供应给存储器核心区域的核心电压vcore、用于驱动字线或执行过驱动的高电压vpp、以及作为核心区域的晶体管的体电压供应的反向偏置电压vbb。
2、需要解决内部电压的电压电平变化的方法，因为内部电压的电压电平响应于在生成内部电压的操作期间从外部设备供应的电源电压vdd的电压电平的变化以及工艺、电压和温度(pvt)变化而变化。此外，需要解决包括在半导体存储器件中的晶体管被锁定的现象的发生的方法，因为当内部电压的电压电平响应于电源电压vdd的电压电平的变化和pvt变化而变化时，晶体管被锁定。
技术实现思路
1、在实施例中，电子设备可以包括合成电压生成电路和内部电压生成电路，合成电压生成电路被配置为通过合成供电电压和上限参考电压来生成合成电压，该供电电压的电压电平响应于第一外部电压的电压电平的变化而变化，上限参考电压的电压电平响应于通过检测工艺、电压和温度(pvt)变化生成的第一选择信号和第二选择信号而设置，内部电压生成电路被配置为基于合成电压生成内部电压，该内部电压被用作包括在内部电路中的晶体管的体电压。
2、在另一个实施例中，电子设备可以包括：偏斜检测电路，其被配置为通过检测工艺、电压和温度(pvt)变化来生成第一选择信号和第二选择信号；合成电压生成电路，其被配置为通过合成接地电压和上限参考电压来生成合成电压，上限参考电压的电压电平是响应于第一选择信号和第二选择信号而设置的；以及内部电压生成电路，其被配置为基于合成电压生成内部电压，该内部电压被用作包括在内部电路中的晶体管的体电压。
3、在又一个实施例中，电子设备可以包括：偏斜检测电路，其被配置为通过检测工艺、电压和温度(pvt)变化来生成多个工艺代码；合成电压生成电路，其被配置为通过检测第一外部电压的电压电平的变化来生成多个电压代码以及被配置为生成合成电压，其电压电平基于多个电压代码和多个工艺代码来设置；以及内部电压生成电路，其被配置为基于合成电压来生成被用作包括在内部电路中的晶体管的体电压的内部电压。
1.一种电子设备，包括:
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路生成具有恒定电压电平的所述上限参考电压，而不管所述第一外部电压的电压电平的变化。
3.根据权利要求1所述的电子设备，
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述晶体管被设置为pmos晶体管。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路包括：
6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述供电电压生成电路包括：
7.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述参考电压生成电路包括：
8.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述合成电路包括:
9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述内部电压生成电路包括：
10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括偏斜检测电路，所述偏斜检测电路通过检测所述pvt变化来生成所述第一选择信号和所述第二选择信号。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述偏斜检测电路包括：
12.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述偏斜检测电路包括：
13.一种电子设备，包括：
14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路生成具有恒定电压电平的所述上限参考电压，而不管外部电压的电压电平的变化。
15.根据权利要求13所述的电子设备，
16.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述晶体管被设置为nmos晶体管。
17.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路包括：
18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述参考电压生成电路包括：
19.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述合成电路包括：
20.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述内部电压生成电路包括：
21.一种电子设备，包括：
22.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路基于多个合成代码的逻辑电平组合来调整所述合成电压的电压电平，所述多个合成代码是通过将所述多个电压代码和所述多个工艺代码合成而生成的。
23.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述偏斜检测电路包括：
24.根据权利要求23所述的电子设备，
25.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述晶体管被设置为pmos晶体管。
26.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述合成电压生成电路包括：
27.根据权利要求26所述的电子设备，其中，所述电压代码生成电路包括模数转换器，所述模数转换器生成具有与所述分压的电压电平相对应的逻辑电平组合的所述多个电压代码。
28.根据权利要求26所述的电子设备，其中，所述电压生成电路包括数模转换器，所述数模转换器生成具有与所述多个合成代码的逻辑电平组合相对应的电压电平的所述合成电压。
29.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述内部电压生成电路包括：
