本公开的一个或更多个实施例涉及发光元件和包括该发光元件的显示装置，并且例如，涉及具有改善的发射效率和/或元件寿命的发光元件以及包括该发光元件的显示装置。
背景技术：
1、最近，作为图像显示器的有机电致发光显示器的开发正在积极进行。有机电致发光显示器不同于液晶显示器，并且是自发光类型或种类的显示装置，在所述自发光类型或种类的显示装置中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在有机电致发光显示器的发射层中复合，使得发射层中的发光材料发射光以实现(例如，图像的)显示。
2、在将发光元件应用于显示装置中，需要和/或期望相对高的发射效率和相对长的寿命，因此始终需要和/或进行对稳定地实现这些要求的用于发光元件的材料的开发。
3、例如，为了实现高效率和长寿命，正在进行和/或执行对具有优异或合适的电子传输性质和稳定性的电子传输区域的材料的开发。
技术实现思路
1、本公开的一个或更多个方面涉及具有改善的发射效率和元件寿命的发光元件。
2、本公开的一个或更多个方面涉及一种包括具有改善的发射效率和元件寿命的发光元件的显示装置。
3、附加的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将根据描述而明显，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。
4、根据本公开的一个或更多个实施例，发光元件包括：第一电极；空穴传输区域，位于第一电极上；发射层，位于空穴传输区域上；电子传输区域，位于发射层上；以及第二电极，位于电子传输区域上，其中，电子传输区域包括：电子传输层，位于发射层上；第一电子注入层，位于电子传输层上；以及第二电子注入层，位于第一电子注入层上，第一电子注入层的厚度和第二电子注入层的厚度均为约1nm至约5nm，并且第一电子注入层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物中的至少一种，并且第二电子注入层包括金属材料。
5、式1
6、
7、在式1中，r1至r8可以均独立地为氢、氘、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。
8、式2
9、
10、在式2中，x1至x3可以均独立地为氢、氘、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地与相邻基团组合以形成环。
11、在一个或更多个实施例中，第一电子注入层可以不包括(例如，可以排除)金属材料(例如，任何金属材料)。
12、在一个或更多个实施例中，第二电子注入层可以直接在第一电子注入层上。
13、在一个或更多个实施例中，第二电子注入层的金属材料的至少一部分可以与由式1表示的第一化合物的n原子或由式2表示的第二化合物的o原子形成配位共价键。
14、在一个或更多个实施例中，第一电子注入层可以由由式1表示的第一化合物和/或式2表示的第二化合物构成(例如，可以(大体上)由式1表示的第一化合物和/或由式2表示的第二化合物组成)。
15、在一个或更多个实施例中，第一电子注入层的最低未占分子轨道(lumo)的能级可以是约-1.85ev或更小，并且第一电子注入层的最高占据分子轨道(homo)的能级可以是约-5.60ev或更小。
16、在一个或更多个实施例中，在式1中，r1至r3和r6至r8可以均独立地为氢、氘、取代或未取代的氧基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。
17、在一个或更多个实施例中，在式2中，x1至x3可以均独立地为取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地与相邻基团组合以形成环。
18、在一个或更多个实施例中，第一电子注入层的厚度和第二电子注入层的厚度的总和可以为约2nm至约4nm。
19、在一个或更多个实施例中，相对于电子传输层的厚度，第一电子注入层的厚度百分比或第二电子注入层的厚度百分比可以为约3％至约7％。
20、在一个或更多个实施例中，第二电子注入层可以包括镧系元素的金属(例如，镧系金属)。
21、在一个或更多个实施例中，电子传输层可以包括金属材料。
22、在一个或更多个实施例中，电子传输区域还可以包括在电子传输层与发射层之间的空穴阻挡层。
23、在一个或更多个实施例中，第二电极可以直接在第二电子注入层上。
24、根据本公开的一个或更多个实施例，发光元件包括：第一电极；空穴注入层，位于第一电极上；空穴传输层，位于空穴注入层上；发射层，位于空穴传输层上；电子传输层，位于发射层上；第一电子注入层，位于电子传输层上；第二电子注入层，直接位于第一电子注入层上；以及第二电极，位于第二电子注入层上，其中，第二电子注入层的厚度与第一电子注入层的厚度的比为约1:1至约5:1，第一电子注入层由菲咯啉衍生物和/或氧化膦衍生物构成(例如，(大体上)由菲咯啉衍生物和/或氧化膦衍生物组成)，并且第二电子注入层包括金属材料。
25、根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基体层，包括多个发光区域和与多个发光区域相邻的多个非发光区域；以及多个发光元件，位于基体层上并且分别与多个发光区域对应，其中，多个发光元件的至少一部分包括第一电极、第一电极上的空穴传输区域、空穴传输区域上的发射层、发射层上的电子传输区域和电子传输区域上的第二电极，电子传输区域包括发射层上的电子传输层、电子传输层上的第一电子注入层和第一电子注入层上的第二电子注入层，第一电子注入层的厚度和第二电子注入层的厚度均为约1nm至约5nm，并且第一电子注入层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物中的至少一种，其中，第二电子注入层包括金属材料。
26、在一个或更多个实施例中，多个发光区域可以包括用于发射红光的红色发光区域、用于发射绿光的绿色发光区域和用于发射蓝光的蓝色发光区域，多个发光元件可以包括用于发射红光的第一发光元件、用于发射绿光的第二发光元件和用于发射蓝光的第三发光元件，并且第一发光元件可以与红色发光区域对应，第二发光元件可以与绿色发光区域对应，并且第三发光元件可以与蓝色发光区域对应。
1.一种发光元件，所述发光元件包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层不包括金属材料。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电子注入层的所述金属材料的至少一部分与所述第一化合物的n原子或所述第二化合物的o原子形成配位共价键。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层由由式1表示的所述第一化合物和/或由式2表示的所述第二化合物构成。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层的最低未占分子轨道的能级为-1.85ev或更小，并且所述第一电子注入层的最高占据分子轨道的能级为-5.60ev或更小。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层包括选自化合物组1的化合物之中的至少一种：
7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层包括选自化合物组2的化合物之中的至少一种：
8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电子注入层的所述厚度和所述第二电子注入层的所述厚度的总和为2nm至4nm。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，相对于所述电子传输层的厚度，所述第一电子注入层的厚度百分比或所述第二电子注入层的厚度百分比为3％至7％。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电子注入层中的所述金属材料包括镧系元素的金属。
