本公开涉及一种半导体存储器件，并且更具体地涉及一种具有改进的电特性和集成度的半导体存储器件。
背景技术：
1、近来，为了获得针对用户需求的改进的性能和/或低价格，对于半导体器件更高集成度的要求有所增加。在半导体存储器件中，可能特别需要更高的集成度，因为集成度是决定价格的重要因素。在二维或平面半导体器件中，由于集成程度主要取决于单位存储单元所占据的面积，因此集成度受到用于形成精细图案的技术的影响。然而，为了实现微小的图案，二维半导体器件的集成度的增加可能受到限制，因为可能需要安装昂贵的设备。因此，已经提出了用于增加半导体器件的集成度、电阻和电流驱动能力的半导体存储器件。
技术实现思路
1、根据示例实施例，一种半导体存储器件可以包括：位线，所述位线在第一方向上延伸；有源图案，所述有源图案位于所述位线上，所述有源图案包括在所述第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接所述第一垂直部分和所述第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，所述第一字线和所述第二字线设置在所述第一垂直部分与所述第二垂直部分之间的所述水平部分上并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一字线和所述第二字线与所述有源图案之间；以及电容器，所述电容器连接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的每一者，并且所述电容器可以包括第一电极图案、位于所述第一电极图案上的第二电极图案和位于所述第一电极图案与所述第二电极图案之间的铁电图案，所述第一电极图案连接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的一者。
2、根据示例实施例，一种半导体存储器件可以包括：多条位线，所述多条位线在第一方向上延伸；有源图案，所述有源图案在所述第一方向上布置在每一条所述位线上，每一个所述有源图案包括平行于所述位线的水平部分和从所述水平部分垂直突出的垂直部分；多条字线，所述多条字线与所述位线交叉并且在第二方向上延伸，所述字线分别设置在沿所述第二方向布置的所述有源图案上；第一电极图案，所述第一电极图案分别连接到所述有源图案的所述垂直部分；第二电极图案，所述第二电极图案设置在沿所述第二方向上布置的第一电极图案的行上，每一个所述第二电极图案在所述第二方向上延伸并且平行于字线；以及介电图案，该介电图案位于所述第一电极图案与每一个所述第二电极图案之间。
3、根据示例实施例，一种半导体存储器件可以包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括半导体衬底上的外围电路和覆盖所述外围电路的下绝缘层；多条位线，所述多条位线在所述外围电路结构上在第一方向上延伸；有源图案，所述有源图案在所述第一方向上布置在每一条所述位线上，每一个所述有源图案包括平行于所述位线的水平部分和从所述水平部分垂直突出的垂直部分；多条字线，所述多条字线与所述位线交叉并且在第二方向上延伸，每一条所述字线设置在沿所述第二方向布置的所述有源图案上；第一电极图案，所述第一电极图案连接到所述有源图案的所述垂直部分，每一个所述第一电极图案包括连接到第一垂直部分或第二垂直部分的底部部分和从所述底部部分延伸的侧壁部分；第二电极图案，所述第二电极图案设置在沿第二方向布置的所述第一电极图案的行上，每一个所述第二电极图案包括在所述第二方向上延伸的线部分和填充由所述第一电极图案的底部部分和侧壁部分限定的空间的填充部分；以及铁电图案，所述铁电图案位于所述第一电极图案与每一个所述第二电极图案之间。
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电极图案包括连接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的所述一者的底部部分和从所述底部部分延伸的侧壁部分。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二电极图案包括：
4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述铁电图案以均匀的厚度覆盖所述第一电极图案的所述底部部分和所述侧壁部分。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述铁电图案包括hfo2、hfsio2、hfalo2、hfsion、hfzno、hfzro2、zro2、zrsio2、hfzrsio2、zrsion、laalo、hfdyo2或hfsco2。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述有源图案包括多晶硅或金属氧化物。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括位于所述第一电极图案与所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的一者之间的着陆焊盘，所述着陆焊盘的底表面处于比所述栅极绝缘图案的上表面低的水平高度。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述有源图案的底表面处于比所述位线的上表面低的水平高度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
10.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述介电图案包括铁电材料、反铁电材料、顺电材料或其组合。
12.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述有源图案包括多晶硅或金属氧化物。
13.根据权利要求10所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括分别位于所述第一电极图案与所述垂直部分之间的着陆焊盘。
14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中，所述第一电极图案穿透模制绝缘层以分别连接到所述着陆焊盘。
15.根据权利要求10所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括屏蔽线，所述屏蔽线在沿所述第二方向彼此相邻的所述位线之间在所述第一方向上延伸。
16.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，每一个所述第一电极图案包括连接到所述垂直部分中的相应垂直部分的底部部分和从所述底部部分延伸的侧壁部分。
17.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括分别位于所述第一电极图案与所述有源图案的所述垂直部分之间的着陆焊盘。
19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，所述垂直部分包括每一个所述有源图案上的第一垂直部分和第二垂直部分，所述第一垂直部分和所述第二垂直部分在所述第一方向上彼此面对并且共同连接到所述水平部分。
20.根据权利要求17所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括跨越所述位线在所述第二方向上延伸的第一绝缘图案，每一个所述第一绝缘图案位于沿所述第一方向上彼此相邻的所述有源图案之间。
