本申请说明书所公开的技术涉及半导体技术。
背景技术：
1、在电力电子器件中，作为控制向马达等负载的电力供给的开关元件，广泛使用绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，即，igbt)或金属－氧化膜－半导体场效应晶体管(metal－oxide－semiconductor field－effect transistor，即，mosfet)等绝缘栅型半导体装置。
2、另一方面，作为下一代开关元件，使用了碳化硅(sic)等宽带隙半导体的mosfet或igbt等受到瞩目，看好对处理1kv左右或其以上的高电压的技术领域的应用。
3、作为宽带隙半导体，除了sic之外，例如，还有氮化镓(gan)系材料或金刚石等。
4、在sic－mosfet寄生与mosfet相反方向的体二极管(bd)，公知有与不使bd动作而进行相反方向通电的肖特基势垒二极管(schottky barrier diode，即，sbd)内置mosfet相关的技术(例如，参照专利文献1)。
5、专利文献1：国际公开第2018/139556号
6、在sbd内置mosfet中，要求在流动有被称为浪涌电流的大的电流的情况下一定时间内不会被破坏。将用于该一定时间内不会被破坏的耐量称为i2t耐量，在内置sbd而使体二极管难以通电的情况下，虽然单极通电能力提高但会影响i2t耐量，有时会导致i2t耐量降低。
技术实现思路
1、本申请说明书所公开的技术是鉴于以上所记载的问题而做出的，是在内置有sbd的半导体装置中用于抑制i2t耐量的降低的技术。
2、作为本申请说明书所公开的技术的第1方式的半导体装置具备：第1导电型的漂移层；第2导电型的阱层，在上述漂移层的表层部分性地形成有多个；第1导电型的源极层，部分性地形成于各个上述阱层的表层；栅极电极，经由栅极绝缘膜与被上述漂移层和上述源极层夹着的上述阱层接触；层间绝缘膜，设置为覆盖上述栅极电极；以及源极电极，设置为覆盖上述层间绝缘膜、上述阱层以及上述源极层，处于在俯视观察时不与上述栅极电极重叠的位置的由上述阱层和上述漂移层构成的多个体二极管包括：在第1体二极管动作电压下动作的第1动作部；和在比上述第1体二极管动作电压低的第2体二极管动作电压下动作的多个第2动作部。
3、根据本申请说明书所公开的技术的至少第1方式，能够抑制i2t耐量的降低。
4、另外，与本申请说明书所公开的技术相关的目的、特征、方面以及优点将通过以下所示的详细说明和所附附图而变得更加显而易见。
1.一种半导体装置，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，
12.一种半导体装置的制造方法，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，
14.一种电力转换装置，其中，具备：
