本公开涉及半导体检查装置、半导体晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、在sic晶片容易形成被称为微管(micropipe)的贯通缺陷。专利文献1所记载的检查装置拍摄sic晶片的一个主面的整个面的图像，并对该图像进行图像处理，来检测sic晶片上的缺陷以及其地址。然后，该检查装置对照从同一晶锭以邻接的方式切出而制造出的2片sic晶片的一个主面的整个面的、或者同一sic晶片的一个主面与另一个主面的整个面的点状的低亮度图像的地址，来判定微管缺陷的存在。
2、专利文献1：日本特开2014-137229号公报
3、对于检查从同一晶锭以邻接的方式切出而制造出的2片晶片的一个主面的整个面、或者同一晶片的一个主面和另一个主面的整个面来检测微管缺陷的检查方法而言，其缺陷的检测需要时间。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述课题所做出的，其目的在于，提供能够缩短微管缺陷的检测时间的半导体检查装置。
2、本公开所涉及的半导体检查装置包括缺陷检测部以及控制部。缺陷检测部对具有第1主面和第2主面且包括向预先决定的方向以偏离角倾斜的sic晶体的半导体晶片，检查第1主面来检测第1主面所包含的晶体缺陷亦即第1缺陷，并且检查第2主面来检测第2主面所包含的晶体缺陷亦即第2缺陷。控制部在通过缺陷检测部检测第2缺陷时，以对半导体晶片的第2主面的一部分区域亦即检查区域进行检查的方式控制缺陷检测部。该检查区域基于第1缺陷的检测位置、半导体晶片的厚度以及偏离角而决定。
3、根据本公开，能够提供缩短微管缺陷的检测时间的半导体检查装置。
4、本公开的目的、特征、方面以及优点根据以下详细的说明和所附附图而变得更加清楚。
1.一种半导体检查装置，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体检查装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体检查装置，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体检查装置，其中，
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体检查装置，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体检查装置，其中，
7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体检查装置，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体检查装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体检查装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体检查装置，其中，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体检查装置，其中，
12.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体检查装置，其中，
13.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体检查装置，其中，
14.一种半导体晶片的检查方法，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体晶片的检查方法，其中，
16.根据权利要求15所述的半导体晶片的检查方法，其中，
17.根据权利要求14～16中任一项所述的半导体晶片的检查方法，其中，
18.一种半导体装置的制造方法，其中，
19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其中，
20.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其中，
