本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。
背景技术：
1、最近，在例如动态随机存取存储器(dram)的半导体装置中，期望增加存储器容量，并且通过更精细的处理尺寸来实现存储器容量的增加。然而，这导致布线上的绝缘膜变薄，且在一些情况下，布线之间可发生短路。
技术实现思路
1、在一方面，本公开提供一种设备，其包括：半导体衬底，其具有第一区、第二区及第三区；第一布线，其在所述半导体衬底的所述第一区上方；第二布线，其在所述半导体衬底的所述第二区上方；第三布线，其在所述半导体衬底的所述第三区上方；及第一绝缘膜，其在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线中的每一者上；其中所述第一布线的上表面的高度低于所述第二布线的上表面的高度；其中所述第二布线的所述上表面的高度低于所述第三布线的上表面的高度；及其中安置在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线上方的所述第一绝缘膜的每一部分具有相等的膜厚度。
2、在另一方面，本公开进一步提供一种设备，其包括：半导体衬底，其具有第一区及第二区；第一布线，其在所述半导体衬底的所述第一区上方；第二布线，其在所述半导体衬底的所述第二区上方；第一绝缘膜，其在所述第一布线及所述第二布线中的每一者上；其中所述第一布线的上表面的高度低于所述第二布线的上表面的高度；及其中安置在所述第一布线及所述第二布线中的每一者上方的所述第一绝缘膜具有相同的膜厚度。
3、在又一方面，本公开进一步提供一种方法，其包括：在半导体衬底的第一区中形成第一布线；在与所述半导体衬底的所述第一区不同的第二区中形成具有高于所述第一布线的上表面的上表面的第二布线；在不同于所述半导体衬底的所述第一区及所述第二区的第三区中形成具有高于所述第二布线的上表面的上表面的第三布线；形成至少第一绝缘膜以覆盖所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线；使用各向异性干蚀刻回蚀至少所述第一绝缘膜，以使所述第一绝缘膜具有预定膜厚度。
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二布线及所述第三布线包含在同一层中。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一布线包含在与所述第二布线及所述第三布线不同的层中。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一布线包括钨。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二布线及所述第三布线包括钨。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅。
8.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二绝缘膜包括氮化硅。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一布线是存储器单元阵列结构的一部分，所述第二布线是耦合到所述存储器单元阵列结构的感测放大器或子字驱动器中的任一者的一部分，并且所述第三布线是外围电路结构的一部分。
10.一种设备，其包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一布线包含在与所述第二布线不同的层中。
13.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一布线包括钨。
14.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二布线包括钨。
15.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅。
16.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二绝缘膜包括氮化硅。
17.一种方法，其包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在回蚀后在剩余的第一绝缘膜上形成不同于所述第一绝缘膜的第二绝缘膜。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一区包含在存储器单元区中，所述第二区包含在感测放大器区或子字驱动器区中，并且所述第三区包含在外围电路区中。
